BDY57

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COMSET
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BDY57 - NPN SILICON TRANSISTORS, DIFFUSED MESA - Comset Semiconductor

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BDY57 数据手册

BDY57 – BDY58 NPN SILICON TRANSISTORS, DIFFUSED MESA LF Large Signal Power Amplification High Current Fast Switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol VCEO VCBO VEBO IC IB PTOT TJ TS Collector-Emitter Voltage Collector-Base Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current Base Current Power Dissipation Junction Temperature Storage Temperature @ TC = 25° Ratings BDY57 BDY58 BDY57 BDY58 BDY57 BDY58 BDY57 BDY58 BDY57 BDY58 BDY57 BDY58 BDY57 BDY58 Value 80 125 120 160 10 25 6 Unit V V V A A Watts 175 -65 to +200 °C THERMAL CHARACTERISTICS Symbol RthJ-C Ratings Thermal Resistance, Junction to Case BDY57 BDY58 Value 1 Unit °C/W COMSET SEMICONDUCTORS 1/3 BDY57 – BDY58 ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25°C unless otherwise noted Symbol VCEO(SUS) VCE(SAT) Ratings Collector-Emitter Breakdown Voltage (*) Collector-Emitter saturation Voltage (*) Test Condition(s) IC=100 mA, IB=0 Min Typ Mx Unit 80 125 0.5 1.4 V BDY57 BDY58 BDY57 BDY58 BDY57 IC=10 A, IB=1.0 A V V(BR)CBO Collector-Base Breakdown Voltage (*) 120 160 - V - IC=5.0mA, IE=0 BDY58 V(BR)EBO Emitter-Base Breakdown Voltage (*) IE=5.0 A, IC=0 BDY57 BDY58 - 0.5 1.4 V ICBO Collector-Base Cutoff Current Collector-Emitter Cutoff Current VCB=120 V IE=0 V VCE=80 V RBE=10 Ω TCASE=100°C V =10 V BDY57 BDY58 BDY57 BDY58 BDY57 BDY58 BDY57 BDY58 BDY57 BDY58 BDY57 BDY58 BDY57 BDY58 BDY57 BDY58 1.0 0.5 0.5 10 mA ICER - - mA IEBO Emitter-Base Cutoff Current I EB V C=0 20 10 10 0.25 15 30 0.5 60 - mA VCE=4 V, IC=10 A h21E Static Forward Current transfer ratio (*) VCE=4 V, IC=20 A VCE=4 V, IC=10 A, TCASE=30°C V fT Transition Frequency VCE=15 V, IC=1.0 A, f=10 MHz MHz t d + tr Turn-on time IC=15 A, IB=1.5 A - 0.25 1 µs COMSET SEMICONDUCTORS 2/3 BDY57 – BDY58 Symbol t s + tf Ratings Turn-off time IC=15 A, IB1=1.5 A, IB2=-1.5 A Test Condition(s) BDY57 BDY58 Min Typ Mx Unit 1 2 µs (*) Pulse Width ≈ 300 µs, Duty Cycle ∠ 2.0% MECHANICAL DATA CASE TO-3 DIMENSIONS A B C D E G H L M N P Pin 1 : Pin 2 : Case : mm inches 25,45 1 38,8 1,52 30,09 1,184 17,11 0,67 9,78 0,38 11,09 0,43 8,33 0,32 1,62 0,06 19,43 0,76 1 0,04 4,08 0,16 Base Emitter Collector COMSET SEMICONDUCTORS 3/3

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BDY57

1. 物料型号： - BDY57和BDY58是两个不同的型号，均由COMSET SEMICONDUCTORS生产。

2. 器件简介： - 这两个型号是用于大信号功率放大和高电流快速开关的半导体器件。

3. 引脚分配： - Pin 1: Base（基极） - Pin 2: Emitter（发射极） - Case: Collector（集电极）

4. 参数特性： - 绝对最大额定值： - 集电极-发射极电压（VCEO）：BDY57为80V，BDY58为125V - 集电极-基极电压（VCBO）：BDY57为120V，BDY58为160V - 发射极-基极电压（VEBO）：BDY57和BDY58均为10V - 集电极电流（Ic）：BDY57和BDY58均为25A - 基极电流（IB）：BDY57和BDY58均为6A - 总功耗（PTOT）：BDY57和BDY58均为175W - 结温（TJ）：BDY57和BDY58均为-65至+200°C - 热特性： - 结到壳的热阻（RthJ-c）：BDY57和BDY58均为1°C/W

5. 功能详解： - 电气特性（TC=25°C除非另有说明）： - 集电极-发射极击穿电压（VCEO(SUS)）：BDY57为80V，BDY58为125V - 集电极-发射极饱和电压（VCE(SAT)）：BDY57和BDY58在Ic=10A, IB=1.0A时，最小值为0.5V，典型值为1.4V - 集电极-基极击穿电压（V(BR)CBO）：BDY57为120V，BDY58为160V - 发射极-基极击穿电压（V(BR)EBO）：BDY57和BDY58均为0.5V至1.4V - 集电极-基极截止电流（IcBO）：BDY57和BDY58在VcB=120V, IE=0V时，最小值为0.5mA，最大值为1.0mA - 集电极-发射极截止电流（ICER）：BDY57和BDY58在VCE=80V, RBE=10Ω, TCASE=100°C时，典型值为10mA - 发射极-基极截止电流（IEBO）：BDY57和BDY58在VEB=10V, Ic=0V时，最小值为0.25mA，最大值为0.5mA - 静态正向电流传输比（h21E）：BDY57和BDY58在VcE=4V, Ic=10A时，最小值为20，典型值为60 - 过渡频率（fT）：BDY57和BDY58在Vc=15V, Ic=1.0A, f=10MHz时，最小值为10MHz，最大值为30MHz - 导通时间（ta+tr）：BDY57和BDY58在Ic=15A, IB=1.5A时，最小值为0.25us，最大值为1us

6. 应用信息： - 该器件适用于需要大信号功率放大和高电流快速开关的应用场合。

7. 封装信息： - 封装类型为TO-3，具体尺寸如下： - A: 25.45mm / 1英寸 - B: 38.8mm / 1.52英寸 - C: 30.09mm / 1.184英寸 - D: 17.11mm / 0.67英寸 - E: 9.78mm / 0.38英寸 - G: 11.09mm / 0.43英寸 - H: 8.33mm / 0.32英寸 - L: 1.62mm / 0.06英寸 - M: 19.43mm / 0.76英寸 - N: 1mm / 0.04英寸 - P: 4.08mm / 0.16英寸

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