0
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心
发布
  • 发文章

  • 发资料

  • 发帖

  • 提问

  • 发视频

创作活动
BSS51A

BSS51A

  • 厂商:

    COMSET

  • 封装:

  • 描述:

    BSS51A - SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS - Comset Semiconductor

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
BSS51A 数据手册
NPN BSS50A-51A-52A SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS They are NPN transistors mounted in TO-39 metal package. They are designed for use in industrial switching applications e.g. print hammer, solenoid, relay and lamp driving . PNP complements are the BSS60A – 61A – 62A . Compliance to RoHS. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol VCBO Collector-Base Voltage Ratings BSS50A BSS51A BSS52A BSS50A BSS51A BSS52A BSS50A BSS51A BSS52A BSS50A BSS51A BSS52A BSS50A BSS51A BSS52A BSS50A BSS51A BSS52A @ Tcase= 25° @ Tamb= 25° Value 60 80 90 45 60 80 5 1 Unit V VCER Collector-Emitter Voltage VBE = 0 Emitter-Base Voltage V VEBO V IC IC Collector Current A 2 0.1 5 0.8 200 -65 to +150 A Watts °C °C ICM IB Ptot TJ TStg Junction Temperature Storage Temperature range Base Current THERMAL CHARACTERISTICS Symbol RthJ-c RthJ-amb Ratings Thermal Resistance, Junction-case Thermal Resistance, Junction-ambient COMSET SEMICONDUCTORS Value 35 220 Unit K/ W K/ W 1/3 NPN BSS50A-51A-52A ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25°C unless otherwise noted Symbol ICBO IEB0 Ratings Collector Cutoff Current Test Condition(s) IE= 0 ;VCB= 45V IE= 0 ;VCB= 60V IE= 0 ;VCB= 80V IC= 0 ;VEB=4 V Min - Typ Mx Unit 50 nA Emitter Cutoff Current BSS50A BSS51A BSS52A BSS50A BSS51A BSS52A 800 - 700 1.3 1.3 1.6 2.3 1.6 1.6 1.9 2.2 2.2 - µA VCE(SAT) Collector-Emitter saturation Voltage VBE(SAT) Base-Emitter saturation Voltage IC=500 mA , IB=0.5 mA IC=500 mA , IB=0.5 mA, Tj=200°C IC=1 A, IB=1 mA BSS51A IC=1 A, IB=1 mA , Tj=200°C IC=1 A, IB=4 mA BSS50A IC=1 A, IB=4 mA , Tj=200°C BSS52A IC=500 mA , IB=0.5 mA IC=1 A, IB=1 mA BSS51A IC=1 A, IB=4 mA IC=150 mA , VCE=10 V V hFE DC Current Gain IC=500 mA , VCE=10 V IC=500 mA , VCE=5 V f = 35 MHz ICon=500 mA IB1=-IB2=0.5 mA ICon=1 mA IB1=-IB2=1 mA hfe ton toff ton toff Small Signal Current Gain Switching times Switching times BSS50A BSS52A BSS50A BSS51A BSS52A BSS50A BSS51A BSS52A BSS50A BSS51A BSS52A 2000 - - 10 0.4 1.5 0.4 1.5 - µs µs COMSET SEMICONDUCTORS 2/3 NPN BSS50A-51A-52A MECHANICAL DATA CASE TO-39 DIMENSIONS (mm) min A B D E F G H I L 12.7 5.08 45° typ max 0.49 6.6 8.5 9.4 1.2 0.9 - Pin 1 : Pin 2 : Case : Emitter Base Collector Information furnished is believed to be accurate and reliable. However, CS assumes no responsability for the consequences of use of such information nor for errors that could appear. Data are subject to change without notice. COMSET SEMICONDUCTORS 3/3
BSS51A
1. 物料型号: - BSS50A、BSS51A、BSS52A,这些是NPN型晶体管的型号。

2. 器件简介: - 这些晶体管被封装在TO-39金属封装中,设计用于工业开关应用,例如打印锤、螺线管、继电器和灯驱动。PNP补充型号为BSS60A-61A-62A,符合RoHS标准。

3. 引脚分配: - Pin1: Emitter(发射极) - Pin2: Base(基极) - Case: Collector(集电极)

4. 参数特性: - 绝对最大额定值包括集电极-基极电压(VCBO)、集电极-发射极电压(VCER)、发射极-基极电压(VEBO)、集电极电流(Ic)、基极电流(IB)和总功率耗散(Ptot)。 - 热特性包括结-壳热阻(RthJ-c)和结-环境热阻(RthJ-amb)。

5. 功能详解: - 电性特性包括截止电流(IcBO、IEBO)、饱和电压(VCE(SAT)、VBE(SAT))、直流电流增益(hFE)、小信号电流增益(hfe)、开关时间(ton、toff)。

6. 应用信息: - 这些晶体管适用于工业开关应用,如打印锤、螺线管、继电器和灯驱动。

7. 封装信息: - 封装为TO-39金属封装,提供了详细的尺寸数据,包括A、B、D、E、F、G、H、I和L等尺寸参数。
BSS51A 价格&库存

很抱歉,暂时无法提供与“BSS51A”相匹配的价格&库存,您可以联系我们找货

免费人工找货