BSS60A

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COMSET
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BSS60A - SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS - Comset Semiconductor

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NPN BSS60A-61A-62A SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS They are PNP transistors mounted in TO-39 metal package. They are designed for use in industrial switching applications e.g. print hammer, solenoid, relay and lamp driving . NPN complements are the BSS50A – 51A – 52A . Compliance to RoHS. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol VCBO Collector-Base Voltage Ratings BSS60A BSS61A BSS62A BSS60A BSS61A BSS62A BSS60A BSS61A BSS62A BSS60A BSS61A BSS62A BSS60A BSS61A BSS62A BSS60A BSS61A BSS62A @ Tcase= 25° @ Tamb= 25° Value 60 80 90 45 60 80 5 1 Unit V VCES Collector-Emitter Voltage VBE = 0 Emitter-Base Voltage V VEBO V IC IC Collector Current A 2 0.1 5 0.8 200 -65 to +150 A Watts °C °C ICM IB Ptot TJ TStg Junction Temperature Storage Temperature range Base Current THERMAL CHARACTERISTICS Symbol RthJ-c RthJ-amb Ratings Thermal Resistance, Junction-case Thermal Resistance, Junction-ambient COMSET SEMICONDUCTORS Value 35 220 Unit K/ W K/ W 1/3 NPN BSS60A-61A-62A ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25°C unless otherwise noted Symbol -ICBO -IEB0 Ratings Collector Cutoff Current Test Condition(s) IE= 0 ;-VCB= 45V IE= 0 ;-VCB= 60V IE= 0 ;-VCB= 80V IC= 0 ;-VEB=4 V Min - Typ Mx Unit 50 nA Emitter Cutoff Current BSS60A BSS61A BSS62A BSS60A BSS61A BSS62A 800 - 700 1.3 1.3 1.6 1.6 1.6 1.6 1.9 2.2 2.2 - µA -VCE(SAT) Collector-Emitter saturation Voltage -VBE(SAT) Base-Emitter saturation Voltage -IC=500 mA , -IB=0.5 mA -IC=500 mA , -IB=0.5 mA, Tj=200°C -IC=1 A, -IB=1 mA BSS61A -IC=1 A, -IB=1 mA, Tj=200°C -IC=1 A, -IB=4 mA BSS60A -IC=1 A, -IB=4 mA, Tj=200°C BSS62A -IC=500 mA , -IB=0.5 mA -IC=1 A, -IB=1 mA BSS61A -IC=1 A, -IB=4 mA -IC=150 mA , -VCE=10 V V hFE DC Current Gain -IC=500 mA , -VCE=10 V -IC=500 mA , -VCE=5 V f = 35 MHz -ICon=500 mA -IB1= IB2=0.5 mA -ICon=1 mA -IB1= IB2=1 mA hfe ton toff ton toff Small Signal Current Gain Switching times Switching times BSS60A BSS62A BSS60A BSS61A BSS62A BSS60A BSS61A BSS62A BSS60A BSS61A BSS62A 2000 - - 10 0.4 1.5 0.4 1.5 - µs µs COMSET SEMICONDUCTORS 2/3 NPN BSS60A-61A-62A MECHANICAL DATA CASE TO-39 DIMENSIONS (mm) min A B D E F G H I L 12.7 5.08 45° typ max 0.49 6.6 8.5 9.4 1.2 0.9 - Pin 1 : Pin 2 : Case : Emitter Base Collector Information furnished is believed to be accurate and reliable. However, CS assumes no responsability for the consequences of use of such information nor for errors that could appear. Data are subject to change without notice. COMSET SEMICONDUCTORS 3/3

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BSS60A

1. 物料型号： - 型号：BSS60A、BSS61A、BSS62A

2. 器件简介： - 这些是PNP型晶体管，采用TO-39金属封装。它们设计用于工业开关应用，例如打印锤、螺线管、继电器和灯驱动。对应的NPN型号为BSS50A、BSS51A、BSS52A。符合RoHS标准。

3. 引脚分配： - Pin 1: Emitter（发射极） - Pin 2: Base（基极） - Case: Collector（集电极）

4. 参数特性： - 绝对最大额定值： - VCBO（集电极-基极电压）：BSS60A为60V，BSS61A为80V，BSS62A为90V - VCES（集电极-发射极电压，VBE=0）：BSS60A为45V，BSS61A为60V，BSS62A为80V - VEBO（发射极-基极电压）：均为5V - Ic（集电极电流ICM）：BSS60A为1A，BSS61A为2A，BSS62A为3A - Ib（基极电流）：均为0.1A - Ptot（总功耗）：在Tcase=25°C时为5W，在Tamb=25°C时为0.8W - TJ（结温）：200°C - Tsto（存储温度范围）：-65至+150°C

5. 功能详解和应用信息： - 这些晶体管设计用于工业开关应用，例如打印锤、螺线管、继电器和灯驱动。

6. 封装信息： - 封装类型：TO-39金属封装 - 尺寸数据（单位：mm）： - A（最小）：12.7 - B（最大）：0.49 - D（最大）：6.6 - E（最大）：8.5 - F（最大）：9.4 - G（标称）：5.08 - H（最大）：1.2 - I（最大）：0.9 - L（角度）：45°

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