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BDX62B

BDX62B

  • 厂商:

    COMSET

  • 封装:

  • 描述:

    BDX62B - PNP SILICON DARLINGTONS - Comset Semiconductor

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BDX62B 数据手册
PNP SILICON DARLINGTONS General purpose darlingtons designed for power amplifier and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol VCEO Collector-Emitter Voltage Ratings BDX62 BDX62A BDX62B BDX62C BDX62 BDX62A BDX62B BDX62C BDX62 BDX62A BDX62B BDX62C BDX62 BDX62A BDX62B BDX62C BDX62 BDX62A BDX62B BDX62C BDX62 BDX62A BDX62B BDX62C BDX62 BDX62A BDX62B BDX62C BDX62 BDX62A BDX62B BDX62C Value -60 -80 -100 -120 -60 -80 -100 -120 -5.0 Unit V VCEV Collector-EmitterVoltage VBE=-1.5 V V VEBO Emitter-Base Voltage V IC(RMS) IC Collector Current -8 A -12 ICM IB Base Current -0.15 A PT Power Dissipation @ TC = 25° 90 Watts W/°C TJ TS Junction Temperature Storage Temperature -55 to +200 °C Page 1 of 5 THERMAL CHARACTERISTICS Symbol RthJ-C Ratings Thermal Resistance, Junction to Case BDX62 BDX62A BDX62B BDX62C Value 1.94 Unit °C/W ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25°C unless otherwise noted Symbol Ratings Test Condition(s) Min Typ Mx Unit BDX62 -60 - - BDX62A -80 - V VCEO(SUS) Collector-Emitter Breakdown Voltage (*) IC=-0.1 A, IB=0, L=25mH BDX62B -100 - - BDX62C -120 - - VCE=-30 V BDX62 - - VCE=-40 V BDX62A - -0.5 mA ICEO Collector Cutoff Current VCE=-50 V BDX62B - - VCE=-60 V BDX62C - - Page 2 of 5 IEBO Emitter Cutoff Current VBE=-5 V BDX62 BDX62A BDX62B BDX62C - - -5.0 mA VCBO=-60 V BDX62 - -0.2 VCBO=-40 V TCASE=200°C - - -2 VCBO=-80 V BDX62A - -0.2 ICBO Collector-Base Cutoff Current VCBO=-50 V TCASE=200°C - - -2 - VCBO=-100 V BDX62B - -0.2 VCBO=-60 V TCASE=200°C - - -2 VCBO=-120 V BDX62C - -0.2 VCBO=-70 V TCASE=200° - -2 VCE(SAT) Collector-Emitter saturation Voltage (*) IC=-3.0 A, IB=-12 mA VF Forward Voltage (pulse method) IF=3 A VBE Base-Emitter Voltage (*) IC=-3.0 A, VCE=-3V fhfe Cut-off frequency VCE=3 V, IC=3 A BDX62 BDX62A BDX62B BDX62C BDX62 BDX62A BDX62B BDX62C BDX62 BDX62A BDX62B BDX62C BDX62 BDX62A BDX62B BDX62C - - -2 V - - -2.5 V - - - V - 100 - kHz Page 3 of 5 fT Transition Frequency hFE D.C. current gain (*) BDX62 BDX62A VCE=-3 V, IC=-3 A, f=1 MHz BDX62B BDX62C BDX62 BDX62A VCE=-3 V, IC=-0.5 A BDX62B BDX62C BDX62 BDX62A VCE=-3 V, IC=-3 A BDX62B BDX62C BDX62 BDX62A VCE=-3 V, IC=-8 A BDX62B BDX62C - 7 - MHz - 1500 - 1000 - - - - 750 - (*) Pulse Width ≈ 300 µs, Duty Cycle ∠ 2.0% (1) collector-Emitter voltage limited et VCEci = V rated by an auxiliary circuit MECHANICAL DATA CASE TO-3 DIMENSIONS A B C D E G H L M N P Pin 1 : Pin 2 : Case : mm 25,51 38,93 30,12 17,25 10,89 11,62 8,54 1,55 19,47 1 4,06 inches 1,004 1,53 1,18 0,68 0,43 0,46 0,34 0,6 0,77 0,04 0,16 Base Emitter Collector Page 4 of 5 Page 5 of 5
BDX62B
1. 物料型号: - BDX62 - BDX62A - BDX62B - BDX62C

2. 器件简介: - 这些是通用达林顿晶体管,设计用于功率放大器和开关应用。

3. 引脚分配: - Pin 1: Base(基极) - Pin 2: Emitter(发射极) - Case: Collector(集电极)

4. 参数特性: - 绝对最大额定值: - VCEO(集电极-发射极电压):BDX62为-60V,BDX62A为-80V,BDX62B为-100V,BDX62C为-120V。 - VEBO(发射极-基极电压):所有型号均为-5.0V。 - Ic(集电极电流):所有型号均为-8A(RMS)和-12A(峰值)。 - IB(基极电流):所有型号均为-0.15A。 - PT(功率耗散):所有型号均为90W/°C。 - 热特性: - RthJ-C(结到外壳的热阻):1.94°C/W。 - 电气特性(TC=25°C除非另有说明): - VCEO(SUS)(集电极-发射极击穿电压):BDX62为-60V,BDX62A为-80V,BDX62B为-100V,BDX62C为-120V。 - ICEO(集电极截止电流):-0.5mA。 - VCE(SAT)(集电极-发射极饱和电压):所有型号均为-2V。 - VF(正向电压):所有型号均为-2.5V。 - fT(过渡频率):所有型号均为7MHz。 - hFE(直流电流增益):所有型号在不同条件下分别为1500,1000和750。

5. 功能详解: - 这些达林顿晶体管能够在高电压和高电流条件下工作,适用于需要高功率输出的应用场合。

6. 应用信息: - 适用于功率放大和开关应用。

7. 封装信息: - 封装类型为TO-3,具体尺寸如下: - A: 25.51mm / 1.004in - B: 38.93mm / 1.53in - C: 30.12mm / 1.18in - D: 17.25mm / 0.68in - E: 10.89mm / 0.43in - G: 11.62mm / 0.46in - H: 8.54mm / 0.34in - L: 1.55mm / 0.6in - M: 19.47mm / 0.77in - N: 1mm / 0.04in - P: 4.06mm / 0.16in
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