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BDX64A

BDX64A

  • 厂商:

    COMSET

  • 封装:

  • 描述:

    BDX64A - PNP SILICON DARLINGTONS - Comset Semiconductor

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
BDX64A 数据手册
PNP SILICON DARLINGTONS General purpose darlingtons designed for power amplifier and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol VCEO Collector-Emitter Voltage Ratings BDX64 BDX64A BDX64B BDX64C BDX64 BDX64A BDX64B BDX64C BDX64 BDX64A BDX64B BDX64C BDX64 BDX64A BDX64B BDX64C BDX64 BDX64A BDX64B BDX64C Value -60 -80 -100 -120 -60 -80 -100 -120 -5.0 Unit V VCEV Collector-EmitterVoltage VBE=-1.5 V V VEBO Emitter-Base Voltage V IC(RMS) IC Collector Current -12 A -16 ICM IB Base Current PT TJ TS Power Dissipation @ TC = 25° Junction Temperature Storage Temperature BDX64 BDX64A BDX64B BDX64C BDX64 BDX64A BDX64B BDX64C BDX64 BDX64A BDX64B BDX64C 0.2 A 117 Watts W/°C -55 to +200 °C Page 1 of 4 THERMAL CHARACTERISTICS Symbol RthJ-C Ratings Thermal Resistance, Junction to Case BDX64 BDX64A BDX64B BDX64C Value 1.5 Unit °C/W ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25°C unless otherwise noted Symbol Ratings Test Condition(s) BDX64 BDX64A BDX64B BDX64C BDX64 BDX64A BDX64B BDX64C BDX64 BDX64A BDX64B BDX64C BDX64 BDX64A BDX64B Min Typ Mx Unit -60 -80 -100 -120 - VCEO(SUS) Collector-Emitter Breakdown Voltage (*) IC=-0.1 A, IB=0, L=25mH V ICEO Collector Cutoff Current VCE=-30 V VCE=-40 V VCE=-50 V VCE=-60 V VBE=-5 V VCBO=-60 V VCBO=-40 V TCASE=200°C VCBO=-80 V VCBO=-50 V TCASE=200°C VCBO=-100 V VCBO=-60 V TCASE=200°C VCBO=-120 V VCBO=-70 V TCASE=200° -1.0 mA IEBO Emitter Cutoff Current -5.0 0.2 2 0.2 2 0.2 2 0.2 2 mA ICBO Collector-Base Cutoff Current - BDX64C - VCE(SAT) Collector-Emitter saturation Voltage (*) IC=-5.0 A, IB=-20 mA VF Forward Voltage (pulse method) IF=5 A BDX64 BDX64A BDX64B BDX64C BDX64 BDX64A BDX64B BDX64C - - -2 V - 1.8 - V Page 2 of 4 VBE Base-Emitter Voltage (*) IC=-5.0 A, VCE=-3V Fhfe Cut-off frequency -VCE=3 V,-IC=5 A fT Transition Frequency VCE=-3 V, IC=-5 A, f=1 MHz -VCE=-3 V, -IC=-1 A hFE D.C. current gain (*) -VCE=-3 V, -IC=-5 A -VCE=-3 V, -IC=-12 A BDX64 BDX64A BDX64B BDX64C BDX64 BDX64A BDX64B BDX64C BDX64 BDX64A BDX64B BDX64C BDX64 BDX64A BDX64B BDX64C BDX64 BDX64A BDX64B BDX64C BDX64 BDX64A BDX64B BDX64C - - -2.5 V - 80 - kHz - 7 - MHz - 1500 - 1000 - - - - 750 - (*) Pulse Width ≈ 300 µs, Duty Cycle ∠ 2.0% (1) collector-Emitter voltage limited et VCEci = V an auxiliary circuit rated by MECHANICAL DATA CASE TO-3 DIMENSIONS A B C D E G H L M N P Pin 1 : Pin 2 : Case : mm 25,51 38,93 30,12 17,25 10,89 11,62 8,54 1,55 19,47 1 4,06 inches 1,004 1,53 1,18 0,68 0,43 0,46 0,34 0,6 0,77 0,04 0,16 Base Emitter Collector Page 3 of 4 Page 4 of 4
BDX64A
1. 物料型号: - BDX64, A, B, C是达林顿晶体管,用于功率放大和开关应用。

2. 器件简介: - 这些是通用达林顿晶体管,专为功率放大和开关应用设计。

3. 引脚分配: - Pin 1: Base(基极) - Pin 2: Emitter(发射极) - Case: Collector(集电极)

4. 参数特性: - 绝对最大额定值包括集电极-发射极电压(VCEO)、集电极-基极电压(VCEV)、发射极-基极电压(VEBO)、集电极电流(Ic)、集电极电流(ICM)和基极电流(IB)。 - 热特性包括结到壳的热阻(RthJ-C)。 - 电气特性包括集电极发射极击穿电压(VCEO(SUS))、集电极截止电流(ICEO)、发射极截止电流(IEBO)、集电极-基极截止电流(ICBO)、集电极-发射极饱和电压(VCE(SAT))、正向电压(VF)、基极-发射极电压(VBE)、截止频率(Ft)和过渡频率(fr)。

5. 功能详解: - 这些达林顿晶体管能够在高电压和高电流下工作,具有较高的击穿电压和截止频率,适用于需要高功率处理和快速开关的应用。

6. 应用信息: - 适用于功率放大和开关应用,具体应用场景未在文档中详述。

7. 封装信息: - 封装类型为TO-3,提供了详细的尺寸数据,包括A、B、C、D、E、G、H、L、M、N、P等尺寸参数。
BDX64A 价格&库存

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