物料型号：
- 2N1595至2N1599，这是一系列硅晶体管的型号。
器件简介：
- 这些是工业型、低电流硅控制整流器，采用三引脚封装，非常适合印刷电路应用。其结温下的电流处理能力为1.6安培，最高可达125°C。
引脚分配：
- Pin 1: 阴极（Cathode）
- Pin 2: 门极（Gate）
- Pin 3: 阳极（Anode）
参数特性：
- 最大额定值：
- VRSM(REP)：峰值反向阻断电压分别为50V、100V、200V、300V、400V。
- IT(RMS)：所有导通角度下的正向电流RMS为1.6安培。
- ITSM：峰值浪涌电流为15安培（60Hz，TJ=-65至+125°C）。
- PGM：正向峰值门极功率为0.1瓦。
- PG(AV)：正向平均门极功率为0.01瓦。
- IGM：正向峰值门极电流为0.1安培。
- VGFM：正向峰值门极电压为10V。
- VRGR：反向峰值门极电压为10V。
- TJ：工作结温范围为-65至+125°C。
- TSTG：存储温度范围为-65至+150°C。
- 电气特性（TJ=25°C，除非另有说明，RGK=1000Ω）：
- VDRM：峰值正向阻断电压最小值分别为50V、100V、200V、300V、400V。
- IRRM：额定VDRM下的最大反向阻断电流为1.0毫安。
- IGT：门极触发电流（阳极电压=7.0Vdc，RL=120Ω）典型值为2.0毫安，最大值为10毫安。
- VGT：门极触发电压（阳极电压=7.0Vdc，RL=120Ω）典型值为0.7V，最大值为3.0V。
- IH：保持电流（阳极电压=7.0Vdc，门极打开）典型值为5.0毫安。
- VTM：正向导通电压（Ir=1A）典型值为1.1V，最大值为2.0V。
- tGT：导通时间（ta+t）典型值为0.8微秒。
- tQ：关断时间（Ir=1A，IR=1A，dV/dt=20V/us，TJ=125°C，VoRM=额定电压）典型值为10微秒。
功能详解：
- 这些硅晶体管可以在不受损的情况下连续施加VDRM或VRSM直流电压。它们在电子电路中作为控制整流器使用，通过门极控制阳极和阴极之间的电流流通。
应用信息：
- 这些器件适用于工业应用中的低电流控制整流，特别是在需要精确控制电流方向和大小的场合。
封装信息：
- 封装类型为TO-39，具体尺寸如下：
- A: 6.25mm / 0.24英寸
- B: 13.59mm / 0.53英寸
- C: 9.24mm / 0.36英寸
- D: 8.24mm / 0.32英寸
- E: 0.78mm / 0.03英寸
- F: 1.05mm / 0.041英寸
- G: 0.42mm / 0.165英寸
- H: 45°
- L: 5.1mm / 0.2英寸
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