BDX65B

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COMSET
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BDX65B - NPN SILICON DARLINGTONS - Comset Semiconductor

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NPN SILICON DARLINGTONS General purpose darlingtons designed for power amplifier and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol VCEO Collector-Emitter Voltage Ratings BDX65 BDX65A BDX65B BDX65C BDX65 BDX65A BDX65B BDX65C BDX65 BDX65A BDX65B BDX65C BDX65 BDX65A BDX65B BDX65C BDX65 BDX65A BDX65B BDX65C BDX65 BDX65A BDX65B BDX65C BDX65 BDX65A BDX65B BDX65C BDX65 BDX65A BDX65B BDX65C Value 60 80 100 120 80 100 120 140 5.0 Unit V VCBO Collector-BaseVoltage V VEBO Emitter-Base Voltage V IC(RMS) IC Collector Current 12 A 16 ICM IB Base Current 0.2 A PT TJ TS Power Dissipation @ TC = 25° 117 Watts W/°C Junction Temperature Storage Temperature -55 to +200 °C Page 1 of 4 THERMAL CHARACTERISTICS Symbol RthJ-C Ratings Thermal Resistance, Junction to Case BDX65 BDX65A BDX65B BDX65C Value 1.5 Unit °C/W ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25°C unless otherwise noted Symbol Ratings Test Condition(s) BDX65 BDX65A BDX65B BDX65C BDX65 BDX65A BDX65B BDX65C BDX65 BDX65A BDX65B BDX65C BDX65 BDX65A BDX65B Min Typ Mx Unit 60 80 100 120 - VCEO(SUS) Collector-Emitter Breakdown Voltage (*) IC=0.1 A, IB=0, L=25mH V ICEO Collector Cutoff Current VCE=30 V VCE=40 V VCE=50 V VCE=60 V VBE=5 V VCBO=60 V VCBO=40 V TCASE=200°C VCBO=50 V VCBO=80 V TCASE=200°C VCBO=100 V VCBO=60 V TCASE=200°C VCBO=120 V VCBO=70 V TCASE=200° 1 mA IEBO Emitter Cutoff Current 5.0 0.4 3 0.4 3 0.4 3 0.4 3 mA ICBO Collector-Base Cutoff Current - BDX65C - VCE(SAT) Collector-Emitter saturation Voltage (*) IC=5.0 A, IB=20 mA VF Forward Voltage (pulse method) IF=3 A BDX65 BDX65A BDX65B BDX65C BDX65 BDX65A BDX65B BDX65C - - 2 V - 1.8 - V Page 2 of 4 VBE Base-Emitter Voltage (*) IC=5.0 A, VCE=3V fhfe Cut-off frequency VCE=3 V, IC=5 A fT Transition Frequency VCE=3 V, IC=5 A, f=1 MHz VCE=3 V, IC=1 A hFE D.C. current gain (*) VCE=3 V, IC=5 A VCE=3 V, IC=10 A BDX65 BDX65A BDX65B BDX65C BDX65 BDX65A BDX65B BDX65C BDX65 BDX65A BDX65B BDX65C BDX65 BDX65A BDX65B BDX65C BDX65 BDX65A BDX65B BDX65C BDX65 BDX65A BDX65B BDX65C - - 2.5 V - 50 - kHz - 7 - MHz - 3300 - 1000 - - - - 3700 - (*) Pulse Width ≈ 300 µs, Duty Cycle ∠ 2.0% (1) collector-Emitter voltage limited et VCEci = V an auxiliary circuit rated by MECHANICAL DATA CASE TO-3 DIMENSIONS A B C D E G H L M N P Pin 1 : Pin 2 : Case : mm 25,51 38,93 30,12 17,25 10,89 11,62 8,54 1,55 19,47 1 4,06 inches 1,004 1,53 1,18 0,68 0,43 0,46 0,34 0,6 0,77 0,04 0,16 Base Emitter Collector Page 3 of 4 Page 4 of 4

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BDX65B

1. 物料型号： - BDX65, BDX65A, BDX65B, BDX65C

2. 器件简介： - 这些是通用达林顿晶体管，设计用于功率放大器和开关应用。

3. 引脚分配： - Pin 1: Base（基极） - Pin 2: Emitter（发射极） - Case: Collector（集电极）

4. 参数特性： - 绝对最大额定值： - VCEO（集电极-发射极电压）：BDX65为60V，BDX65A为80V，BDX65B为100V，BDX65C为120V。 - VCBO（集电极-基极电压）：BDX65为80V，BDX65A为100V，BDX65B为120V，BDX65C为140V。 - VEBO（发射极-基极电压）：所有型号均为5.0V。 - Ic（集电极电流）：BDX65、BDX65A、BDX65B、BDX65C分别为12A和16A。 - Ib（基极电流）：所有型号均为0.2A。 - PT（功耗）：所有型号均为117W/°C。 - TJ（结温）：BDX65、BDX65A为-55至+200°C。 - Ts（储存温度）：BDX65B、BDX65C的具体数值未提供。

5. 功能详解： - 电气特性（TC=25°C除非另有说明）： - VCEO(SUS)：BDX65为60V，BDX65A为80V，BDX65B为100V，BDX65C为120V。 - ICEO（集电极截止电流）：所有型号在VCE=30V时为1mA。 - IEBO（发射极截止电流）：所有型号在VBE=5V时为5.0mA。 - ICBO（集电极-基极截止电流）：所有型号在VCBO=60V时为0.4mA。 - VCE(SAT)（集电极-发射极饱和电压）：BDX65、BDX65B为2V，BDX65A、BDX65C为1.8V。 - VF（正向电压）：所有型号在IF=3A时为1.8V。 - VBE（基极-发射极电压）：所有型号在Ic=5.0A，VcE=3V时为2.5V。 - fnte（截止频率）：所有型号在VcE=3V，Ic=5A时为50kHz。 - fT（转换频率）：所有型号在VcE=3V，Ic=5A，f=1MHz时为7MHz。 - hFE（电流增益）：所有型号在VcE=3V，Ic=1A时为3300，VcE=3V，Ic=5A时为1000，VcE=3V，Ic=10A时为3700。

6. 应用信息： - 这些达林顿晶体管适用于功率放大器和开关应用。

7. 封装信息： - 封装类型为TO-3，具体尺寸如下： - A: 25.51mm / 1.004in - B: 38.93mm / 1.53in - C: 30.12mm / 1.18in - D: 17.25mm / 0.68in - E: 10.89mm / 0.43in - G: 11.62mm / 0.46in - H: 8.54mm / 0.34in - L: 1.55mm / 0.6in - M: 19.47mm / 0.77in - N: 1mm / 0.04in - P: 4.06mm / 0.16in

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