2N6053

厂商：
COMSET
封装：
描述：
2N6053 - COMPLEMENTARY POWER DARLINGTON - Comset Semiconductor

数据手册：

下载2N6053.pdf

立即购买

详情介绍
数据手册
价格&库存

2N6053 数据手册

COMPLEMENTARY POWER DARLINGTON The 2N6053 is a silicon epitaxial base PNP transistor in monolithic Darlington configuration and are mounted in Jedec TO-3 metal case. They are intended for use in power linear and switching applications. The complementary NPN type is the 2N6055 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol VCEO VCBO VEBO Ratings #Collector-Emitter Voltage Collector-Base Voltage Emitter-Base Voltage Continuous IB=0 IE=0 2N6053 2N6055 2N6053 2N6055 2N6053 2N6055 2N6053 2N6055 2N6053 2N6055 2N6053 2N6055 2N6053 2N6055 2N6053 2N6055 2N6053 2N6055 Value 60 60 5.0 8 Unit V V V IC Collector Current Peak A 16 120 100 mA Watts °C -65 to +200 °C IB PTOT TJ TS Base Current Total Dissipation Junction Temperature Storage Temperature @ TC = 25° THERMAL CHARACTERISTICS Symbol RthJC Ratings Thermal Resistance, Junction to Case 2N6053 2N6055 Value 1.75 Unit °C/W 1 ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25°C unless otherwise noted Symbol VCEO(SUS) ICEO ICEX IEBO Ratings Test Condition(s) Min Typ Mx Unit 2N6053 60 2N6055 2N6053 2N6055 2N6053 2N6055 2N6053 2N6055 2N6053 2N6055 2N6053 750 2N6055 2N6053 100 2N6055 2N6053 2N6055 2N6053 2N6055 2N6053 2N6055 2N6053 4 2N6055 2N6053 2N6055 0.5 500 5 2.0 18K 2.0 3.0 4.0 2.8 200 300 V V V MHz pF V mA µA mA mA Collector-Emitter Sustaining IC=100 mA Voltage (1) Collector-Emitter Current Collector-Cutoff Current VCE=30 V VCE=60 V, VBE=-1.5 V VCE=60 V, VBE=-1.5 V TC=150°C Emitter Cutoff Current VEB=5.0 V IC=4.0 A, VCE=3.0 V IC=8.0 A, VCE=3.0 V hFE DC Current Gain (*) VCE(SAT) VBE(SAT) VBE(on) fT Ccbo Collector-Emitter saturation Voltage (*) Base-Emitter Voltage (*) Base-Emitter Voltage Transition Frequency Collector-base Capacitance IC=4.0 A, IB=16 mA IC=8.0 A, IB=80 mA IC=8.0 A, IB=80 mA IC=4.0 A, VCE=3.0 V VCE=3.0 Vdc, IC=3.0 Adc, f=1 MHz VCB=10 V, IE=0, f=1 MHz (*) Pulse Width ≈ 300 µs, Duty Cycle ∠ 2.0% ! ! ! For PNP types current and voltage values are negative ! ! ! 2 MECHANICAL DATA CASE TO-3 DIMENSIONS A B C D E G H L M N P Pin 1 : Pin 2 : Case : mm 25,51 38,93 30,12 17,25 10,89 11,62 8,54 1,55 19,47 1 4,06 inches 1,004 1,53 1,18 0,68 0,43 0,46 0,34 0,6 0,77 0,04 0,16 Base Emitter Collector 3

下载 PDF

2N6053

物料型号： - 型号：2N6053/2N6055

器件简介： - 2N6053和2N6055是硅外延基PNP达林顿晶体管，采用Jedec TO-3金属封装。适用于功率线性和开关应用。2N6055是2N6053的互补NPN类型。

引脚分配： - Pin 1: Base（基极） - Pin 2: Emitter（发射极） - Case: Collector（集电极）

参数特性： - 绝对最大额定值： - VCEO（集电极-发射极电压）：2N6053为60V，2N6055为60V - VCBO（集电极-基极电压）：2N6053为60V，2N6055为60V - VEBO（发射极-基极电压）：2N6053未给出，2N6055为5.0V - Ic（集电极电流）：2N6053连续8A，峰值16A；2N6055未给出 - IB（基极电流）：2N6053为120mA，2N6055未给出 - PTOT（总耗散功率）：2N6053为100W，2N6055为100W - TJ（结温）：2N6053和2N6055均为-65至+200℃ - Ts（储存温度）：2N6053和2N6055未给出具体数值

- 热特性：文档中未提供具体热特性数据。

- 电气特性（TC=25°C除非另有说明）： - VCEO(SUS)（集电极-发射极维持电压）：2N6053为60V，2N6055未给出 - ICEO（集电极-发射极电流）：2N6053为0.5mA，2N6055未给出 - ICEX（集电极截止电流）：2N6053为500μA，2N6055为5mA - IEBO（发射极截止电流）：2N6053为2.0mA，2N6055未给出 - hFE（直流电流增益）：2N6053为750至18K，2N6055未给出 - VCE(SAT)（集电极-发射极饱和电压）：2N6053为2.0V，2N6055为3.0V - VBE(SAT)（基极-发射极饱和电压）：2N6053和2N6055均为4.0V - VBE(on)（基极-发射极导通电压）：2N6053为2.8V，2N6055未给出 - fT（过渡频率）：2N6053为4MHz，2N6055未给出 - Ccbo（集电极-基极电容）：2N6053为200pF，2N6055为300pF

功能详解： - 2N6053和2N6055是达林顿配置的PNP和NPN晶体管，适用于高功率应用，具有高电流增益和低饱和电压特性。

应用信息： - 适用于功率线性和开关应用。

封装信息： - 采用Jedec TO-3金属封装，具体尺寸如下： - A 25.51mm (1.004in) - B 38.93mm (1.53in) - C 30.12mm (1.18in) - D 17.25mm (0.68in) - E 10.89mm (0.43in) - G 11.62mm (0.46in) - H 8.54mm (0.34in) - M 19.47mm (0.77in) - N 0.04mm (0.04in) - 4.06mm (0.16in)

2N6053 价格&库存

-> 查询更多价格&库存

很抱歉，暂时无法提供与“2N6053”相匹配的价格&库存，您可以联系我们找货

免费人工找货

搜索历史

2N6053

相关技术文章