1. 物料型号：
- CYD04S72V：64K x 72位双端口SRAM，最大速度167MHz。
- CYD09S72V：128K x 72位双端口SRAM，最大速度167MHz。
- CYD18S72V：256K x 72位双端口SRAM，最大速度133MHz。
2. 器件简介：
- FLEx72系列包括4-Mbit、9-Mbit和18-Mbit的双端口静态RAM，工作电压为3.3V，采用0.18微米CMOS工艺，具有高速、低功耗的特点。两个端口允许独立、同时访问存储器中的任何位置。
3. 引脚分配：
- 484-ball FBGA封装，引脚包括地址输入（AoL-A17L、AoR-A17R）、字节使能输入（BEOL-BE、BEOR-BE7R）、数据总线输入/输出（DQOL-DQ71L、DQOR-DQ71R）等。
4. 参数特性：
- 真正的双端口存储单元，允许同时访问同一存储位置。
- 同步流水线操作，提供快速操作。
- 独立的字节使能，支持消息传递的邮箱功能。
- 支持商业和工业温度范围。
- 支持IEEE 1149.1兼容的JTAG边界扫描。
5. 功能详解：
- 每个端口包含一个突发计数器，可以进行内部地址的自动增量。
- 支持重传功能，允许重复读取内存块而无需重新加载初始地址。
- 支持掩码寄存器，控制计数器的环绕行为。
- 支持JTAG边界扫描，方便集成到系统的边界扫描环境中。
6. 应用信息：
- 适用于需要高速、低功耗双端口存储器的应用，如高速数据处理、信号处理等。
7. 封装信息：
- 采用484-ball FBGA封装，尺寸为23mm x 23mm，引脚间距为1.0mm。
