1. 物料型号：
- CYD01S18V：1 Mbit (64Kx18) 双端口SRAM
- CYD02S18V：2 Mbit (128Kx18) 双端口SRAM
- CYD04S18V：4 Mbit (256Kx18) 双端口SRAM
- CYD09S18V：9 Mbit (512Kx18) 双端口SRAM
2. 器件简介：
- FLEx18™系列包括1-Mbit、2-Mbit、4-Mbit和9-Mbit的双端口静态RAM，它们是高速、低功耗3.3V CMOS产品。两个端口提供，允许独立、同时访问内存中的任何位置。
3. 引脚分配：
- 引脚配置包括地址输入（AoL-A18L/AOR-A18R）、字节使能输入（BEOL-BE1L/BEOR-BE1R）、数据总线输入/输出（DQOL-DQ17L/DQOR-DQ17R）等。
4. 参数特性：
- 真正的双端口存储单元，允许同时访问同一存储位置。
- 同步流水线操作。
- 0.18微米CMOS工艺，优化速度和功耗。
- 3.3V低功耗操作。
- 提供商业和工业温度范围的产品。
- IEEE 1149.1兼容的JTAG边界扫描。
5. 功能详解：
- 每个端口包含一个突发计数器，可以在加载初始地址后内部递增地址。
- 内部写脉冲宽度独立于R/W输入信号的持续时间。
- 提供了读回突发计数器内部地址值、控制计数器环绕的计数器掩码寄存器、计数器中断标志等功能。
6. 应用信息：
- 适用于需要高速、低功耗双端口存储的应用，如高速缓存、实时系统等。
7. 封装信息：
- 所有型号均采用256球FBGA（1mm间距）封装，尺寸为17mm x 17mm。
