### 物料型号
- 2N3583
- 2N3584
- 2N3585
### 器件简介
这些是NPN硅功率晶体管，设计用于工业和军事应用，采用TO-66金属外壳，符合RoHS标准。
### 引脚分配
- Pin 1: Base（基极）
- Pin 2: Emitter（发射极）
- Case: Collector（集电极）
### 参数特性
- 绝对最大额定值：
- VCBO（集电极-基极电压）：2N3583为250V，2N3584为330V，2N3585为440V。
- VCEO（集电极-发射极电压）：2N3583为175V，2N3584为250V，2N3585为300V。
- VEBO（发射极-基极电压）：6V。
- Ic（集电极电流）：2N3583为1A，2N3584和2N3585为2A。
- ICM（峰值集电极电流）：5A。
- IB（基极电流）：1A。
- PT（总功率耗散）：35W。
- TJ（结温）：200°C。
- Tstg（存储温度）：-65至+200°C。
- 热特性：
- RthJC（结到外壳的热阻）：5°C/W。
- RthJA（结到环境空气的热阻）：87.5°C/W。
### 功能详解
电气特性在25°C下测试，除非另有说明：
- ICEO（集电极-发射极截止电流）：2N3583、2N3584和2N3585的最小值为5μA。
- ICEX（集电极-发射极截止电流）：在不同电压条件下，2N3583、2N3584和2N3585的值不同。
- IEBO（发射极截止电流）：2N3583和2N3584为0.5mA，2N3585为175μA。
- VCEO(SUS)（持续电压）：2N3584为250V，2N3585为300V。
- VCE(SAT)（饱和集电极-发射极电压）：2N3583为5V，2N3584和2N3585为0.75V。
- VBE(SAT)（饱和基极-发射极电压）：2N3583为1.4V。
- hFE（直流电流增益）：2N3583的范围是40到200，2N3584和2N3585的范围是25到100。
- Is/B（二次击穿）：2N3584为350mA。
- fr（转换频率）：2N3584为10MHz，2N3585的数据未提供。
- ta+tr（导通时间）：2N3584和2N3585为3μs。
- tf（下降时间）和ts（载流子存储时间）：2N3584和2N3585的数据未完全提供。
### 应用信息
这些晶体管适用于需要高电压、大电流和高功率耗散的应用场合，如工业驱动和军事装备。
### 封装信息
- 封装类型：TO-66金属外壳。
- 机械数据和尺寸图已提供，详细列出了封装的各个尺寸参数。
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