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2N5671

2N5671

  • 厂商:

    COMSET

  • 封装:

  • 描述:

    2N5671 - HIGH CURRENT FAST SWITCHING APPLICATIONS - Comset Semiconductor

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
2N5671 数据手册
NPN 2N5671 – 2N5672 HIGH CURRENT FAST SWITCHING APPLICATIONS The 2N5671 and 2N5672 are silicon multiepitaxial planer NPN transistors in Jedec TO-3. They are especially intended for high current, fast switching industrial applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol VCEO VCBO VEBO VCEX VCER IC IB PD TJ TStg Collector-Emitter Voltage Collector-Base Voltage Emitter-Base Voltage Collector-Emitter Voltage VEB = -1.5V, REB = 50 Ω Collector-Emitter Voltage REB
2N5671
物料型号: - 型号为2N5671和2N5672,它们是NPN型硅多晶硅平面晶体管,封装为Jedec TO-3。

器件简介: - 2N5671和2N5672是专为高电流、快速开关的工业应用而设计的硅多晶硅平面NPN晶体管。

引脚分配: - Pin 1: Base(基极) - Pin 2: Emitter(发射极) - Case: Collector(集电极)

参数特性: - 绝对最大额定值包括VCEO(集电极-发射极电压)、VcBO(集电极-基极电压)、VEBO(发射极-基极电压)、VCEx(集电极-发射极电压,VEB = -1.5V, REB = 50)、VCER(集电极-发射极电压,REB<= 50)、lc(集电极电流)、IB(基极电流)、PD(总器件耗散功率@Tc=25°)、TJ(结温)、Tstg(存储温度)。 - 热特性包括热阻,从结到外壳的RthJc。 - 电气特性包括VCEO(SUS)(集电极-发射极维持电压)、VCER(SUS)(集电极-发射极维持电压)、VCEX(SUS)(集电极-发射极维持电压)、ICEO(集电极截止电流)、IcEx(集电极截止电流)、IEBO(发射极截止电流)、hFE(直流电流增益)、VCE(SAT)(集电极-发射极饱和电压)、VBE(SAT)(基极-发射极饱和电压)、VBE(基极-发射极电压)、fr(过渡频率)、s/b(二次击穿能量)、Es/b(二次击穿能量)、ton(开通时间)、ts(存储时间)、tf(下降时间)、CBO(集电极-基极电容)。

功能详解: - 这些晶体管适用于高电流、快速开关的工业应用,具有特定的电气特性和热特性,以满足这些应用的需求。

应用信息: - 适用于高电流、快速开关的工业应用。

封装信息: - 封装为Jedec TO-3,提供了详细的尺寸信息,包括mm和inches两种单位。
2N5671 价格&库存

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