BDY58

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COMSET
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BDY58 - NPN SILICON TRANSISTORS, DIFFUSED MESA - Comset Semiconductor

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BDY58 数据手册

BDY57 – BDY58 NPN SILICON TRANSISTORS, DIFFUSED MESA LF Large Signal Power Amplification High Current Fast Switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol VCEO VCBO VEBO IC IB PTOT TJ TS Collector-Emitter Voltage Collector-Base Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current Base Current Power Dissipation Junction Temperature Storage Temperature @ TC = 25° Ratings BDY57 BDY58 BDY57 BDY58 BDY57 BDY58 BDY57 BDY58 BDY57 BDY58 BDY57 BDY58 BDY57 BDY58 Value 80 125 120 160 10 25 6 Unit V V V A A Watts 175 -65 to +200 °C THERMAL CHARACTERISTICS Symbol RthJ-C Ratings Thermal Resistance, Junction to Case BDY57 BDY58 Value 1 Unit °C/W COMSET SEMICONDUCTORS 1/3 BDY57 – BDY58 ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25°C unless otherwise noted Symbol VCEO(SUS) VCE(SAT) Ratings Collector-Emitter Breakdown Voltage (*) Collector-Emitter saturation Voltage (*) Test Condition(s) IC=100 mA, IB=0 Min Typ Mx Unit 80 125 0.5 1.4 V BDY57 BDY58 BDY57 BDY58 BDY57 IC=10 A, IB=1.0 A V V(BR)CBO Collector-Base Breakdown Voltage (*) 120 160 - V - IC=5.0mA, IE=0 BDY58 V(BR)EBO Emitter-Base Breakdown Voltage (*) IE=5.0 A, IC=0 BDY57 BDY58 - 0.5 1.4 V ICBO Collector-Base Cutoff Current Collector-Emitter Cutoff Current VCB=120 V IE=0 V VCE=80 V RBE=10 Ω TCASE=100°C V =10 V BDY57 BDY58 BDY57 BDY58 BDY57 BDY58 BDY57 BDY58 BDY57 BDY58 BDY57 BDY58 BDY57 BDY58 BDY57 BDY58 1.0 0.5 0.5 10 mA ICER - - mA IEBO Emitter-Base Cutoff Current I EB V C=0 20 10 10 0.25 15 30 0.5 60 - mA VCE=4 V, IC=10 A h21E Static Forward Current transfer ratio (*) VCE=4 V, IC=20 A VCE=4 V, IC=10 A, TCASE=30°C V fT Transition Frequency VCE=15 V, IC=1.0 A, f=10 MHz MHz t d + tr Turn-on time IC=15 A, IB=1.5 A - 0.25 1 µs COMSET SEMICONDUCTORS 2/3 BDY57 – BDY58 Symbol t s + tf Ratings Turn-off time IC=15 A, IB1=1.5 A, IB2=-1.5 A Test Condition(s) BDY57 BDY58 Min Typ Mx Unit 1 2 µs (*) Pulse Width ≈ 300 µs, Duty Cycle ∠ 2.0% MECHANICAL DATA CASE TO-3 DIMENSIONS A B C D E G H L M N P Pin 1 : Pin 2 : Case : mm inches 25,45 1 38,8 1,52 30,09 1,184 17,11 0,67 9,78 0,38 11,09 0,43 8,33 0,32 1,62 0,06 19,43 0,76 1 0,04 4,08 0,16 Base Emitter Collector COMSET SEMICONDUCTORS 3/3

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BDY58

### 物料型号 - BDY57 和 BDY58

### 器件简介 - 这两个型号均为大信号功率放大器，适用于高电流快速开关应用。

### 引脚分配 - Pin 1: Base（基极） - Pin 2: Emitter（发射极） - Case: Collector（集电极）

### 参数特性 - 绝对最大额定值： - BDY57的集电极-发射极电压（VCEO）为80V，BDY58为125V。 - 集电极-基极电压（VCBO）BDY57为120V，BDY58为160V。 - 发射极-基极电压（VEBO）两者均为10V。 - 集电极电流（Ic）两者均为25A。 - 基极电流（IB）两者均为6A。 - 总功耗（PTOT）两者均为175W。 - 结温（TJ）两者范围为-65至+200°C。 - 存储温度未给出具体数值。

- 热特性： - 结到外壳的热阻（RthJ-c）两者均为1°C/W。

### 功能详解 - 该器件在25°C下的特性包括： - 集电极-发射极击穿电压（VCEO(SUS)）BDY57为80V，BDY58为125V。 - 集电极-发射极饱和电压（VCE(SAT)）在10A、1.0A基极电流下，BDY57为0.5V，BDY58为1.4V。 - 集电极-基极击穿电压（V(BR)CBO）BDY57为120V，BDY58为160V。 - 发射极-基极击穿电压（V(BR)EBO）两者为0.5V至1.4V。 - 集电极-基极截止电流（IcBO）两者为0.5mA至1.0mA。 - 集电极-发射极截止电流（ICER）两者为10mA。 - 发射极-基极截止电流（IEBO）两者为0.25mA至0.5mA。 - 静态正向电流传输比（h21E）在不同条件下，BDY57和BDY58的值从10至60不等。 - 过渡频率（fT）在1.0A集电极电流下，两者为10MHz至30MHz。 - 导通时间（ta+tr）两者为0.25至1μs。

### 应用信息 - 适用于大信号功率放大和高电流快速开关的应用。

### 封装信息 - 封装类型为TO-3，具体尺寸如下： - A: 25.45mm / 1 inch - B: 38.8mm / 1.52 inches - C: 30.09mm / 1.184 inches - D: 17.11mm / 0.67 inches - E: 9.78mm / 0.38 inches - G: 11.09mm / 0.43 inches - H: 8.33mm / 0.32 inches - L: 1.62mm / 0.06 inches - M: 19.43mm / 0.76 inches - N: 1mm / 0.04 inches - P: 4.08mm / 0.16 inches

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