CYDM256B16

1. 物料型号： - CYDM256B16：16K x 16位双端口静态RAM - CYDM128B16：8K x 16位双端口静态RAM - CYDM064B16：4K x 16位双端口静态RAM

2. 器件简介： 这些是低功耗CMOS技术的双端口静态RAM，具有独立的读写能力，适用于多处理器设计、通信状态缓冲和双口视频/图形内存等应用。

3. 引脚分配： - 100引脚0.5mm间距BGA封装，具体引脚功能包括芯片使能(CE)、读/写使能(R/W)、输出使能(OE)、地址线(A0-A13)、数据线(I/O0-I/O15)、中断标志(INT)、忙标志(BUSY)、信号量标志(SEM)等。

4. 参数特性： - 工作电压：1.8V、2.5V、3.0V - 访问时间：40ns至55ns不等，取决于供电电压和温度范围 - 工作电流：典型值在15μA至49mA之间，具体取决于工作模式和供电电压 - 待机电流：典型值在2μA至7μA之间，具体取决于工作模式和供电电压

5. 功能详解： - 异步操作、自动省电、双端口内存单元、主从模式选择、数据总线可扩展至32位、高速访问、片上仲裁逻辑、超低功耗、信号量功能、输入读取寄存器和输出驱动寄存器、端口间通信中断标志等。

6. 应用信息： - 适用于独立16位双端口静态RAM或多设备组合成32位或更宽的主从双端口静态RAM，应用于处理器间/多处理器设计、通信状态缓冲、双口视频/图形内存等。

7. 封装信息： - 100球0.5mm间距BGA封装，符合RoHS标准。