BDV67C

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COMSET
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BDV67C - NPN SILICON DARLINGTONS POWER TRANSISTORS - Comset Semiconductor

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BDV67A, B, C, D NPN SILICON DARLINGTONS POWER TRANSISTORS The BDV67 is epitaxial base Darlington transistors for audio output stages and general amplifier and switching applications. The complementary is BDV66A, B, C, D. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol VCEO Collector-Emitter Voltage Ratings BDV67A BDV67B BDV67C BDV67D BDV67A BDV67B BDV67C BDV67D BDV67A BDV67B BDV67C BDV67D BDV67A BDV67B IC BDV67C BDV67D BDV67A BDV67B ICM BDV67C BDV67D BDV67A BDV67B BDV67C BDV67D BDV67A BDV67B @ Tmb = 25° C BDV67C BDV67D BDV67A BDV67B BDV67C BDV67D BDV67A BDV67B BDV67C BDV67D Value 80 100 120 150 100 120 140 160 5.0 Unit V VCBO Collector-Base Voltage V VEBO Emitter-Base Voltage V 16 IC Collector Current A 20 IB Base Current 0.5 A PT Power Dissipation 200 Watts TJ Junction Temperature 150 °C -65 to +150 TS Storage Temperature COMSET SEMICONDUCTORS 1/5 BDV67A, B, C, D THERMAL CHARACTERISTICS Symbol RthJ-mb Ratings Thermal Resistance, Junction to Mounting Base BDV67A BDV67B BDV67C BDV67D Value 0.625 Unit °C/W ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25°C unless otherwise noted Symbol Ratings VCE=40 V Test Condition(s) BDV67A BDV67B BDV67C BDV67D BDV67A BDV67B BDV67C BDV67D BDV67A BDV67B BDV67C BDV67D BDV67A BDV67B BDV67C BDV67D Min Typ Mx Unit 5.0 1 mA 5 mA 3 mA ICEO Collector Cutoff Current VCE=50 V VCE=60 V VCE=75 V IEBO Emitter Cutoff Current VBE=5 V Tj=25°C, VCB= VCBO ICBO Collector-Base Cutoff Current Tj=150°C, VCB= VCBO - - COMSET SEMICONDUCTORS 2/5 BDV67A, B, C, D M Unit x 2 - Symbol hFE Ratings DC Current Gain Collector-Emitter saturation Voltage (*) Test Condition(s) VCE=3 V, IC=1 A VCE=3 V, IC=10 A VCE=3 V, IC=16 A IC=10 A, IB=40 mA Min 1000 - Typ 3000 1000 - VCE(SAT) VBE Base-Emitter Voltage(1&2) VCE=3 V, IC=10 A VF Diode forward voltage IF=10 A Cc IE=0 A, VCB=10V ton Switching times VCC=12V, IC=-10 A IB1=-IB2=0.04 A toff fhfe VCE=-3 V, IC=-5 A BDV67A BDV67B BDV67C BDV67D BDV67A BDV67B BDV67C BDV67D BDV67A BDV67B BDV67C BDV67D BDV67A BDV67B BDV67C BDV67D BDV67A BDV67B BDV67C BDV67D BDV67A BDV67B BDV67C BDV67D BDV67A BDV67B BDV67C BDV67D - V - - 2,5 V - - 3 V - 300 - pF - 1 µs - 3.5 - - 60 - kHz (*) Pulse Width ≈ 300 µs, Duty Cycle ∠ 2.0% (1) collector-Emitter voltage limited et VCEci = V rated by an auxiliary circuit COMSET SEMICONDUCTORS 3/5 BDV67A, B, C, D MECHANICAL DATA CASE TO-3P (TO247) Pin 1 : Pin 2 : Pin 3 : Base Collector Emitter COMSET SEMICONDUCTORS 4/5 BDV67A, B, C, D Information furnished is believed to be accurate and reliable. However, CS assumes no responsability for the consequences of use of such information nor for errors that could appear. Data are subject to change without notice COMSET SEMICONDUCTORS 5/5

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BDV67C

1. 物料型号： - BDV67A, B, C, D

2. 器件简介： - BDV67是用于音频输出级和一般放大器及开关应用的外延基达林顿晶体管。互补型号为BDV66A, B, C, D。

3. 引脚分配： - Pin 1: Base（基极） - Pin 2: Collector（集电极） - Pin 3: Emitter（发射极）

4. 参数特性： - 绝对最大额定值： - VCEO（集电极-发射极电压）：BDV67A为80V，BDV67B为100V，BDV67C为120V，BDV67D为150V。 - VCBO（集电极-基极电压）：BDV67A为100V，BDV67B为120V，BDV67C为140V，BDV67D为160V。 - VEBO（发射极-基极电压）：BDV67C为5.0V。 - Ic（集电极电流）：BDV67A为16A，BDV67B为20A。 - Ib（基极电流）：BDV67A为0.5A。 - PT（功率耗散@Tmb=25°C）：BDV67A为200W。 - TJ（结温）：BDV67B为150°C。 - Ts（存储温度）：BDV67A为-65至+150°C。

5. 功能详解： - 热特性： - RthJ-mb（结到安装底的热阻）：BDV67A为0.625°C/W。 - 电气特性（TC=25°C除非另有说明）： - ICEO（集电极截止电流）：VcE=40V时BDV67A，VcE=50V时BDV67B，VcE=60V时BDV67C，VcE=75V时BDV67D。 - IEBO（发射极截止电流）：VBE=5V时BDV67A为5.0mA。 - IcBO（集电极-基极截止电流）：T=25°C, Vc=VcBo时BDV67A为1mA。 - 直流电流增益（hFE）：VCE=3V, IC=1A时为3000，VCE=3V, IC=10A时为1000，VCE=3V, IC=16A时为1000。 - 饱和压降（VCE(SAT)）：BDV67B, BDV67C, BDV67D为2V，BDV67A为2.5V。 - 基-发射电压（VBE）：VCE=3V, IC=10A时BDV67B, BDV67C为2.5V，BDV67D为3V。 - 二极管正向电压（VF）：IF=10A时BDV67B, BDV67C为3V，BDV67D为3V。 - 电容（Cc）：IE=0A, VCB=10V时BDV67A, BDV67B, BDV67C为300pF。 - 开关时间（ton, toff）：BDV67A, BDV67B, BDV67C为3.5μs。

6. 应用信息： - 该型号适用于音频输出级和一般放大器及开关应用。

7. 封装信息： - 封装类型为TO-3P（TO247）。

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