1. 物料型号：
- 型号为2N1595至2N1599的硅晶体管。
2. 器件简介：
- 这些是工业型、低电流的硅控制整流器，采用三引脚封装，非常适合印刷电路应用。它们能在125°C的结温下处理1.6安培的电流。
3. 引脚分配：
- Pin 1: 阴极（Cathode）
- Pin 2: 门极（Gate）
- Pin 3: 阳极（Anode）
4. 参数特性：
- 最大额定值（T_{J}=125°C）：
- VRSM(REP)：峰值反向阻断电压分别为50V、100V、200V、300V、400V。
- IT(RMS)：所有导通状态下的正向电流RMS为1.6安培。
- ITSM：峰值浪涌电流为15安培（60Hz，TJ=-65至+125°C）。
- PGM：正向峰值门极功率为0.1瓦特。
- PG(AV)：正向平均门极功率为0.01瓦特。
- IGM：正向峰值门极电流为0.1安培。
- VGFM：正向峰值门极电压为10伏特。
- VGRM：反向峰值门极电压为10伏特。
- 工作结温范围：-65至+125°C。
- 存储温度范围：-65至+150°C。
5. 功能详解：
- 电气特性（T_{J}=25°C，R_{GK}=1000Ω）：
- IDRM：峰值正向阻断电流（额定VDRM，TJ=125°C）最大为1.0毫安。
- IGT：门极触发电流（阳极电压=7.0Vdc，RL=120Ω）典型值为2.0毫安，最大为10毫安。
- VGT：门极触发电压（阳极电压=7.0Vdc，RL=120Ω）典型值为0.7伏特，最大为3.0伏特。
- IH：保持电流（阳极电压=7.0Vdc，门极打开）典型值为5.0毫安。
- VTM：正向导通电压（Ir=1A）典型值为1.1伏特，最大为2.0伏特。
- t_{gt}：导通时间（ta+t），Iar=10毫安，Ir=1A，典型值为0.8微秒。
- t_{q}：关断时间（Ir=1A，IR=1A，dV/dt=20V/us，TJ=125°C，VoRM=额定电压），典型值为10微秒。
6. 应用信息：
- 这些硅晶体管适用于需要低电流控制和整流的应用场合，特别是在工业和印刷电路领域。
7. 封装信息：
- 封装类型为TO-39，具体尺寸如下：
- A: 6.25mm / 0.24英寸
- B: 13.59mm / 0.53英寸
- C: 9.24mm / 0.36英寸
- D: 8.24mm / 0.32英寸
- E: 0.78mm / 0.03英寸
- F: 1.05mm / 0.041英寸
- G: 0.42mm / 0.165英寸
- H: 45°
- L: 5.1mm / 0.2英寸
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