S6E2HE4E0A、S6E2HE6E0A
S6E2HE4F0A、S6E2HE6F0A
S6E2HE4G0A、S6E2HE6G0A
初版
基于32位ARM® Cortex®-M4F
FM4微控制器
S6E2HE 系列产品是高度集成的 32 位微控制器,具有高性能和低成本优势。此系列微控制器基于 ARM Cortex-M4F 处理器、集成
片上闪存和 SRAM。此外,它还集成电机控制定时器,A/D 转换器和通信接口(UART、CSIO、I2C、LIN)等各种外设。
特性
32 位 ARM Cortex-M4F 内核
外部总线接口
处理器版本:r0p1
支持 SRAM,NOR、NAND 闪存和 SDRAM 器件
工作频率高达 160 MHz
最多支持 9 个片选信号,分别为 CS0 到 CS8(其中 CS8 仅适
用于 SDRAM)
内置 FPU
支持 DSP 指令
8/16 位数据宽度
内存保护单元(MPU):提升嵌入式系统可靠性
最多支持 25 位的地址总线
嵌套向量中断控制器(NVIC):1 个 NMI(不可屏蔽中断)、128
支持地址/数据复用
个外设中断以及 16 个中断优先级
支持外部 RDY 功能
24 位系统定时器(系统节拍定时器):用于操作系统任务调度
支持加扰功能
• 可以使能/禁用 0x6000_0000 到 0xDFFF_FFFF(大小以 4
MB 为单位)的外部存储区加扰功能。
• 能够设置两种加扰密钥
• 注意:必须调用专用的软件库才能实现该功能。
片上存储器
闪存
本系列包括两个独立的集成片上闪存。
主闪存
• 最大 512 KB
• 内置闪存加速系统,自带 16 KB 追踪缓冲存储器
• 可在 72 MHz 的工作频率下对闪存执行读操作,无须等待
周期。通过闪存加速系统,在高于 72 MHz 的工作频率下,
也可以对闪存执行相当的读取操作。
• 代码安全保护功能
工作闪存
• 32 KB
• 读周期:
• 6 个等待周期:工作频率为 120 MHz 以上,最高可达 160
MHz
• 4 个等待周期:工作频率为 72 MHz 以上,最高可达 120
MHz
• 2 个等待周期:工作频率为 40 MHz 以上,最高可达 72
MHz
• 无等待周期:工作频率最高可达 40 MHz
• 为代码保护提供加密功能
多功能串行接口(最多支持 8 个通道)
64 字节的 FIFO(FIFO 深度取决于通信模式或位长度)。
各通道的操作模式如下:
UART
CSIO
LIN
I2 C
UART
全双工双缓冲区
可选择是否支持奇偶校验
内置专用波特率发生器
外部时钟可用作串行时钟
硬件流控制
:通过 CTS/RTS 自动控制传输(仅通道 4)
。
支持多种错误检测(奇偶校验错误、帧错误和溢出错误)
CSIO
SRAM
本系列的 SRAM 由三个独立的 SRAM(SRAM0、SRAM1 和
SRAM2)构成。SRAM0 挂在 Cortex-M4F 内核的 I-code 总线
或 D-code 总线。SRAM1 和 SRAM2 挂在 Cortex-M4F 内核的
系统总线。
SRAM0:最大
32 KB
SRAM1:最大
16 KB
SRAM2:最大
16 KB
赛普拉斯半导体公司
文档编号:002-00219 版本**
全双工双缓冲区
内置专用波特率发生器
支持溢出错误检测
支持串行片选功能(仅通道
6 和 7)
SPI 接口(仅通道 4 和 6)
5 到 16 位数据长度
支持高速
• 198 Champion Court • San Jose, CA 95134-1709 • 408-943-2600
修订日期:2015 年 12 月 8 日
初版
LIN
支持
基础定时器(最多 8 个通道)
各通道的操作模式如下:
LIN 协议 2.1 版本
全双工双缓冲区
16 位 PWM 定时器
支持主设备/从设备模式
生成
LIN break field ( LIN 间隔场)
(长度 13 到 16 位可配
置)
生成
S6E2HE 系列
LIN break delimiter(LIN 间隔符)
(长度 1 到 4 位可配
置)
支持多种错误检测(奇偶校验错误、帧错误和溢出错误)
16/32 位重载定时器
16/32 位 PWC 定时器
事件计数器模式(外部时钟模式)
通用 I/O 端口
I2 C
支持标准模式(最高速度为
16 位 PPG 定时器
100 kbps)/快速模式(最高速
度为 400 kbps)
支持高速模式(Fm+)
(最高速度为
1000 kbps,仅通道 3 =
通道 A 和通道 7 = 通道 B)
本系列的引脚未用作外部总线或外设功能时,可将其作为通用
I/O 端口使用。此外还支持端口重定位功能。该功能将 I/O 端口
指定到可分配的外设。
引脚均可配置上拉功能
DMA 控制器(8 个通道)
可直接读取引脚电平
DMA 控制器拥有独立总线,可与 CPU 同时运行。
支持端口重定位功能
8 个独立配置和运行的通道
120 引脚封装提供多达 100 个高速通用 I/O 端口
可通过软件或内置外设请求触发数据传输
部分 I/O 引脚耐 5 V 输入电压。
传输地址范围:32 位(4 GB)
请参考第 4 章引脚说明和第 5 章 I/O 电路类型以了解相关引脚。
传输模式:块传输/突发传输/请求传输
多功能定时器(最多 3 个单元)
传输数据类型:字节/半字/字
传输块个数:1 到 16
传输次数:1 到 65536
DSTC(描述符系统数据传输控制器)(256 个通道)
DSTC 可高速传输数据而无需 CPU 干预。DSTC 采用描述符
系统,根据存储器中描述符的特定内容要求,直接访问存储器/
外设器件和执行数据传输操作。
支持软件激活、硬件激活和链式激活等功能。
多功能定时器由如下模块构成:
最小时钟精度:6.25 ns
16 位自由运行定时器 × 3 个通道/单元
输入捕获 × 4 个通道/单元
输出比较 × 6 个通道/单元
A/D 触发比较× 6 个通道/单元
波形发生器 × 3 个通道/单元
16 位 PPG 定时器 × 3 个通道/单元
A/D 转换器(最多 24 个通道)
[12 位 A/D 转换器]
通过如下功能,可实现电机控制:
逐次逼近型
PWM 信号输出功能
内置 3 个单元
直流斩波输出功能
转换时间:0.5 μs@5 V
死区控制功能
支持优先转换模式(2 个优先级)
输入捕获功能
扫描转换模式
A/D 转换器触发功能
内置 FIFO 存储转换数据(扫描转换模式:16 级;优先转换模
DTIF(电机紧急停止)中断功能
式:4 级)
D/A 转换器(最多 2 个通道)
R-2R 型
12 位分辨率
文档编号:002-00219 版本**
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初版
S6E2HE 系列
实时时钟(RTC)
SD 卡接口
实时时钟可记录年(从 00 到 99)
、月、日、时、分、秒或星期。
可支持符合如下标准 SD 卡。
支持指定日期和时间(年/月/日/时/分/秒/星期)中断。此功能
Part 1:物理层规范 3.01 版
还支持单独指定的年、月、日、时或分的中断。
中断可在一段时间后或者每间隔一段时间产生。
可保持时间计数的同时重设时间。
自动记录闰年。
Part E1:SDIO 规范 3.00 版
Part A2:SD 主机控制器标准规范 3.00 版
支持 1 位或 4 位数据总线
正交位置/转数计数器(QPRC)(最多 3 个通道)
时钟和复位
[时钟]
正交位置/转数计数器(QPRC)用于测量位置编码器的位置。
此外,也可以使用加减计数器。
5 个动态可选时钟源(两个外部振荡器、两个内部 CR 振荡器
和主 PLL 振荡器)
。
可配置三个外部事件输入引脚(AIN、BIN 和 ZIN)的检测边
主时钟:4 MHz 到 48 MHz
沿。
副时钟:32.768 kHz
16 位位置计数器
内部高速 CR 时钟:4 MHz
16 位转数计数器
内部低速 CR 时钟:100 kHz
2 个 16 位比较寄存器
双定时器(32/16 位递减计数器)
主 PLL 时钟
[复位]
双定时器由两个 32/16 位可编程递减计数器构成。各通道的操
作模式如下:
INITX 引脚复位
自由运行
软件复位
周期(可重载)
看门狗定时器复位
单触发
低电压检测复位
计时计数器
上电复位
时钟监控器复位
计时计数器用于从低功耗模式唤醒器件。可以选择主时钟、副
时钟、内置高速 CR 时钟或内置低速 CR 时钟作为时钟源。
时钟监控器(CSV)
间隔时间:使用 32.768 kHz 副时钟时支持长达 64 s(最大值)
的间隔
如果检测到外部 OSC 时钟故障(时钟停止),将产生复位。
外部中断控制器单元
低电压检测(LVD)
外部中断输入引脚:最多 16 个引脚
本系列对 VCC 电压进行双重监控。当电压低于所设置的电压
时,低电压检测产生中断或复位。
双边沿(上升沿和下降沿)检测
包括一个不可屏蔽中断(NMI)
看门狗定时器(2 个通道)
内部 CR 振荡器时钟被用于监控外部时钟的异常状态。
如果检测到外部 OSC 频率不正常,将产生中断或复位。
LVD1:错误报告中断
LVD2:自动复位
达到超时值,看门狗定时器可产生中断或引起复位。
低功耗模式
本系列有两个看门狗定时器:一个“硬件”看门狗,一个“软
件”看门狗。
睡眠模式
支持 6 种低功耗模式。
硬件看门狗定时器由低速内部 CR 振荡器提供时钟。因此,硬
件看门狗定时器能在停止模式除外的所有低功耗模式下运行。
定时器模式
CRC(循环冗余校验)加速器
停止模式
CRC 加速器用于验证数据传输或存储的完整性。
深度待机 RTC 模式(可选择是否保持 RAM)
支持 CCITT CRC16 和 IEEE-802.3 CRC32。
CCITT CRC16 生成多项式:0x1021
RTC 模式
深度待机停止模式(可选择是否保持 RAM)
IEEE-802.3 CRC32 生成多项式:0x04C11DB7
文档编号:002-00219 版本**
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初版
S6E2HE 系列
VBAT
串行线 J-TAG 调试端口(SWJ-DP)
RTC 操作期间,通过使用独立用于 RTC(记录电路)/32kHz
振荡电路的电源,可降低功耗。此时,以下电路可继续工作:
嵌入式追踪宏单元(ETM)支持全面高效的调试和追踪操作。
RTC
唯一 ID
32 kHz 振荡电路
上电电路
备用寄存器:32 字节
端口电路
器件的唯一 ID 号(41 位)
。
电源
两种电源
宽电压范围: VCC
= 2.7 V 到
VBAT 电源:
= 2.7 V 到
5.5 V
VBAT
5.5 V
调试
文档编号:002-00219 版本**
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初版
S6E2HE 系列
目录
1.
产品系列 ........................................................................................................................................................................... 7
2.
封装 .................................................................................................................................................................................. 8
3.
引脚分配 ........................................................................................................................................................................... 9
4.
引脚说明 ......................................................................................................................................................................... 13
5.
I/O 电路类型 ................................................................................................................................................................... 45
6.
处理注意事项.................................................................................................................................................................. 52
6.1
产品设计注意事项 ........................................................................................................................................................ 52
6.2
封装安装注意事项 ........................................................................................................................................................ 53
6.3
使用环境注意事项 ........................................................................................................................................................ 55
7.
器件注意事项.................................................................................................................................................................. 56
8.
框图 ................................................................................................................................................................................ 59
9.
存储器大小 ..................................................................................................................................................................... 60
10. 存储空间分配.................................................................................................................................................................. 60
11. 各 CPU 模式下的引脚状态 ............................................................................................................................................. 63
12. 电气特性 ......................................................................................................................................................................... 70
12.1 最大绝对额定值 ........................................................................................................................................................... 70
12.2 推荐工作条件 ............................................................................................................................................................... 72
12.3 直流特性 ...................................................................................................................................................................... 75
12.3.1 电流额定值 ................................................................................................................................................................... 75
12.3.2 引脚特性 ....................................................................................................................................................................... 85
12.4 交流电特性 .................................................................................................................................................................. 87
12.4.1 主时钟输入特性 ............................................................................................................................................................ 87
12.4.2 副时钟输入特性 ............................................................................................................................................................ 88
12.4.3 内置 CR 振荡特性......................................................................................................................................................... 88
12.4.4 主 PLL 模式(主时钟作为 PLL 输入时钟) ................................................................................................................... 89
12.4.5 主 PLL 模式(内置高速 CR 时钟作为主 PLL 输入时钟) ............................................................................................. 89
12.4.6 复位输入特性................................................................................................................................................................ 89
12.4.7 上电复位时序................................................................................................................................................................ 90
12.4.8 GPIO 输出特性 ............................................................................................................................................................. 91
12.4.9 外部总线时序................................................................................................................................................................ 92
12.4.10 基础定时器输入时序 ............................................................................................................................................... 105
12.4.11 CSIO 时序 ............................................................................................................................................................... 106
12.4.12 外部输入时序 .......................................................................................................................................................... 139
12.4.13 正交位置/转数计数器时序 ....................................................................................................................................... 140
12.4.14 I2C 时序................................................................................................................................................................... 142
12.4.15 SD 卡接口时序 ........................................................................................................................................................ 144
12.4.16 ETM 时序 ................................................................................................................................................................ 146
12.4.17 JTAG 时序 ............................................................................................................................................................. 147
12.5 12 位 A/D 转换器 ....................................................................................................................................................... 148
12.6 12 位 D/A 转换器 ....................................................................................................................................................... 151
12.7 低电压检测特性 ......................................................................................................................................................... 152
12.7.1 低电压检测复位 .......................................................................................................................................................... 152
12.7.2 低电压检测中断 .......................................................................................................................................................... 152
12.8 主闪存写入/擦除特性 ................................................................................................................................................. 153
12.9 工作闪存存储器写入/擦除特性 ................................................................................................................................... 153
文档编号:002-00219 版本**
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初版
S6E2HE 系列
12.10 低功耗模式唤醒时间 .................................................................................................................................................. 154
12.10.1 唤醒因素:中断/WKUP ........................................................................................................................................... 154
12.10.2 唤醒因素:复位 ...................................................................................................................................................... 156
13. 订购信息 ....................................................................................................................................................................... 158
14. 封装尺寸 ....................................................................................................................................................................... 159
文档修订记录 ........................................................................................................................................................................ 163
销售,解决方案和法律信息 .................................................................................................................................................. 164
文档编号:002-00219 版本**
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初版
S6E2HE 系列
产品系列
1.
存储器大小
产品名称
主闪存
工作闪存
片上 SRAM
SRAM0
SRAM1
SRAM2
S6E2HE4E0A
S6E2HE4F0A
S6E2HE4G0A
256 KB
32 KB
32 KB
16 KB
8 KB
8 KB
S6E2HE6E0A
S6E2HE6F0A
S6E2HE6G0A
512 KB
32 KB
64 KB
32 KB
16 KB
16 KB
功能
产品名称
引脚数量
CPU
频率
电压范围
DMAC
DSTC
外部总线接口
多功能定时器
多功能串行接口
(UART/CSIO/LIN/I2C)
基础定时器
(PWC/重载定时器/PWM/PPG)
A/D 触发比较
6 个通道
输入捕获
4 个通道
自由运行定时器
3 个通道
输出比较
6 个通道
波形发生器
3 个通道
PPG
3 个通道
SD 卡接口
QPRC
双定时器
实时时钟
计时计数器
CRC 加速器
看门狗定时器
外部中断
I/O 端口
文档编号:002-00219 版本**
S6E2HE4E0A
S6E2HE4F0A
S6E2HE4G0A
S6E2HE6E0A
S6E2HE6F0A
S6E2HE6G0A
80
100
120/121
Cortex-M4F、MPU、NVIC 128 个通道
160 MHz
2.7 V 到 5.5 V
8 个通道
256 个通道
地址:25 位(最多)
,
地址:25 位(最多)
,
地址:19 位(最多)
,
R/W 数据:8/16 位
R/W 数据:8/16 位
R/W 数据:8 位
(最多)
,
(最多)
,
(最多)
,
CS:9(最多)
,
CS:9(最多)
,
CS:5(最多)
,
SRAM,
SRAM,
SRAM,
NOR 闪存,
NOR 闪存,
NOR 闪存
NAND 闪存,
SDRAM
SDRAM
8 个通道 (最多)
8 个通道 (最多)
3 个单元(最多)
1 个单元
3 个通道 (最多)
1 个单元
1 个单元
1 个单元
支持
1 个软件看门狗+ 1 个硬件看门狗
16 引脚(最多) + NMI × 1
63 个引脚(最多)
80 个引脚(最多)
100 个引脚(最多)
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初版
12 位 A/D 转换器
S6E2HE 系列
16 个通道
(3 个单元)
12 位 D/A 转换器
CSV(时钟监控)
LVD(低电压检测)
高速
内置 CR
低速
调试功能
唯一 ID
24 个通道(3 个单元)
2 个单元(最多)
支持
2 个通道
4 MHz(±2%)
100 kHz(典型值)
SWJ-DP/ETM
支持
注意:
−
由于封装引脚数量限制,不能对每种产品中外设功能的所有信号进行分配,需要根据所需功能来使用 I/O 端口的重定位功能。
−
2.
请参考第 12.4.3 节内置 CR 振荡特性,了解内置 CR 的精度。
封装
产品名称封装
LQFP:LQH080(间距为 0.5 mm)
LQFP:LQI100(间距为 0.5 mm)
LQFP:LQM120(间距为 0.5 mm)
BGA:FDI121(间距为 0.5 mm)
:支持
S6E2HE4E0A
S6E2HE6E0A
-
S6E2HE4F0A
S6E2HE6F0A
-
S6E2HE4G0A
S6E2HE6G0A
注意:
−
请参见第 14 章封装尺寸,了解详细信息。
文档编号:002-00219 版本**
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初版
3.
S6E2HE 系列
引脚分配
LQH080
VSS
P81/IC20_0/AIN2_1
P80/IC21_0/BIN2_1
VCC
P60/SCK5_0/FRCK2_0/TIOA2_2/NMIX/WKUP0/MRDY_1
P61/SOT5_0/IGTRG0_1/TIOB2_2/ZIN2_1/RTCCO_0/SUBOUT_0
P62/ADTG_3/SIN5_0/TX0_2/IC22_0/INT04_1/S_WP_0/MOEX_1
P63/SIN5_1/RX0_2/IC23_0/INT03_0/S_CD_0/MWEX_1/CROUT_1
P00/TRSTX/MCSX7_1
P01/TCK/SWCLK
P02/TDI/MCSX6_1
P03/TMS/SWDIO
P04/TDO/SWO
P09/AN19/SOT1_0/IC23_1/TIOA3_2/S_DATA2_0/MCSX5_1/TRACED0
P0A/MD2/SIN1_0/FRCK1_0/INT12_2/S_DATA3_0/MCSX1_1
P0B/SIN6_1/IC10_0/TIOB6_1/INT00_1/S_DATA0_0/MCSX0_1
P0C/SOT6_1/IC11_0/TIOA6_1/S_DATA1_0/MALE_1
P0D/SCK6_1/IC12_0/TIOA5_2/S_CMD_0/MDQM0_1
P0E/SCS6_1/IC13_0/TIOB5_2/S_CLK_0/MDQM1_1
VCC
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
(顶视图)
VCC
1
60
VSS
P50/CTS4_0/RTO10_0/AIN0_2/INT00_0/MADATA00_1
2
59
P21/AN17/SIN0_0/RTO24_0/BIN1_1/INT06_1/MAD23_1
P51/RTS4_0/RTO11_0/BIN0_2/INT01_0/MADATA01_1
3
58
P22/AN16/SOT0_0/RTO23_0/TIOB7_1/ZIN1_1/CROUT_0
P52/SCK4_0/RTO12_0/ZIN0_2/MADATA02_1
4
57
P23/AN15/SCK0_0/RTO00_1/TIOA7_1/MAD22_1
P53/SOT4_0/RTO13_0/TIOA1_2/MADATA03_1
5
56
P1B/AN11/SCK4_1/IC02_1/MAD18_1
P54/SIN4_0/RTO14_0/TIOB1_2/INT02_0/MADATA04_1
6
55
P1A/AN10/SOT4_1/IC01_1/MAD17_1
P55/ADTG_1/SIN6_0/RTO15_0/INT07_2/MADATA05_1
7
54
P19/AN09/SIN4_1/IC00_1/INT05_1/MAD16_1
P56/SOT6_0/DTTI1X_0/INT08_2/MADATA06_1
8
53
P18/AN08/SCK2_2/DTTI2X_0/MAD15_1
P30/RTS4_2/RTO25_1/TIOB0_1/INT15_2/WKUP1/MADATA07_1
9
52
AVRH
P31/SIN3_1/DTTI2X_1/TIOB1_1/INT09_2/MADATA08_1
10
51
AVRL
P32/SOT3_1/TIOB2_1/INT10_1/MADATA09_1
11
50
AVSS
P33/ADTG_6/SCK3_1/TIOB3_1/INT04_0/MADATA10_1
12
49
AVCC
P39/ADTG_2/DTTI0X_0/MCLK_1/RTCCO_2/SUBOUT_2
13
48
P17/AN07/SOT2_2/RTO20_0/AIN2_2/WKUP3/MAD14_1
LQFP - 80
37
38
39
40
/MD0
PE2/X0
PE3/X1
VSS
34
P4D/SOT7_1/TIOB3_0/BIN1_2/INT13_2/MAD05_1
36
33
P4C/SCK7_1/TIOB2_0/AIN1_2/MAD04_1
PE0/MD1
32
P4B/SCS7_1/IGTRG0_0/TIOB1_0/MAD03_1
35
31
VCC
P4E/SIN7_1/FRCK1_1/TIOB4_0/ZIN1_2/INT11_1/WKUP2/MAD06_1
30
P10/AN00/SIN1_1/RX1_2/FRCK0_2/INT02_1/MAD07_1
VSS
41
29
20
C
P11/AN01/SOT1_1/TX1_2/IC00_2/MAD08_1
VSS
28
42
VBAT
19
27
P12/AN02/SCK1_1/IC01_2/MAD09_1/RTCCO_1/SUBOUT_1
P3F/RTO05_0/TIOA5_1/MAD02_1
P49/VWAKEUP
43
26
18
P48/VREGCTL
P13/AN03/SIN0_1/IC02_2/INT03_1/MAD10_1
P3E/RTO04_0/TIOA4_1/MAD01_1
25
44
P47/X1A
17
24
P14/AN04/SOT0_1/IC03_2/MAD11_1
P3D/RTO03_0/TIOA3_1/MAD00_1
P46/X0A
45
23
16
/INITX
P15/AN05/SCK0_1/RTO22_0/ZIN2_2/MAD12_1
P3C/RTO02_0/TIOA2_1/ZIN0_0/MCASX_1
22
P16/AN06/SIN2_2/RTO21_0/BIN2_2/INT14_1/MAD13_1
46
21
47
15
P44/DA0/RTO14_1/TIOA4_0
14
P45/DA1/RTO15_1/TIOB0_0
P3A/RTO00_0/TIOA0_1/AIN0_0/MCKE_1
P3B/RTO01_0/TIOA1_1/BIN0_0/MRASX_1
注意:
−
引脚名称(如 XXX_1 和 XXX_2)中下划线(“_”)后面的数字代表重定位端口号。此类功能引脚,可由多个物理引脚映射,
提供同一通道的同一功能。使用扩展端口功能寄存器(EPFR)选择引脚。
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初版
S6E2HE 系列
LQI100
VSS
P81/IC20_0/AIN2_1
P80/IC21_0/BIN2_1
VCC
P60/SCK5_0/FRCK2_0/TIOA2_2/NMIX/WKUP0/MRDY_1
P61/SOT5_0/IGTRG0_1/TIOB2_2/ZIN2_1/RTCCO_0/SUBOUT_0
P62/ADTG_3/SIN5_0/TX0_2/IC22_0/INT04_1/S_WP_0/MOEX_1
P63/SIN5_1/RX0_2/IC23_0/INT03_0/S_CD_0/MWEX_1/CROUT_1
VSS
P00/TRSTX/MCSX7_1
P01/TCK/SWCLK
P02/TDI/MCSX6_1
P03/TMS/SWDIO
P04/TDO/SWO
P05/AN23/ADTG_0/SIN7_0/FRCK2_1/INT01_1/MCSX2_1/TRACECLK
P06/AN22/SOT7_0/IC20_1/TIOB0_2/MCSX3_1/TRACED3
P07/AN21/SCK7_0/IC21_1/TIOA0_2/MCLKOUT_1/TRACED2
P08/AN20/SCK1_0/IC22_1/TIOB3_2/MCSX4_1/TRACED1
P09/AN19/SOT1_0/IC23_1/TIOA3_2/S_DATA2_0/MCSX5_1/TRACED0
P0A/MD2/SIN1_0/FRCK1_0/INT12_2/S_DATA3_0/MCSX1_1
P0B/SIN6_1/IC10_0/TIOB6_1/INT00_1/S_DATA0_0/MCSX0_1
P0C/SOT6_1/IC11_0/TIOA6_1/S_DATA1_0/MALE_1
P0D/SCK6_1/IC12_0/TIOA5_2/S_CMD_0/MDQM0_1
P0E/SCS6_1/IC13_0/TIOB5_2/S_CLK_0/MDQM1_1
VCC
100
99
98
97
96
95
94
93
92
91
90
89
88
87
86
85
84
83
82
81
80
79
78
77
76
(顶视图)
VCC
1
75
VSS
P50/CTS4_0/RTO10_0/AIN0_2/INT00_0/MADATA00_1
2
74
P20/AN18/RTO25_0/AIN1_1/INT05_0/MAD24_1
P51/RTS4_0/RTO11_0/BIN0_2/INT01_0/MADATA01_1
3
73
P21/AN17/SIN0_0/RTO24_0/BIN1_1/INT06_1/MAD23_1
P52/SCK4_0/RTO12_0/ZIN0_2/MADATA02_1
4
72
P22/AN16/SOT0_0/RTO23_0/TIOB7_1/ZIN1_1/CROUT_0
P53/SOT4_0/RTO13_0/TIOA1_2/MADATA03_1
5
71
P23/AN15/SCK0_0/RTO00_1/TIOA7_1/MAD22_1
P54/SIN4_0/RTO14_0/TIOB1_2/INT02_0/MADATA04_1
6
70
P1E/AN14/ADTG_5/FRCK0_1/MAD21_1
P55/ADTG_1/SIN6_0/RTO15_0/INT07_2/MADATA05_1
7
69
P1D/AN13/RTS4_1/DTTI0X_1/MAD20_1
P56/SOT6_0/DTTI1X_0/INT08_2/MADATA06_1
8
68
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P30/RTS4_2/RTO25_1/TIOB0_1/INT15_2/WKUP1/MADATA07_1
9
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P1B/AN11/SCK4_1/IC02_1/MAD18_1
P31/SIN3_1/DTTI2X_1/TIOB1_1/INT09_2/MADATA08_1
10
66
P1A/AN10/SOT4_1/IC01_1/MAD17_1
P32/SOT3_1/TIOB2_1/INT10_1/MADATA09_1
11
65
P19/AN09/SIN4_1/IC00_1/INT05_1/MAD16_1
P33/ADTG_6/SCK3_1/TIOB3_1/INT04_0/MADATA10_1
12
64
P18/AN08/SCK2_2/DTTI2X_0/MAD15_1
P34/TX0_1/FRCK0_0/TIOB4_1/MADATA11_1
13
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AVRH
P35/RX0_1/IC03_0/TIOB5_1/INT08_1/MADATA12_1
14
62
AVRL
P36/SIN5_2/IC02_0/INT09_1/MADATA13_1
15
61
AVSS
P37/SOT5_2/IC01_0/INT05_2/MADATA14_1
16
60
AVCC
P38/SCK5_2/IC00_0/INT06_2/MADATA15_1
17
59
P17/AN07/SOT2_2/RTO20_0/AIN2_2/WKUP3/MAD14_1
P39/ADTG_2/DTTI0X_0/MCLK_1/RTCCO_2/SUBOUT_2
18
58
P16/AN06/SIN2_2/RTO21_0/BIN2_2/INT14_1/MAD13_1
P3A/RTO00_0/TIOA0_1/AIN0_0/MCKE_1
19
57
P15/AN05/SCK0_1/RTO22_0/ZIN2_2/MAD12_1
P3B/RTO01_0/TIOA1_1/BIN0_0/MRASX_1
20
56
P14/AN04/SOT0_1/IC03_2/MAD11_1
P3C/RTO02_0/TIOA2_1/ZIN0_0/MCASX_1
21
55
P13/AN03/SIN0_1/IC02_2/INT03_1/MAD10_1
P3D/RTO03_0/TIOA3_1/MAD00_1
22
54
P12/AN02/SCK1_1/IC01_2/MAD09_1/RTCCO_1/SUBOUT_1
P3E/RTO04_0/TIOA4_1/MAD01_1
23
53
P11/AN01/SOT1_1/TX1_2/IC00_2/MAD08_1
P3F/RTO05_0/TIOA5_1/MAD02_1
24
52
P10/AN00/SIN1_1/RX1_2/FRCK0_2/INT02_1/MAD07_1
VSS
25
51
VCC
37
38
39
40
41
42
43
44
P49/VWAKEUP
VBAT
C
VSS
VCC
P4B/SCS7_1/IGTRG0_0/TIOB1_0/MAD03_1
P4C/SCK7_1/TIOB2_0/AIN1_2/MAD04_1
P4D/SOT7_1/TIOB3_0/BIN1_2/INT13_2/MAD05_1
50
36
P48/VREGCTL
VSS
35
P47/X1A
49
34
P46/X0A
PE3/X1
33
/INITX
48
32
P45/DA1/RTO15_1/TIOB0_0
PE2/X0
31
P44/DA0/RTO14_1/TIOA4_0
47
30
P43/ADTG_7/RTO13_1/TIOA3_0/ZIN2_0/MCSX8_1
/MD0
29
P42/RTO12_1/TIOA2_0/BIN2_0/MDWEX_1
46
28
P41/RTO11_1/TIOA1_0/AIN2_0/INT13_1
PE0/MD1
27
P4E/SIN7_1/FRCK1_1/TIOB4_0/ZIN1_2/INT11_1/WKUP2/MAD06_1
45
26
VCC
P40/RTO10_1/TIOA0_0/INT12_1
LQFP - 100
注意:
−
引脚名称(如 XXX_1 和 XXX_2)中下划线(“_”)后面的数字代表重定位端口号。此类功能引脚,可由多个物理引脚映射,
提供同一通道的同一功能。使用扩展端口功能寄存器(EPFR)选择引脚。
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S6E2HE 系列
LQM120
VSS
P81/IC20_0/AIN2_1
P80/IC21_0/BIN2_1
VCC
P60/SCK5_0/FRCK2_0/TIOA2_2/NMIX/WKUP0/MRDY_0
P61/SOT5_0/IGTRG0_1/TIOB2_2/ZIN2_1/RTCCO_0/SUBOUT_0
P62/ADTG_3/SIN5_0/TX0_2/IC22_0/INT04_1/S_WP_0/MOEX_0
P63/SIN5_1/RX0_2/IC23_0/INT03_0/S_CD_0/MWEX_0/CROUT_1
P64/SOT5_1/TIOA7_0/INT10_2
P65/SCK5_1/TIOB7_0
P66/ADTG_8/SIN3_0/INT11_2
P67/SOT3_0/TIOA7_2
P68/SCK3_0/TIOB7_2/INT00_2
VSS
P00/TRSTX/MCSX7_0
P01/TCK/SWCLK
P02/TDI/MCSX6_0
P03/TMS/SWDIO
P04/TDO/SWO
P05/AN23/ADTG_0/SIN7_0/FRCK2_1/INT01_1/MCSX2_0/TRACECLK
P06/AN22/SOT7_0/IC20_1/TIOB0_2/MCSX3_0/TRACED3
P07/AN21/SCK7_0/IC21_1/TIOA0_2/MCLKOUT_0/TRACED2
P08/AN20/SCK1_0/IC22_1/TIOB3_2/MCSX4_0/TRACED1
P09/AN19/SOT1_0/IC23_1/TIOA3_2/S_DATA2_0/MCSX5_0/TRACED0
P0A/MD2/SIN1_0/FRCK1_0/INT12_2/S_DATA3_0/MCSX1_0
P0B/SIN6_1/IC10_0/TIOB6_1/INT00_1/S_DATA0_0/MCSX0_0
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P0E/SCS6_1/IC13_0/TIOB5_2/S_CLK_0/MDQM1_0
VCC
120
119
118
117
116
115
114
113
112
111
110
109
108
107
106
105
104
103
102
101
100
99
98
97
96
95
94
93
92
91
(顶视图)
VCC
1
90
VSS
P50/CTS4_0/RTO10_0/AIN0_2/INT00_0/MADATA00_0
2
89
P20/AN18/RTO25_0/AIN1_1/INT05_0/MAD24_0
P51/RTS4_0/RTO11_0/BIN0_2/INT01_0/MADATA01_0
3
88
P21/AN17/SIN0_0/RTO24_0/BIN1_1/INT06_1/MAD23_0
P52/SCK4_0/RTO12_0/ZIN0_2/MADATA02_0
4
87
P22/AN16/SOT0_0/RTO23_0/TIOB7_1/ZIN1_1/CROUT_0
P53/SOT4_0/RTO13_0/TIOA1_2/MADATA03_0
5
86
P23/AN15/SCK0_0/RTO00_1/TIOA7_1/MAD22_0
P54/SIN4_0/RTO14_0/TIOB1_2/INT02_0/MADATA04_0
6
85
P24/SIN2_1/RX1_0/RTO01_1/INT01_2
P55/ADTG_1/SIN6_0/RTO15_0/INT07_2/MADATA05_0
7
84
P25/SOT2_1/TX1_0/RTO02_1/TIOA5_0
P56/SOT6_0/DTTI1X_0/INT08_2/MADATA06_0
8
83
P26/SCK2_1/RTO03_1/TIOB5_0
P57/SCK6_0/RTO20_1/MADATA07_0
9
82
P27/RTO04_1/TIOA6_2/INT02_2
P58/SIN4_2/RTO21_1/AIN1_0/INT04_2/MADATA08_0
10
81
P1F/ADTG_4/RTO05_1/TIOB6_2
P59/SOT4_2/RX1_1/RTO22_1/BIN1_0/INT07_1/MADATA09_0
11
80
P1E/AN14/ADTG_5/FRCK0_1/MAD21_0
P5A/SCK4_2/TX1_1/RTO23_1/ZIN1_0/MADATA10_0
12
79
P1D/AN13/RTS4_1/DTTI0X_1/MAD20_0
P5B/CTS4_2/RTO24_1/MADATA11_0
13
78
P1C/AN12/CTS4_1/IC03_1/MAD19_0
P30/RTS4_2/RTO25_1/TIOB0_1/INT15_2/WKUP1/MADATA12_0
14
77
P1B/AN11/SCK4_1/IC02_1/MAD18_0
P31/SIN3_1/DTTI2X_1/TIOB1_1/INT09_2/MADATA13_0
15
76
P1A/AN10/SOT4_1/IC01_1/MAD17_0
P32/SOT3_1/TIOB2_1/INT10_1/MADATA14_0
16
75
P19/AN09/SIN4_1/IC00_1/INT05_1/MAD16_0
P33/ADTG_6/SCK3_1/TIOB3_1/INT04_0/MADATA15_0
17
74
P18/AN08/SCK2_2/DTTI2X_0/MAD15_0
LQFP - 120
P34/TX0_1/FRCK0_0/TIOB4_1/MNALE_0
18
73
AVRH
P35/RX0_1/IC03_0/TIOB5_1/INT08_1/MNCLE_0
19
72
AVRL
P36/SIN5_2/IC02_0/INT09_1/MNWEX_0
20
71
AVSS
P37/SOT5_2/IC01_0/INT05_2/MNREX_0
21
70
AVCC
P38/SCK5_2/IC00_0/INT06_2
22
69
P17/AN07/SOT2_2/RTO20_0/AIN2_2/WKUP3/MAD14_0
P39/ADTG_2/DTTI0X_0/MCLK_0/RTCCO_2/SUBOUT_2
23
68
P16/AN06/SIN2_2/RTO21_0/BIN2_2/INT14_1/MAD13_0
48
49
50
51
52
53
54
55
56
P4C/SCK7_1/TIOB2_0/AIN1_2/MAD04_0
P4D/SOT7_1/TIOB3_0/BIN1_2/INT13_2/MAD05_0
P4E/SIN7_1/FRCK1_1/TIOB4_0/ZIN1_2/INT11_1/WKUP2/MAD06_0
P70/TX0_0/IC13_1/TIOA4_2/AIN0_1
P71/RX0_0/IC12_1/TIOB4_2/BIN0_1/INT15_1
P72/SIN2_0/IC11_1/TIOA6_0/ZIN0_1/INT14_2
P73/SOT2_0/IC10_1/TIOB6_0/INT03_2
P74/SCK2_0/DTTI1X_1
PE0/MD1
60
47
VSS
46
VCC
P4B/SCS7_1/IGTRG0_0/TIOB1_0/MAD03_0
59
45
VSS
PE3/X1
44
C
58
43
VBAT
57
42
P49/VWAKEUP
/MD0
41
P48/VREGCTL
PE2/X0
40
VCC
39
VCC
P47/X1A
61
P46/X0A
30
38
P10/AN00/SIN1_1/RX1_2/FRCK0_2/INT02_1/MAD07_0
VSS
/INITX
62
37
29
36
P11/AN01/SOT1_1/TX1_2/IC00_2/MAD08_0
P3F/RTO05_0/TIOA5_1/MAD02_0
P45/DA1/RTO15_1/TIOB0_0
P12/AN02/SCK1_1/IC01_2/MAD09_0/RTCCO_1/SUBOUT_1
63
35
64
28
P44/DA0/RTO14_1/TIOA4_0
27
P3E/RTO04_0/TIOA4_1/MAD01_0
P43/ADTG_7/RTO13_1/TIOA3_0/ZIN2_0/MCSX8_0
P13/AN03/SIN0_1/IC02_2/INT03_1/MAD10_0
P3D/RTO03_0/TIOA3_1/MAD00_0
34
65
P42/RTO12_1/TIOA2_0/BIN2_0/MDWEX_0
26
33
P14/AN04/SOT0_1/IC03_2/MAD11_0
P3C/RTO02_0/TIOA2_1/ZIN0_0/MCASX_0
32
P15/AN05/SCK0_1/RTO22_0/ZIN2_2/MAD12_0
66
31
67
25
P40/RTO10_1/TIOA0_0/INT12_1
24
P41/RTO11_1/TIOA1_0/AIN2_0/INT13_1
P3A/RTO00_0/TIOA0_1/AIN0_0/MCKE_0
P3B/RTO01_0/TIOA1_1/BIN0_0/MRASX_0
注意:
−
引脚名称(如 XXX_1 和 XXX_2)中下划线(“_”)后面的数字代表重定位端口号。此类功能引脚,可由多个物理引脚映射,
提供同一通道的同一功能。使用扩展端口功能寄存器(EPFR)选择引脚。
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初版
S6E2HE 系列
FDI121
(顶视图)
1
2
3
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5
6
7
8
9
10
11
A
VSS
P81
P80
VCC
TRSTX
VSS
P06
P0A
P0D
VCC
VSS
B
VCC
P60
P61
P63
TCK
TDO
P07
P0B
P0E
P24
P20
C
P50
P51
P62
P64
TDI
TMS
P08
P0C
P25
P22
P21
D
P52
P53
P54
P65
P66
P05
P09
P26
P1E
P1D
P23
E
P30
P55
P56
P57
P67
P68
P27
P1C
P1B
P1A
P19
F
P34
P33
P32
P31
P58
P59
P1F
P18
P17
P16
AVRH
G
P35
P36
P37
P38
P5A
P5B
P72
P15
P14
P13
AVRL
H
P39
P3A
P3B
P3C
P43
P70
P71
P73
P12
P11
AVSS
J
P3D
P3E
P41
P45
P42
P4B
P4C
P4D
P74
P10
AVCC
K
VCC
P3F
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X1A
P48
P49
VCC
P4E
MD0
VSS
VCC
L
VSS
P40
INITX
X0A
VBAT
C
VSS
MD1
X0
X1
VSS
注意:
−
引脚名称(如 XXX_1 和 XXX_2)中下划线(“_”)后面的数字代表重定位端口号。此类功能引脚,可由多个物理引脚映射,
提供同一通道的同一功能。使用扩展端口功能寄存器(EPFR)选择引脚。
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S6E2HE 系列
引脚说明
4.
引脚编号
引脚名称(如 XXX_1 和 XXX_2)中下划线(“_”)后面的数字代表重定位端口号。此类功能引脚,可由多个物理引脚映射,提
供同一通道的同一功能。使用扩展端口功能寄存器(EPFR)选择引脚。
引脚编号
引脚名称
LQFP120 LQFP100 LQFP80 BGA121
1
1
1
B1
2
3
2
3
2
3
C1
C2
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类型
-
-
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6
6
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(PPG14_0)
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MADATA04_0
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页 13/164
初版
引脚编号
引脚名称
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7
7
S6E2HE 系列
7
BGA121
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8
8
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-
E4
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-
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-
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类型
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E
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E
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-
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-
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P5B
CTS4_2
MADATA11_0
RTO24_1
页 14/164
初版
引脚编号
S6E2HE 系列
引脚名称
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E1
9
9
-
-
14
E1
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10
F4
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16
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18
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19
-
-
11
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-
-
12
12
-
-
13
-
-
-
14
-
-
-
文档编号:002-00219 版本**
F4
F3
F3
F2
F2
F1
P30
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G1
G1
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类型
E
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K
N
K
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I
E
K
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初版
引脚编号
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20
21
21
22
LQFP100
引脚名称
LQFP80
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-
-
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-
-
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-
-
23
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G2
G2
G3
G3
G4
-
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H1
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-
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H3
-
26
21
16
-
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S6E2HE 系列
H4
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类型
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E
K
E
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G
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G
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G
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初版
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-
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-
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S6E2HE 系列
-
-
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类型
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-
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G
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引脚编号
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L5
L6
L7
K7
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J6
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J7
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文档编号:002-00219 版本**
S6E2HE 系列
34
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引脚状态
类型
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J
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T
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U
O
U
-
-
E
I
N
I
N
K
I
Q
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初版
引脚编号
LQFP120
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类型
引脚状态
类型
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K
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A
A
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-
F
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-
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-
-
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-
G7
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-
-
H8
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-
-
J9
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K9
58
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L9
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L11
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J10
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初版
引脚编号
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42
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58
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S6E2HE 系列
46
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G8
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类型
引脚状态
类型
F
L
F
L
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F
L
F
L
F
M
页 20/164
初版
引脚编号
LQFP120
LQFP100
引脚名称
LQFP80
BGA121
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J11
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F11
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E10
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-
E8
79
69
-
D10
文档编号:002-00219 版本**
S6E2HE 系列
P17
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(SDA2_2)
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类型
引脚状态
类型
F
P
-
-
F
L
F
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M
L
M
L
F
L
F
L
页 21/164
初版
引脚编号
LQFP120
LQFP100
引脚名称
LQFP80
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-
D9
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-
-
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-
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-
-
E7
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类型
引脚状态
类型
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L
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E
K
E
I
E
I
E
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-
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-
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(PPG00_1)
-
文档编号:002-00219 版本**
MAD22_0
页 22/164
初版
引脚编号
LQFP120
LQFP100
引脚名称
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(SDA0_0)
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B11
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A11
A10
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P21
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P20
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S_CMD_0
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P0C
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SOT6_1
(SDA6_1)
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I/O 电路
类型
引脚状态
类型
F
L
F
M
F
M
-
-
L
I
L
I
L
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IC11_0
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文档编号:002-00219 版本**
页 23/164
初版
引脚编号
LQFP120
95
LQFP100
80
LQFP80
65
S6E2HE 系列
引脚名称
I/O 电路
类型
引脚状态
类型
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L
K
L
K
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N
F
N
M
N
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-
-
C7
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TIOA3_2
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(SDA1_0)
S_DATA2_0
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P08
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(SCL1_0)
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P07
AN21
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SCK7_0
(SCL7_0)
MCLKOUT_0
IC21_1
文档编号:002-00219 版本**
页 24/164
初版
引脚编号
LQFP120
100
LQFP100
85
引脚名称
LQFP80
-
BGA121
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-
D6
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89
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C5
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A5
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-
A6
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-
-
E6
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110
-
-
文档编号:002-00219 版本**
S6E2HE 系列
-
-
E5
D5
P06
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P02
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VSS
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(SCL3_0)
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(SDA3_0)
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I/O 电路
类型
引脚状态
类型
F
N
F
O
E
G
E
G
E
H
E
G
E
H
-
-
E
K
E
I
E
K
页 25/164
初版
引脚编号
LQFP120
LQFP100
S6E2HE 系列
引脚名称
LQFP80
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-
-
D4
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-
-
C4
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(SDA5_1)
I/O 电路
类型
引脚状态
类型
E
I
E
K
E
K
I
K
E
I
I
F
-
-
INT10_2
P63
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-
-
113
SIN5_1
B4
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S_CD_0
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IC23_0
114
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C3
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SIN5_0
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S_WP_0
MOEX_0
IC22_0
P61
115
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B3
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B2
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A4
文档编号:002-00219 版本**
TIOB2_2
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(SDA5_0)
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ZIN2_1
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TIOA2_2
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(SCL5_0)
NMIX
WKUP0
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VCC
页 26/164
初版
引脚编号
S6E2HE 系列
引脚名称
LQFP120
LQFP100
LQFP80
BGA121
118
98
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A3
119
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-
A1
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P81
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IC20_0
VSS
VSS
I/O 电路
类型
引脚状态
类型
E
*1
I
E
*1
I
-
-
*1 无上拉控制寄存器
文档编号:002-00219 版本**
页 27/164
初版
S6E2HE 系列
引脚功能列表
引脚名称(如 XXX_1 和 XXX_2)中下划线(“_”)后面的数字代表重定位端口号。此类功能引脚,可由多个物理引
脚映射,提供同一通道的同一功能。使用扩展端口功能寄存器(EPFR)选择引脚。
引脚功能
ADC
基础定时器
0
引脚名称
ADTG_0
ADTG_1
ADTG_2
ADTG_3
ADTG_4
ADTG_5
ADTG_6
ADTG_7
ADTG_8
AN00
AN01
AN02
AN03
AN04
AN05
AN06
AN07
AN08
AN09
AN10
AN11
AN12
AN13
AN14
AN15
AN16
AN17
AN18
AN19
AN20
AN21
AN22
AN23
TIOA0_0
TIOA0_1
TIOA0_2
TIOB0_0
TIOB0_1
TIOB0_2
文档编号:002-00219 版本**
功能说明
A/D 转换器外部触发输入引脚
A/D 转换器模拟输入引脚
ANxx 表示 A/D 转换器通道 xx
基础定时器通道 0 TIOA 引脚
基础定时器通道 0 TIOB 引脚
LQFP
120
101
7
23
114
81
80
17
35
110
62
63
64
65
66
67
68
69
74
75
76
77
78
79
80
86
87
88
89
97
98
99
100
101
32
24
99
37
14
100
引脚编号
LQFP LQFP
100
80
86
7
7
18
13
94
74
70
12
12
30
52
41
53
42
54
43
55
44
56
45
57
46
58
47
59
48
64
53
65
54
66
55
67
56
68
69
70
71
57
72
58
73
59
74
82
67
83
84
85
86
27
19
14
84
32
22
9
9
85
-
BGA
121
D6
E2
H1
C3
F7
D9
F2
H5
D5
J10
H10
H9
G10
G9
G8
F10
F9
F8
E11
E10
E9
E8
D10
D9
D11
C10
C11
B11
D7
C7
B7
A7
D6
L2
H2
B7
J4
E1
A7
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初版
引脚功能
基础定时器
1
基础定时器
2
基础定时器
3
基础定时器
4
基础定时器
5
基础定时器
6
引脚名称
TIOA1_0
TIOA1_1
TIOA1_2
TIOB1_0
TIOB1_1
TIOB1_2
TIOA2_0
TIOA2_1
TIOA2_2
TIOB2_0
TIOB2_1
TIOB2_2
TIOA3_0
TIOA3_1
TIOA3_2
TIOB3_0
TIOB3_1
TIOB3_2
TIOA4_0
TIOA4_1
TIOA4_2
TIOB4_0
TIOB4_1
TIOB4_2
TIOA5_0
TIOA5_1
TIOA5_2
TIOB5_0
TIOB5_1
TIOB5_2
TIOA6_0
TIOA6_1
TIOA6_2
TIOB6_0
TIOB6_1
TIOB6_2
功能说明
基础定时器通道 1 TIOA 引脚
基础定时器通道 1 TIOB 引脚
基础定时器通道 2 TIOA 引脚
基础定时器通道 2 TIOB 引脚
基础定时器通道 3 TIOA 引脚
基础定时器通道 3 TIOB 引脚
基础定时器通道 4 TIOA 引脚
基础定时器通道 4 TIOB 引脚
基础定时器通道 5 TIOA 引脚
基础定时器通道 5 TIOB 引脚
基础定时器通道 6 TIOA 引脚
基础定时器通道 6 TIOB 引脚
TIOA7_0
LQFP
120
33
25
5
47
15
6
34
26
116
48
16
115
35
27
97
49
17
98
36
28
51
50
18
52
84
29
93
83
19
92
53
94
82
54
95
81
引脚编号
LQFP LQFP
100
80
28
20
15
5
5
42
32
10
10
6
6
29
21
16
96
76
43
33
11
11
95
75
30
22
17
82
67
44
34
12
12
83
31
21
23
18
45
35
13
24
19
78
63
14
77
62
79
64
80
65
-
BGA
121
J3
H3
D2
J6
F4
D3
J5
H4
B2
J7
F3
B3
H5
J1
D7
J8
F2
C7
K3
J2
H6
K8
F1
H7
C9
K2
A9
D8
G1
B9
G7
C8
E7
H8
B8
F7
112
-
-
C4
86
71
57
D11
TIOA7_2
109
-
-
E5
TIOB7_0
111
-
-
D4
87
72
58
C10
108
-
-
E6
TIOA7_1
基础定时器
7
S6E2HE 系列
TIOB7_1
TIOB7_2
文档编号:002-00219 版本**
基础定时器通道 7 TIOA 引脚
基础定时器通道 7 TIOB 引脚
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初版
引脚功能
调试器
外部
总线
引脚名称
SWCLK
SWDIO
SWO
TCK
TDI
TDO
TMS
TRACECLK
TRACED0
TRACED1
TRACED2
TRACED3
TRSTX
MAD00_0
MAD01_0
MAD02_0
MAD03_0
MAD04_0
MAD05_0
MAD06_0
MAD07_0
MAD08_0
MAD09_0
MAD10_0
MAD11_0
MAD12_0
MAD13_0
MAD14_0
MAD15_0
MAD16_0
MAD17_0
MAD18_0
MAD19_0
MAD20_0
MAD21_0
MAD22_0
MAD23_0
MAD24_0
文档编号:002-00219 版本**
功能说明
串行调试接口时钟输入引脚
串行调试接口数据输入/输出引脚
串行调试接口观察输出引脚
J-TAG 测试时钟输入引脚
J-TAG 测试数据输入引脚
J-TAG 调试数据输出引脚
J-TAG 测试模式状态输入/输出引脚
ETM 的追踪 CLK 输出引脚
ETM 的追踪数据输出引脚
J-TAG 测试复位输入引脚
外部总线接口地址总线
S6E2HE 系列
LQFP
120
105
103
102
105
104
102
103
101
97
98
99
100
106
27
28
29
47
48
49
50
62
63
64
65
66
67
68
69
74
75
76
77
78
79
80
86
88
89
引脚编号
LQFP LQFP
100
80
90
71
88
69
87
68
90
71
89
70
87
68
88
69
86
82
83
84
85
91
72
22
17
23
18
24
19
42
32
43
33
44
34
45
35
52
41
53
42
54
43
55
44
56
45
57
46
58
47
59
48
64
53
65
54
66
55
67
56
68
69
70
71
73
74
-
BGA
121
B5
C6
B6
B5
C5
B6
C6
D6
D7
C7
B7
A7
A5
J1
J2
K2
J6
J7
J8
K8
J10
H10
H9
G10
G9
G8
F10
F9
F8
E11
E10
E9
E8
D10
D9
D11
C11
B11
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初版
引脚功能
外部
总线
引脚名称
MCSX0_0
MCSX1_0
MCSX2_0
MCSX3_0
MCSX4_0
MCSX5_0
MCSX6_0
MCSX7_0
MCSX8_0
MADATA00_0
MADATA01_0
MADATA02_0
MADATA03_0
MADATA04_0
MADATA05_0
MADATA06_0
MADATA07_0
MADATA08_0
MADATA09_0
MADATA10_0
MADATA11_0
MADATA12_0
MADATA13_0
MADATA14_0
MADATA15_0
MDQM0_0
MDQM1_0
MALE_0
MRDY_0
MCLKOUT_0
MNALE_0
MNCLE_0
MNREX_0
MNWEX_0
MOEX_0
MWEX_0
文档编号:002-00219 版本**
功能说明
外部总线接口片选输出引脚
外部总线接口数据总线
(地址/数据复用)
外部总线接口字节屏蔽信号输出引脚
外部总线接口地址锁存使能输出信号,
用于地址/数据复用
外部总线接口外部 RDY 输入信号
外部总线接口外部时钟输出引脚
外部总线接口 ALE 信号,
用于控制 NAND 闪存输出引脚
外部总线接口 CLE 信号,
用于控制 NAND 闪存输出引脚
外部总线接口读使能信号,
用于控制 NAND 闪存
外部总线接口写使能信号,
用于控制 NAND 闪存
SRAM 的外部总线接口读使能信号
SRAM 的外部总线接口写使能信号
S6E2HE 系列
LQFP
120
95
96
101
100
98
97
104
106
35
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
93
92
引脚编号
LQFP LQFP
100
80
80
65
81
66
86
85
83
82
67
89
70
91
72
30
2
2
3
3
4
4
5
5
6
6
7
7
8
8
9
9
10
10
11
11
12
12
13
14
15
16
17
78
63
77
62
BGA
121
B8
A8
D6
A7
C7
D7
C5
A5
H5
C1
C2
D1
D2
D3
E2
E3
E4
F5
F6
G5
G6
E1
F4
F3
F2
A9
B9
94
79
64
C8
116
99
96
84
76
-
B2
B7
18
-
-
F1
19
-
-
G1
21
-
-
G3
20
-
-
G2
114
113
94
93
74
73
C3
B4
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初版
引脚功能
引脚名称
MSDCLK_0
MSDCKE_0
外部
总线
MRASX_0
MCASX_0
MSDWEX_0
外部
中断
INT00_0
INT00_1
INT00_2
INT01_0
INT01_1
INT01_2
INT02_0
INT02_1
INT02_2
INT03_0
INT03_1
INT03_2
INT04_0
INT04_1
INT04_2
INT05_0
INT05_1
INT05_2
INT06_1
INT06_2
INT07_1
INT07_2
INT08_1
INT08_2
INT09_1
INT09_2
INT10_1
INT10_2
INT11_1
INT11_2
INT12_1
INT12_2
INT13_1
INT13_2
INT14_1
INT14_2
INT15_1
INT15_2
文档编号:002-00219 版本**
功能说明
SDRAM 接口
SDRAM 时钟输出引脚
SDRAM 接口
SDRAM 时钟使能引脚
SDRAM 接口
SDRAM 行地址选通引脚
SDRAM 接口
SDRAM 列地址选通引脚
SDRAM 接口
SDRAM 写使能引脚
外部中断请求 00 输入引脚
外部中断请求 01 输入引脚
外部中断请求 02 输入引脚
外部中断请求 03 输入引脚
外部中断请求 04 输入引脚
外部中断请求 05 输入引脚
外部中断请求 06 输入引脚
外部中断请求 07 输入引脚
外部中断请求 08 输入引脚
外部中断请求 09 输入引脚
外部中断请求 10 输入引脚
外部中断请求 11 输入引脚
外部中断请求 12 输入引脚
外部中断请求 13 输入引脚
外部中断请求 14 输入引脚
外部中断请求 15 输入引脚
S6E2HE 系列
LQFP
120
引脚编号
LQFP LQFP
100
80
BGA
121
23
18
-
H1
24
19
-
H2
25
20
-
H3
26
21
-
H4
34
29
-
J5
2
95
108
3
101
85
6
62
82
113
65
54
17
114
10
89
75
21
88
22
11
7
19
8
20
15
16
112
50
110
32
96
33
49
68
53
52
14
2
80
3
86
6
52
93
55
12
94
74
65
16
73
17
7
14
8
15
10
11
45
27
81
28
44
58
9
2
65
3
6
41
73
44
12
74
54
59
7
8
10
11
35
66
34
47
9
C1
B8
E6
C2
D6
B10
D3
J10
E7
B4
G10
H8
F2
C3
F5
B11
E11
G3
C11
G4
F6
E2
G1
E3
G2
F4
F3
C4
K8
D5
L2
A8
J3
J8
F10
G7
H7
E1
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初版
引脚功能
引脚名称
外部
中断
NMIX
GPIO
P00
P01
P02
P03
P04
P05
P06
P07
P08
P09
P0A
P0B
P0C
P0D
P0E
P10
P11
P12
P13
P14
P15
P16
P17
P18
P19
P1A
P1B
P1C
P1D
P1E
P1F
P20
P21
P22
P23
P24
P25
P26
P27
文档编号:002-00219 版本**
功能说明
不可屏蔽中断输入引脚
通用 I/O 端口 0
通用 I/O 端口 1
通用 I/O 端口 2
S6E2HE 系列
LQFP
120
引脚编号
LQFP LQFP
100
80
BGA
121
116
96
76
B2
106
105
104
103
102
101
100
99
98
97
96
95
94
93
92
62
63
64
65
66
67
68
69
74
75
76
77
78
79
80
81
89
88
87
86
85
84
83
82
91
90
89
88
87
86
85
84
83
82
81
80
79
78
77
52
53
54
55
56
57
58
59
64
65
66
67
68
69
70
74
73
72
71
-
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
41
42
43
44
45
46
47
48
53
54
55
56
59
58
57
-
A5
B5
C5
C6
B6
D6
A7
B7
C7
D7
A8
B8
C8
A9
B9
J10
H10
H9
G10
G9
G8
F10
F9
F8
E11
E10
E9
E8
D10
D9
F7
B11
C11
C10
D11
B10
C9
D8
E7
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初版
引脚功能
引脚名称
GPIO
P30
P31
P32
P33
P34
P35
P36
P37
P38
P39
P3A
P3B
P3C
P3D
P3E
P3F
P40
P41
P42
P43
P44
P45
P46
P47
P48
P49
P4B
P4C
P4D
P4E
P50
P51
P52
P53
P54
P55
P56
P57
P58
P59
P5A
P5B
文档编号:002-00219 版本**
功能说明
通用 I/O 端口 3
通用 I/O 端口 4
通用 I/O 端口 5
S6E2HE 系列
LQFP
120
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
32
33
34
35
36
37
39
40
41
42
47
48
49
50
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
引脚编号
LQFP LQFP
100
80
9
9
10
10
11
11
12
12
13
14
15
16
17
18
13
19
14
20
15
21
16
22
17
23
18
24
19
27
28
29
30
31
21
32
22
34
24
35
25
36
26
37
27
42
32
43
33
44
34
45
35
2
2
3
3
4
4
5
5
6
6
7
7
8
8
-
BGA
121
E1
F4
F3
F2
F1
G1
G2
G3
G4
H1
H2
H3
H4
J1
J2
K2
L2
J3
J5
H5
K3
J4
L4
K4
K5
K6
J6
J7
J8
K8
C1
C2
D1
D2
D3
E2
E3
E4
F5
F6
G5
G6
页 34/164
初版
引脚功能
GPIO
引脚名称
P60
P61
P62
P63
P64
P65
P66
P67
P68
P70
P71
P72
P73
P74
P80
P81
PE0
PE2
PE3
SIN0_0
SIN0_1
SOT0_0
(SDA0_0)
多功能串行
接口 0
SOT0_1
(SDA0_1)
SCK0_0
(SCL0_0)
SCK0_1
(SCL0_1)
SIN1_0
SIN1_1
SOT1_0
(SDA1_0)
多功能串行
接口 1
SOT1_1
(SDA1_1)
SCK1_0
(SCL1_0)
SCK1_1
(SCL1_1)
文档编号:002-00219 版本**
功能说明
通用 I/O 端口 6
通用 I/O 端口 7
通用 I/O 端口 8
通用 I/O 端口 E
多功能串行接口通道 0 输入引脚
S6E2HE 系列
LQFP
120
116
115
114
113
112
111
110
109
108
51
52
53
54
55
118
119
56
58
59
88
65
引脚编号
LQFP LQFP
100
80
96
76
95
75
94
74
93
73
98
78
99
79
46
36
48
38
49
39
73
59
55
44
BGA
121
B2
B3
C3
B4
C4
D4
D5
E5
E6
H6
H7
G7
H8
J9
A3
A2
L8
L9
L10
C11
G10
多功能串行接口通道 0 输出引脚。
用于 UART/CSIO/LIN(操作模式 0 到 3)接
口时,该引脚作为 SOT0 使用;而用于 I2C
(操作模式 4)时,则作为 SDA0 使用。
87
72
58
C10
66
56
45
G9
多功能串行接口通道 0 时钟 I/O 引脚。
用于 UART/CSIO/LIN(操作模式 0 到 3)接
口时,该引脚作为 SCK0 使用;而用于 I2C
(操作模式 4)时,则作为 SCL0 使用。
86
71
57
D11
67
57
46
G8
多功能串行接口通道 1 输入引脚
96
62
81
52
66
41
A8
J10
多功能串行接口通道 1 输出引脚。
用于 UART/CSIO/LIN(操作模式 0 到 3)接
口时,该引脚作为 SOT1 使用;而用于 I2C
(操作模式 4)时,则作为 SDA1 使用。
97
82
67
D7
63
53
42
H10
多功能串行接口通道 1 时钟 I/O 引脚。
用于 CSIO(操作模式 2)接口时,该引脚作
为 SCK1 使用;而用于 I2C(操作模式 4)
时,则作为 SCL1 使用。
98
83
-
C7
64
54
43
H9
页 35/164
初版
引脚功能
多功能串行
接口 2
引脚名称
SIN2_0
SIN2_1
SIN2_2
SOT2_0
(SDA2_0)
SOT2_1
(SDA2_1)
SOT2_2
(SDA2_2)
SCK2_0
(SCL2_0)
SCK2_1
(SCL2_1)
SCK2_2
(SCL2_2)
SIN3_0
SIN3_1
SOT3_0
(SDA3_0)
多功能串行
接口 3
SOT3_1
(SDA3_1)
SCK3_0
(SCL3_0)
SCK3_1
(SCL3_1)
文档编号:002-00219 版本**
功能说明
多功能串行接口通道 2 输入引脚
S6E2HE 系列
LQFP
120
53
85
68
引脚编号
LQFP LQFP
100
80
58
47
BGA
121
G7
B10
F10
多功能串行接口通道 2 输出引脚。
用于 UART/CSIO/LIN(操作模式 0 到 3)接
口时,该引脚作为 SOT2 使用;而用于 I2C
(操作模式 4)时,则作为 SDA2 使用。
54
-
-
H8
84
-
-
C9
69
59
48
F9
多功能串行接口通道 2 时钟 I/O 引脚。
用于 CSIO(操作模式 2)接口时,该引脚作
为 SCK2 使用;而用于 I2C(操作模式 4)
时,则作为 SCL2 使用。
55
-
-
J9
83
-
-
D8
74
64
53
F8
多功能串行接口通道 3 输入引脚
110
15
10
10
D5
F4
多功能串行接口通道 3 输出引脚。
用于 UART/CSIO/LIN(操作模式 0 到 3)接
口时,该引脚作为 SOT3 使用;而用于 I2C
(操作模式 4)时,则作为 SDA3 使用。
109
-
-
E5
16
11
11
F3
多功能串行接口通道 3 时钟 I/O 引脚。
用于 CSIO(操作模式 2)接口时,该引脚作
为 SCK3 使用;而用于 I2C(操作模式 4)
时,则作为 SCL3 使用。
108
-
-
E6
17
12
12
F2
页 36/164
初版
引脚功能
多功能串行
接口 4
多功能串行
接口 5
引脚名称
SIN4_0
SIN4_1
SIN4_2
SOT4_0
(SDA4_0)
SOT4_1
(SDA4_1)
SOT4_2
(SDA4_2)
SCK4_0
(SCL4_0)
SCK4_1
(SCL4_1)
SCK4_2
(SCL4_2)
CTS4_0
CTS4_1
CTS4_2
RTS4_0
RTS4_1
RTS4_2
SIN5_0
SIN5_1
SIN5_2
SOT5_0
(SDA5_0)
SOT5_1
(SDA5_1)
SOT5_2
(SDA5_2)
SCK5_0
(SCL5_0)
SCK5_1
(SCL5_1)
SCK5_2
(SCL5_2)
文档编号:002-00219 版本**
功能说明
多功能串行接口通道 4 输入引脚
S6E2HE 系列
LQFP
120
6
75
10
引脚编号
LQFP LQFP
100
80
6
6
65
54
-
BGA
121
D3
E11
F5
5
5
5
D2
76
66
55
E10
11
-
-
F6
4
4
4
D1
77
67
56
E9
12
-
-
G5
2
78
13
3
79
14
114
113
20
2
68
3
69
9
94
15
2
3
9
74
-
C1
E8
G6
C2
D10
E1
C3
B4
G2
多功能串行接口通道 5 输出引脚。
用于 UART/CSIO/LIN(操作模式 0 到 3)接
口时,该引脚作为 SOT5 使用;而用于 I2C
(操作模式 4)时,则作为 SDA5 使用。
115
95
75
B3
112
-
-
C4
21
16
-
G3
多功能串行接口通道 5 时钟 I/O 引脚。
用于 CSIO(操作模式 2)接口时,该引脚作
为 SCK5 使用;而用于 I2C(操作模式 4)
时,则作为 SCL5 使用。
116
96
76
B2
111
-
-
D4
22
17
-
G4
多功能串行接口通道 4 输出引脚。
用于 UART/CSIO/LIN(操作模式 0 到 3)接
口时,该引脚作为 SOT4 使用;而用于 I2C
(操作模式 4)时,则作为 SDA4 使用。
多功能串行接口通道 4 时钟 I/O 引脚。
用于 CSIO(操作模式 2)接口时,该引脚作
为 SCK4 使用;而用于 I2C(操作模式 4)
时,则作为 SCL4 使用。
多功能串行接口通道 4 CTS 输入引脚
多功能串行接口通道 4 RTS 输出引脚
多功能串行接口通道 5 输入引脚
页 37/164
初版
引脚功能
引脚名称
SIN6_0
SIN6_1
SOT6_0
(SDA6_0)
SOT6_1
(SDA6_1)
多功能串行
接口 6
SCK6_0
(SCL6_0)
多功能串行接口通道 6 输入引脚
多功能串行接口通道 6 输出引脚。
用于 UART/CSIO/LIN(操作模式 0 到 3)接
口时,该引脚作为 SOT6 使用;而用于 I2C
(操作模式 4)时,则作为 SDA6 使用。
LQFP
120
7
95
引脚编号
LQFP LQFP
100
80
7
7
80
65
BGA
121
E2
B8
8
8
8
E3
94
79
64
C8
多功能串行接口通道 6 时钟 I/O 引脚。
用于 CSIO(操作模式 2)接口时,该引脚作
为 SCK6 使用;而用于 I2C(操作模式 4)
时,则作为 SCL6 使用。
9
-
-
E4
93
78
63
A9
SCS6_1
多功能串行接口通道 6 串行片选引脚
92
77
62
B9
SIN7_0
SIN7_1
多功能串行接口通道 7 输入引脚
101
50
86
45
35
D6
K8
多功能串行接口通道 7 输出引脚。
用于 UART/CSIO/LIN(操作模式 0 到 3)接
口时,该引脚作为 SOT7 使用;而用于 I2C
(操作模式 4)时,则作为 SDA7 使用。
100
85
-
A7
49
44
34
J8
多功能串行接口通道 7 时钟 I/O 引脚。
用于 CSIO(操作模式 2)接口时,该引脚作
为 SCK7 使用;而用于 I2C(操作模式 4)
时,则作为 SCL7 使用。
99
84
-
B7
48
43
33
J7
多功能串行接口通道 7 串行片选引脚
47
42
32
J6
SCK6_1
(SCL6_1)
SOT7_0
(SDA7_0)
SOT7_1
(SDA7_1)
多功能串行
接口 7
功能说明
S6E2HE 系列
SCK7_0
(SCL7_0)
SCK7_1
(SCL7_1)
SCS7_1
文档编号:002-00219 版本**
页 38/164
初版
引脚功能
引脚编号
LQFP LQFP
100
80
引脚名称
功能说明
LQFP
120
DTTI0X_0
输入信号,用于控制多功能定时器 0 的波形
发生器输出 RTO00 到 RTO05。
23
18
13
H1
79
69
-
D10
16 位自由运行定时器通道 0 外部时钟输入
引脚
18
80
62
22
75
63
21
76
64
20
77
65
19
78
66
13
70
52
17
65
53
16
66
54
15
67
55
14
68
56
41
54
42
55
43
56
44
45
F1
D9
J10
G4
E11
H10
G3
E10
H9
G2
E9
G10
G1
E8
G9
多功能定时器 0 的波形发生器输出引脚。
在 PPG0 输出模式下,该引脚作为 PPG00
使用。
24
19
14
H2
86
71
57
D11
多功能定时器 0 的波形发生器输出引脚。
在 PPG0 输出模式下,该引脚作为 PPG00
使用。
25
20
15
H3
85
-
-
B10
多功能定时器 0 的波形发生器输出引脚。
在 PPG0 输出模式下,该引脚作为 PPG02
使用。
26
21
16
H4
84
-
-
C9
多功能定时器 0 的波形发生器输出引脚。
在 PPG0 输出模式下,该引脚作为 PPG02
使用。
27
22
17
J1
83
-
-
D8
多功能定时器 0 的波形发生器输出引脚。
在 PPG0 输出模式下,该引脚作为 PPG04
使用。
28
23
18
J2
82
-
-
E7
多功能定时器 0 的波形发生器输出引脚。
在 PPG0 输出模式下,该引脚作为 PPG04
使用。
29
24
19
K2
81
-
-
F7
DTTI0X_1
多功能
定时器 0
S6E2HE 系列
FRCK0_0
FRCK0_1
FRCK0_2
IC00_0
IC00_1
IC00_2
IC01_0
IC01_1
IC01_2
IC02_0
IC02_1
IC02_2
IC03_0
IC03_1
IC03_2
RTO00_0
(PPG00_0)
RTO00_1
(PPG00_1)
RTO01_0
(PPG00_0)
RTO01_1
(PPG00_1)
RTO02_0
(PPG02_0)
RTO02_1
(PPG02_1)
RTO03_0
(PPG02_0)
RTO03_1
(PPG02_1)
RTO04_0
(PPG04_0)
RTO04_1
(PPG04_1)
RTO05_0
(PPG04_0)
RTO05_1
(PPG04_1)
文档编号:002-00219 版本**
多功能定时器 0 的 16 位输入捕获通道 0
输入引脚。
ICxx 表示通道编号。
BGA
121
页 39/164
初版
引脚功能
引脚名称
DTTI1X_0
LQFP
120
引脚编号
LQFP LQFP
100
80
BGA
121
8
8
8
E3
55
-
-
J9
96
81
66
A8
50
45
35
K8
IC10_0
95
80
65
B8
IC10_1
54
-
-
H8
IC11_0
94
79
64
C8
53
-
-
G7
93
78
63
A9
IC12_1
52
-
-
H7
IC13_0
92
77
62
B9
IC13_1
51
-
-
H6
2
2
2
C1
32
27
-
L2
3
3
3
C2
33
28
-
J3
4
4
4
D1
34
29
-
J5
5
5
5
D2
35
30
-
H5
6
6
6
D3
36
31
21
K3
7
7
7
E2
37
32
22
J4
DTTI1X_1
FRCK1_0
FRCK1_1
IC11_1
IC12_0
多功能
定时器 1
功能说明
S6E2HE 系列
输入信号,用于控制多功能定时器 1 的波形
发生器输出 RTO10 到 RTO15。
16 位自由运行定时器通道 1 外部时钟输入
引脚
多功能定时器 1 的 16 位输入捕获通道 1
输入引脚。
ICxx 表示通道编号。
RTO10_0
多功能定时器 1 的波形发生器输出引脚。
(PPG10_0)
在 PPG1 输出模式下,该引脚作为 PPG10
RTO10_1
使用。
(PPG10_1)
RTO11_0
多功能定时器 1 的波形发生器输出引脚。
(PPG10_0)
在 PPG1 输出模式下,该引脚作为 PPG10
RTO11_1
使用。
(PPG10_1)
RTO12_0
多功能定时器 1 的波形发生器输出引脚。
(PPG12_0)
在 PPG1 输出模式下,该引脚作为 PPG12
RTO12_1
使用。
(PPG12_1)
RTO13_0
多功能定时器 1 的波形发生器输出引脚。
(PPG12_0)
在 PPG1 输出模式下,该引脚作为 PPG12
RTO13_1
使用。
(PPG12_1)
RTO14_0
多功能定时器 1 的波形发生器输出引脚。
(PPG14_0)
在 PPG1 输出模式下,该引脚作为 PPG14
RTO14_1
使用。
(PPG14_1)
RTO15_0
多功能定时器 1 的波形发生器输出引脚。
(PPG14_0)
在 PPG1 输出模式下,该引脚作为 PPG14
RTO15_1 使用。
(PPG14_1)
文档编号:002-00219 版本**
页 40/164
初版
引脚功能
引脚名称
DTTI2X_0
功能说明
S6E2HE 系列
引脚编号
LQFP LQFP
100
80
LQFP
120
BGA
121
64
53
F8
DTTI2X_1
输入信号,用于控制多功能定时器 2 的波形 74
发生器输出 RTO20 到 RTO25。
15
10
10
F4
FRCK2_0
FRCK2_1
16 位自由运行定时器通道 2 外部时钟输入
引脚
116
101
96
86
76
-
B2
D6
IC20_0
IC20_1
119
100
99
85
79
-
A2
A7
IC21_0
IC21_1
118
多功能定时器 2 的 16 位输入捕获通道 2
99
输入引脚。
114
ICxx 表示通道编号。
98
98
84
78
-
A3
B7
94
83
74
-
C3
C7
113
97
93
82
73
67
B4
D7
69
59
48
F9
9
-
-
E4
68
58
47
F10
10
-
-
F5
67
57
46
G8
11
-
-
F6
87
72
58
C10
12
-
-
G5
88
73
59
C11
13
-
-
G6
89
74
-
B11
14
9
9
E1
IC22_0
IC22_1
IC23_0
IC23_1
RTO20_0
多功能定时器 2 的波形发生器输出引脚。
(PPG20_0)
在 PPG2 输出模式下,该引脚作为 PPG10
RTO20_1
使用。
(PPG20_1)
多功能
RTO21_0
定时器 2
多功能定时器 2 的波形发生器输出引脚。
(PPG20_0)
在 PPG2 输出模式下,该引脚作为 PPG20
RTO21_1
使用。
(PPG20_1)
RTO22_0
多功能定时器 2 的波形发生器输出引脚。
(PPG22_0)
在 PPG2 输出模式下,该引脚作为 PPG22
RTO22_1
使用。
(PPG22_1)
RTO23_0
多功能定时器 2 的波形发生器输出引脚。
(PPG22_0)
在 PPG2 输出模式下,该引脚作为 PPG22
RTO23_1
使用。
(PPG22_1)
RTO24_0
多功能定时器 2 的波形发生器输出引脚。
(PPG24_0)
在 PPG2 输出模式下,该引脚作为 PPG24
RTO24_1
使用。
(PPG24_1)
RTO25_0
多功能定时器 2 的波形发生器输出引脚。
(PPG24_0)
在 PPG2 输出模式下,该引脚作为 PPG24
RTO25_1
使用。
(PPG24_1)
AIN0_0
AIN0_1
QPRC 通道 0 AIN 输入引脚
AIN0_2
BIN0_0
正交位置/
BIN0_1
QPRC 通道 0 BIN 输入引脚
转数计数器 0
BIN0_2
ZIN0_0
QPRC 通道 0 ZIN 输入引脚
ZIN0_1
ZIN0_2
文档编号:002-00219 版本**
24
51
2
25
52
3
26
53
4
19
2
20
3
21
4
14
2
15
3
16
4
H2
H6
C1
H3
H7
C2
H4
G7
D1
页 41/164
初版
引脚功能
正交位置/
转数计数器 1
引脚名称
AIN1_0
AIN1_1
AIN1_2
BIN1_0
BIN1_1
BIN1_2
ZIN1_0
ZIN1_1
ZIN1_2
AIN2_0
AIN2_1
AIN2_2
正交位置/
转数计数器 2
实时时钟
低功耗模式
DAC
VBAT
BIN2_0
BIN2_1
QPRC 通道 1 AIN 输入引脚
QPRC 通道 1 BIN 输入引脚
QPRC 通道 1 ZIN 输入引脚
QPRC 通道 2 AIN 输入引脚
QPRC 通道 2 BIN 输入引脚
BIN2_2
ZIN2_0
ZIN2_1
ZIN2_2
RTCCO_0
RTCCO_1
RTCCO_2
SUBOUT_0
SUBOUT_1
SUBOUT_2
WKUP0
WKUP1
WKUP2
WKUP3
DA0
DA1
VREGCTL
VWAKEUP
S_CLK_0
S_CMD_0
SD I/F
功能说明
QPRC 通道 2 ZIN 输入引脚
实时时钟的 0.5 秒脉冲输出引脚
副时钟输出引脚
深度待机模式唤醒信号输入引脚 0
深度待机模式唤醒信号输入引脚 1
深度待机模式唤醒信号输入引脚 2
深度待机模式唤醒信号输入引脚 3
D/A 转换器通道 0 模拟输出引脚
D/A 转换器通道 1 模拟输出引脚
板上电压调节器控制引脚
休眠状态唤醒信号输入引脚
SD 存储卡接口
SD 存储卡时钟输出引脚
SD 存储卡接口
SD 存储卡命令输出
S_DATA1_0
S_DATA0_0 SD 存储卡接口
S_DATA3_0 SD 存储卡数据总线
S_DATA2_0
SD 存储卡接口
S_CD_0
SD 存储卡检测引脚
SD 存储卡接口
S_WP_0
SD 存储卡写保护检测引脚
文档编号:002-00219 版本**
S6E2HE 系列
LQFP
120
10
89
48
11
88
49
12
87
50
33
引脚编号
LQFP LQFP
100
80
74
43
33
73
44
34
72
45
35
28
-
BGA
121
F5
B11
J7
F6
C11
J8
G5
C10
K8
J3
119
69
99
59
79
48
A2
F9
34
118
29
98
78
J5
A3
68
35
58
30
47
-
F10
H5
115
67
115
64
23
115
64
23
116
14
50
69
36
37
41
42
95
57
95
54
18
95
54
18
96
9
45
59
31
32
36
37
75
46
75
43
13
75
43
13
76
9
35
48
21
22
26
27
B3
G8
B3
H9
H1
B3
H9
H1
B2
E1
K8
F9
K3
J4
K5
K6
92
77
62
B9
93
78
63
A9
94
95
96
97
79
80
81
82
64
65
66
67
C8
B8
A8
D7
113
93
73
B4
114
94
74
C3
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初版
引脚功能
引脚名称
复位
INITX
MD1
模式
MD0
功能说明
外部复位输入引脚。
当 INITX = L 时,复位有效。
模式 1 引脚。
闪存串行编程时,MD1 需为低电平。
模式 0 引脚。
正常运行时,MD0 需为低电平。闪存串行编
程时,MD0 需为高电平。
电源
VCC
电源供电引脚
GND
VSS
GND 引脚
文档编号:002-00219 版本**
S6E2HE 系列
LQFP
120
引脚编号
LQFP LQFP
100
80
BGA
121
38
33
23
L3
56
46
36
L8
57
47
37
K9
1
31
46
61
91
117
107
30
45
60
90
120
1
26
41
51
76
97
92
25
40
50
75
100
1
31
61
77
20
30
40
60
80
B1
K1
K7
K11
A10
A4
A6
L1
L7
L11
A11
A1
-
-
-
K10
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初版
引脚功能
引脚名称
时钟
X0
X1
X0A
X1A
CROUT_0
CROUT_1
ADC
电源
VBAT
电源
ADC
GND
C 引脚
AVCC
AVRL
AVRH
VBAT
AVSS
C
文档编号:002-00219 版本**
功能说明
主时钟(振荡)输入引脚
主时钟(振荡)I/O 引脚
副时钟(振荡)输入引脚
副时钟(振荡)I/O 引脚
内置高速 CR 振荡时钟输出端口
A/D 转换器和 D/A 转换器
模拟电源供电引脚
A/D 转换器模拟参考电压输入引脚
A/D 转换器模拟参考电压输入引脚
VBAT 电源供电引脚。
备用电源(电池等)和系统电源。
A/D 转换器和 D/A 转换器
GND 引脚
内部电源稳定电容引脚
S6E2HE 系列
LQFP
120
58
59
39
40
87
113
引脚编号
LQFP LQFP
100
80
48
38
49
39
34
24
35
25
72
58
93
73
BGA
121
L9
L10
L4
K4
C10
B4
70
60
49
J11
72
73
62
63
51
52
G11
F11
43
38
28
L5
71
61
50
H11
44
39
29
L6
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初版
S6E2HE 系列
I/O 电路类型
5.
类型
电路
P-ch
P-ch
备注
数字输出
X1
N-ch
数字输出
R
可选主振荡/ GPIO 功能
上拉电阻控制
选择主振荡时:
数字输入
−
振荡反馈电阻:
待机模式控制
−
待机模式控制
约为 1 MΩ
时钟输入
A
待机模式控制
选择 GPIO 时:
−
CMOS 电平输出
−
CMOS 电平迟滞输入
−
上拉电阻控制
−
待机模式控制
−
上拉电阻:
−
IOH = -4 mA、IOL = 4 mA
数字输入
待机模式控制
约为 50 kΩ
R
P-ch
P-ch
数字输出
N-ch
数字输出
X0
上拉电阻控制
文档编号:002-00219 版本**
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初版
类型
S6E2HE 系列
电路
备注
上拉电阻
B
−
CMOS 电平迟滞输入
−
上拉电阻:
约为 50 kΩ
数字输入
数字输入
C
数字输出
N-ch
P-ch
P-ch
E
N-ch
数字输出
−
开漏输出
−
CMOS 电平迟滞输入
−
CMOS 电平输出
−
CMOS 电平迟滞输入
−
上拉电阻控制
−
待机模式控制
−
上拉电阻:
−
IOH = -4 mA、IOL = 4 mA
−
当该引脚作为 I2C 引脚时,数字输出 P 沟
数字输出
R
上拉电阻控制
约为 50 kΩ
道管始终被关闭。
数字输入
待机模式控制
文档编号:002-00219 版本**
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初版
类型
S6E2HE 系列
电路
P-ch
P-ch
N-ch
备注
数字输出
数字输出
F
上拉电阻控制
−
CMOS 电平输出
−
CMOS 电平迟滞输入
−
输入控制
−
模拟输入
−
上拉电阻控制
−
待机模式控制
−
上拉电阻:
−
IOH = -4 mA、IOL = 4 mA
−
当该引脚作为 I2C 引脚时,数字输出 P 沟
约为 50 kΩ
R
数字输入
待机模式控制
道管始终被关闭。
模拟输入
输入控制
P-ch
P-ch
N-ch
数字输出
数字输出
R
G
−
CMOS 电平输出
−
CMOS 电平迟滞输入
−
上拉电阻控制
−
待机模式控制
−
上拉电阻:
−
IOH = -12 mA、IOL = 12 mA
−
当该引脚作为 I2C 引脚时,数字输出 P 通
约为 50 kΩ
上拉电阻控制
数字输入
道晶体管始终被关闭。
待机模式控制
文档编号:002-00219 版本**
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初版
类型
S6E2HE 系列
电路
P-ch
I
P-ch
N-ch
备注
数字输出
数字输出
−
CMOS 电平输出
−
CMOS 电平迟滞输入
−
可承受 5 V 电压
−
待机模式控制
−
上拉电阻:
−
IOH = -4mA、IOL = 4 mA
−
可以控制 PZR 寄存器
约为 50 kΩ
R
上拉电阻控制
数字输入
待机模式控制
J
模式输入
P-ch
L
P-ch
N-ch
数字输出
数字输出
CMOS 电平迟滞输入
−
CMOS 电平输出
−
CMOS 电平迟滞输入
−
上拉电阻控制
−
待机模式控制
−
上拉电阻:
约为 50 kΩ
R
上拉电阻控制
−
IOH = -8 mA、IOL = 8 mA
−
当该引脚作为 I2C 引脚时,数字输出 P 通
道晶体管始终被关闭。
数字输入
待机模式控制
文档编号:002-00219 版本**
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初版
类型
S6E2HE 系列
电路
P-ch
P-ch
N-ch
备注
数字输出
数字输出
M
−
CMOS 电平输出
−
CMOS 电平迟滞输入
−
输入控制
−
模拟输入
−
上拉电阻控制
−
待机模式控制
−
上拉电阻:
上拉电阻控制
R
数字输入
约为 50 kΩ
−
IOH = -8 mA、IOL = 8 mA
−
CMOS 电平输出
−
CMOS 电平迟滞输入
−
上拉电阻控制
−
待机模式控制
−
上拉电阻:
待机模式控制
模拟输入
输入控制
P-ch
P-ch
数字输出
约为 50 kΩ
N
N-ch
数字输出
−
IOH = -4 mA、IOL = 4 mA
(GPIO)
−
IOL = 20 mA
(高速模式)
R
上拉电阻控制
−
当该引脚作为 I2C 引脚时,数字输出 P 通
道晶体管始终被关闭。
数字输入
待机模式控制
文档编号:002-00219 版本**
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初版
类型
S6E2HE 系列
电路
P-ch
P-ch
O
N-ch
备注
上拉电阻控制
−
CMOS 电平输出
数字输出
−
CMOS 电平迟滞输入
−
可承受 5 V 电压
−
上拉电阻控制
−
待机模式控制
−
上拉电阻:
数字输出
约为 50 kΩ
−
IOH = -4 mA、IOL = 4 mA
−
有关 I/O 设 置, 请 参 考外 设 手 册中 的
VBAT 范围
R
数字输入
待机模式控制
P-ch
上拉电阻控制
P-ch
X0A
N-ch
P
数字输出
数字输出
−
CMOS 电平输出
−
CMOS 电平迟滞输入
−
上拉电阻控制
−
待机模式控制
−
上拉电阻:
−
IOH = -4 mA、IOL = 4 mA
−
有关 I/O 设 置, 请 参 考外 设 手 册中 的
约为 50 kΩ
VBAT 范围
R
数字输入
待机模式控制
OSC
文档编号:002-00219 版本**
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初版
类型
S6E2HE 系列
电路
P-ch
P-ch
X1A
备注
上拉电阻控制
可以选择副振荡/GPIO 功能
数字输出
选择副振荡时:
−
振荡反馈电阻:
−
待机模式控制
约为 10 MΩ
数字输出
N-ch
选择 GPIO 时:
Q
R
数字输入
−
CMOS 电平输出
−
CMOS 电平迟滞输入
−
上拉电阻控制
−
待机模式控制
−
上拉电阻:
−
IOH = -4 mA、IOL = 4 mA
−
有关 I/O 设置,请参考外设手册中的
待机模式控制
OSC
RX
约为 50 kΩ
VBAT 范围
待机模式控制
时钟输入
上拉电阻控制
P-ch
P-ch
N-ch
数字输出
数字输出
R
−
CMOS 电平输出
−
CMOS 电平迟滞输入
−
模拟输出
−
上拉电阻控制
−
待机模式控制
−
上拉电阻:
−
IOH = -12 mA、IOL = 12 mA
约为 50 kΩ
(4.5 V 到 5.5 V)
R
数字输入
−
IOH = -8 mA、IOL = 8 mA
(2.7 V 到 4.5 V)
待机模式控制
模拟输出
文档编号:002-00219 版本**
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初版
S6E2HE 系列
处理注意事项
6.
所有半导体器件都有一定发生故障的概率。发生故障的概率取决于该器件的使用情况(电路条件、环境条件等)
。本节介绍了必须考
虑的各种注意事项,从而尽可能降低发生故障的概率,并提高赛普拉斯半导体器件的可靠性。
6.1
产品设计注意事项
本节介绍了使用半导体器件进行设计电子设备时需要考虑的各种注意事项。
最大绝对额定值
外界冲击(电压、电流、温度等等)超出某一确定的限制(最大绝对额定值)时,会永久性损坏半导体器件。因此,不要超过这些
额定值。
建议的工作条件
建议的工作条件为半导体器件的典型工作范围。当器件在这些条件下工作时,所有器件的电气特性均得到保证。
始终在所建议的工作条件下使用半导体器件。如果在这些范围外进行操作,会影响可靠性,并会导致器件故障。
对于超出本数据手册中所介绍的使用情况、工作范围或组合条件,赛普拉斯公司不提供任何保证。如果用户考虑使用超出所列条件
的应用,请提前联系销售代表。
引脚处理和保护
当处理引脚时(该引脚将半导体器件连接至电源和输入/输出功能)
,需要遵循以下注意事项。
(1)防止发生过压和过流条件
在任何引脚上施加的电压或电流超过最大额定值时,会降低器件的品质,在极端情况下还会导致器件永久性被损坏。请在设计
阶段尽量避免这种过压或过流条件。
(2)输出引脚保护
将输出引脚与电源引脚或其他输出引脚短接或者将其连接到大电容时,会引起大电流。如果在这种条件下长期使用器件,则会
破坏器件。
因此应该避免发生这种连接。
(3)未使用输入引脚的处理
将空置的输入引脚置于极高阻抗电平会影响到运行的稳定性。应该在这些引脚和电源引脚或接地引脚之间连接一个大小合适的
电阻。
代码:DS00-00004-3E
文档编号:002-00219 版本**
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初版
S6E2HE 系列
栓锁
半导体器件由基板上的 P 型和 N 型区域构成。当施加异常高的电压时,可能会形成内部寄生 PNPN 结(称为晶闸管结构)
,这样会
在电源引脚上连续流过超过几百毫安级的大电流。该状况被称为栓锁。
警告:栓锁事件不仅会降低半导体器件的可靠性,而且会引起由高热量、烟雾或燃烧造成的伤害或损坏。要想防止发生栓锁,请遵
循以下原则:
(1)确保引脚上的电压不会超过最大绝对额定值。也应限制异常噪声、浪涌电平等。
(2)确保在上电序列期间不会出现异常电流。
遵循安全性规定和标准
世界上大多数国家都建立了有关安全性、电磁干扰保护等标准和规定。客户需要遵循这些针对产品设计的规定和标准。
可靠性设计
所有半导体器件都有一定的故障发生概率。您必须在自己的设施和设备中采取安全设计措施,如冗余、防火、过流保护和其他异常
作业条件,以防止由于此类故障造成的伤害、损坏或损失。
器件使用的注意事项
赛普拉斯半导体器件适用于各种标准应用(电脑、办公自动化以及其他办公设备、工业、通信、测量设备、个人或家用设备等)
。
警告:如果客户考虑在特殊应用中使用我们的产品,即故障或异常操作可能会直接影响到生命安全,造成人身伤害或财产损失的应
用,或者要求极高可靠性的应用(如航空系统、原子能控制、海底中继器、车辆运行控制、生命保障医疗设备等)
,务必预先联系销
售代表。如果未经批准,本公司将不对这种使用情况所造成的损害负责。
6.2
封装安装注意事项
封装安装可能包括插件和表面安装两种类型。在这两种情况中,为了保证对应焊接的耐热能力,请遵照赛普拉斯的建议条件进行安
装。更多有关安装条件的信息,请联系您的销售代表。
插件类型
通过以下两种方法可以将插件类型封装安装在印刷电路板上:电路板上直接焊接或使用插座安装。
电路板上直接安装通常需要将引脚插入到电路板上的过孔,然后采用液体焊料的波峰焊方法。在这种方法中,焊接过程通常会使引
脚承受超过存储温度绝对额定值的热冲击。安装程序应该符合赛普拉斯所建议的安装条件。
如果采用插座安装,长期使用后插座触点和 IC 引脚的表面处理差异会使两者贴接质量降低。因此,建议在安装之前验证插座触点和
IC 引脚的表面处理情况。
表面安装类型
与插件类型封装相比,表面安装封装的引脚更长且更薄,因此它们更容易变形或弯曲。使用更多引脚和间距更小的封装时,更易损
坏,增加引脚变形造成的连接开路,或由焊料接导致的短路。
您必须使用合适的安装技术。赛普拉斯建议使用回流焊,并为每个产品的各个焊接条件制定了规范。用户应该根据赛普拉斯所建议
的条件级别来安装封装。
无铅封装
警告:当使用 Sn-Pb 共晶焊料来焊接带 Sn-Ag-Cu 球形焊盘的球栅阵列(BGA)封装时,芯片的结强度可能会在某些使用条件下降
低。
文档编号:002-00219 版本**
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初版
S6E2HE 系列
半导体器件存储
由于塑料芯片封装是由塑料树脂构成的,因此接触自然环境时它会吸收潮气。在焊接过程中,如果受潮封装被加热,则表面会剥落,
从而使防潮性能降低并使封装破裂。要想防止这种情况,请遵循以下原则:
(1)避免外界温度剧烈变化,否则潮气会在产品内冷凝成水珠。将产品存储在温度变化小的环境内。
(2)使用干燥箱存储产品。应将产品存储在相对湿度低于 70%、温度为 5°C 到 30°C 的环境内。
打开干燥封装时,建议环境相对湿度为 40%到 70%。
(3)需要时,赛普拉斯将半导体器件包装在带有硅胶干燥剂的高防潮铝膜真空包装袋内。应将器件密封在这些铝膜真空包装袋内来储
存它们。
(4)避免将这些封装存储在存在腐蚀性气体或含高粉尘的环境中。
烘烤
已经吸潮的包装可通过烘烤(热烘)除湿。请遵照赛普拉斯所建议的条件进行烘烤。
条件:125°C/24 h
静电
由于静电非常容易对半导体器件产生不利影响,因此必须遵照以下注意事项:
(1)将工作环境的相对湿度保持为 40%到 70%。也可能需要离子产生设备以去除静电。
(2)通过电气方式将所有输料机、焊舱、焊铁和外围设备接地。
(3)使用通过高电阻(1 MΩ 左右)接地的手环或戒指来消除人体静电。
建议穿导电的衣服和鞋,使用导电地垫和其他方法,尽量减少静电引起的冲击能量。
(4)将所有夹具和仪器接地,或采用其它防静电措施。
(5)避免使用聚苯乙烯泡沫塑料或其他易带静电的材料存储电路板组件成品。
文档编号:002-00219 版本**
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初版
S6E2HE 系列
使用环境注意事项
6.3
如前面章节所述,半导体器件的可靠性取决于环境温度和其他条件。
为使性能可靠,请遵守以下原则:
(1)湿度
在高湿环境下长期使用会导致器件间的电流泄漏,印刷电路板之间同理。如能预知应用于高湿环境,则需要考虑额外的防潮措
施。
(2)静电放电
当高压带电物体靠近半导体器件时,放电会引起运行异常。在这种情况下,请使用防静电措施或工艺来防止放电发生。
(3)腐蚀性气体、粉尘或油
暴露在腐蚀性气体、粉尘或油等环境时可能会引起化学反应,从而对该器件产生不利影响。如果在这些条件下使用器件,则需
要考虑采取措施防止器件暴露于此类物质中以保护器件。
(4)辐射,包括宇宙射线
大多数的器件设计并没考虑到应对辐射或宇宙辐线的措施。因此,用户最好适当屏蔽。
(5)烟雾、燃烧
警告:塑封器件易燃,因此需要远离易燃物质。如果设备冒烟或燃烧,存在释放有毒气体的危险。
如果客户考虑在其他特殊环境条件下使用赛普拉斯产品,请联系销售代表。
请在以下 URL 中查看最新注意事项。
http://www.spansion.com/fjdocuments/fj/datasheet/e-ds/DS00-00004.pdf
文档编号:002-00219 版本**
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S6E2HE 系列
器件注意事项
7.
电源引脚
产品带有多个 VCC 和 VSS 引脚时,同电位上的相应引脚在器件内已经互连,以防止发生栓锁等故障。但是所有这些引脚应当通过
外部连接到电源或地上,以降低电磁辐射水平、防止地电位上升导致的选通信号异常操作,并符合额定的输出总电流。
另外,请确保连接电源时,器件的 POWER 引脚和 GND 引脚为低阻抗。另外建议在靠近器件的范围内将约 0.1 µF 的旁路陶瓷电容
放置在 VCC 和 VSS 之间。
电源引脚
当电源电压快速波动时,即使该波动处于 VCC 电源电压的保证工作范围,也可能发生故障。 作为电压稳定规则,必须使工频(50
Hz/60 Hz)的 VCC 纹波(峰-峰值)波动不超过 VCC 标称值的 10%,并且瞬间波动斜率不能超过 0.1 V/μs,尤其注意上下电时。
晶体振荡器电路
X0/X1 和 X0A/X1A 引脚附近的噪声可能导致器件故障。设计印刷电路板时应使 X0/X1、 X0A/X1A 引脚、晶振(或陶振)以及对地
旁路电容尽可能靠近器件。
强烈建议在设计 PCB 时,使地平面环绕 X0/X1 和 X0A/X1A 引脚,以确保运行稳定。
用电路板上的晶体振荡器来评估振荡质量。
副晶体振荡器
该器件系列的副振荡电路为保持低功耗而采用低增益电路。
为了使振荡稳定,晶体振荡器需要满足以下条件:
表面安装类型
大小:
负载电容:
3.2 mm × 1.5 mm 以上
约为 6 pF 到 7 pF
插件类型
负载电容:
文档编号:002-00219 版本**
约为 6 pF 到 7 pF
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S6E2HE 系列
外部时钟的使用
将外部时钟用作为主时钟的输入时,需要将 X0/X1 设置为外部时钟输入模式,并从 X0 输入。X1(PE3)可以作为通用 I/O 端口使
用。
同样,将外部时钟用作为副时钟的输入时,需要将 X0A/X1A 设置为外部时钟输入模式,并从 X0A 输入。X1A(P47)可以作为通
用 I/O 端口使用。
外部时钟使用示例
器件
X0(X0A)
设置为外部时钟输入
可以作为通用 I/O
端口使用
X1(PE3)
、X1A(P47)
多功能串行引脚作为 I2C 引脚时的注意事项
将多功能引脚用作为 I2C 引脚时,数字输出的 P 通道晶体管始终被关闭。
然而,类似于其他引脚,I2C 引脚也要符合电气限制规则,并且在断电时,避免将这些引脚连接到外部 I2C 总线系统。
C 引脚
该器件系列内置稳压器。请确保在 C 引脚和 GND 引脚之间为内部稳压器连接一个平滑电容(CS)
。请使用陶瓷电容或频率特性相
似的平滑电容。
然而,某些叠层陶瓷电容会随温度波动引起较大的容值变化(F 特性和 Y5V 特性)
。请评估电容的温度特性,以选择满足运行条件
的电容。
该器件系列建议使用 4.7 μF 大小的平滑电容。
C
器件
CS
VSS
GND
模式引脚(MD0)
将 MD 引脚(MD0)直接连接到 VCC 或 VSS 引脚上。设计印刷电路板时,请确保上拉/下拉电阻保持低阻抗,模式引脚和 VCC/VSS
引脚之间的距离应尽可能小,并且在将引脚上拉/下拉时(如切换引脚电平和重新编写闪存数据)
,连接阻抗也要低。这是为了避免
器件因有噪声而错误切换到测试模式。
文档编号:002-00219 版本**
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S6E2HE 系列
上电时的注释
请按照以下顺序或同时打开/关闭电源。
如果未使用 A/D 转换器和 D/A 转换器,请将 AVCC 连接到 VCC 上,将 AVSS 连接到 VSS。
上电:
断电:
VBAT → VCC
VCC → AVCC → AVRH
VCC → VBAT
AVRH → AVCC → VCC
串行通信
实现串行通信时,噪声或其他问题可能导致接收到错误数据。
因此,需要设计一个印刷电路板以避免噪声。
考虑到因有噪声而收到错误数据的情况,请执行错误检测(如在数据结尾处添加校验和)
。如果检测到某种错误,应重新传输数据。
不同存储器大小产品间的特性差异,以及闪存产品和 MASK 产品之间的特性差异。
由于芯片布局和存储器结构不一样,因此存储器大小不同的产品间以及闪存产品和 MASK 产品之间的电气特性(包括功耗、ESD、
栓锁、噪声和振荡特性)可能存在差异。
如果您切换到同一系列中的其他产品,则必须评估电气特性。
可承受 5 V 输入 I/O 的上拉功能
当使用可承受 5 V 输入 I/O 的上拉功能时,请勿输入超过 VCC 电压的信号。
在电路板上使相邻连线互接
如果晶体振荡器电路 X1A 的连线与 P48/VREGCTL 的连线邻接且并行运行,那么振荡器可能会错误计数。这是因为 P48/VREGCTL
的更改使 X1A 产生噪声。在两个连线之间保持尽可能大的距离,并插入一个接地图案以避免这种情况。
器件
P 46/
X0A
P 47/
X1A
P 48/
P 49/
V R E G CTL V W AKE U P
避免并行走线
接地
插入接地图案
使用调试引脚时的注意事项
将调试引脚(TDO/TMS/TDI/TCK/TRSTX 或 SWO/SWDIO/SWCLK)设置为 GPIO 或其他外设功能时,只能将它们设置为输出引
脚,不能设置为输入引脚。
文档编号:002-00219 版本**
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初版
8.
S6E2HE 系列
框图
S6E2HE4E/F/G, S6E2HE6E/F/G
TRSTX,TCK,
TDI,TMS
TDO
SWJ-DP
ETM*
TRACEDx,
TRACECLK
TPIU*
ROM
Table
SRAM0
16/32 Kbytes
SRAM1
8/16 Kbytes
Cortex-M4 Core I
@160 MHz(Max)
D
MPU NVIC
Multi-layer AHB (Max 160 MHz)
FPU
Sys
AHB-APB Bridge:
APB0(Max 80 MHz)
Dual-Timer
Watchdog Timer
(Software)
Clock Reset
Generator
INITX
Watchdog Timer
(Hardware)
CSV
SRAM2
8/16 Kbytes
MainFlash I/F
Trace Buffer
(16 Kbytes)
Security
WorkFlash I/F
MainFlash
512 Kbytes/
256 Kbytes
WorkFlash
32 Kbytes
DMAC
8ch.
CLK
DSTC
SD-CARD I/F
X0A
X1A
PLL
VBAT Domain
Sub
Osc
AHB-AHB Bridge
Source Clock
Main
Osc
X0
X1
CR
100 kHz
CR
4 MHz
GPIO
PIN-Function-Ctrl
CROUT
S_CLK,S_CMD
S_DATAx
S_CD,S_WP
P0x,
P1x,
.
.
.
PEx
MADx
External Bus I/F
MADATAx
12-bit A/D Converter
Unit 0
ADTGx
TIOAx
TIOBx
AINx
BINx
ZINx
Unit 1
Unit 2
FRCK0
QPRC
3ch.
16-bit Input Capture
4ch.
16-bit Free-run Timer
3ch.
16-bit Output Compare
6ch.
DTTI0X
RTO0x
Power-On
Reset
Base Timer
16-bit 16ch./
32-bit 8ch.
A/D Activation Compare
6ch.
IC0x
MCSXx,MDQMx,
MOEX,MWEX,
MALE,MRDY,
MNALE,MNCLE,
MNWEX,MNREX,
MCLKOUT,MSDWEX,
MSDCLK,MSDCKE,
MRASX,MCASX
Waveform Generator
3ch.
16-bit PPG
3ch.
Multi-function Timer × 3
AHB-APB Bridge : APB2 (Max 80 MHz)
ANxx
AHB-APB Bridge : APB1 (Max 160 MHz)
AVCC,
AVSS,
AVRH
LVD Ctrl
LVD
IRQ-Monitor
Regulator
C
CRC Accelerator
Watch Counter
Deep Standby Ctrl
WKUPx
Peripheral Clock Gating
Low-speed CR Prescaler
VBAT Domain
Real-Time Clock
Port Ctrl.
VWAKEUP
VREGCTL
RTCCO,
SUBOUT
External Interrupt
Controller
16pin + NMI
INTx
NMIX
MODE-Ctrl
MD0,
MD1
Multi-function Serial I/F
8ch.
HW flow control(ch.4)
SCKx
SINx
SOTx
CTS4
RTS4
12-bit D/A Converter
2units
DAx
*:对于 S6E2HE4E0A 和 S6E2HE6E0A,ETM 不可用。
文档编号:002-00219 版本**
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初版
9.
S6E2HE 系列
存储器大小
请参考第 1 章产品系列来确定存储器大小。
10.
存储空间分配
存储空间分配(1)
Peripherals Area
0x41FF_FFFF
Reserved
0x4007_0000
0x4006_F000
0x4006_E000
0x4006_C000
GPIO
SD-Card I/F
0xFFFF_FFFF
Reserved
Reserved
0xE010_0000
0xE000_0000
0xD000_0000
Cortex-M4 Private
Peripherals
Reg. Area
0x4006_2000
0x4006_1000
0x4006_0000
External Device
Area
0x4004_0000
0x4003_F000
DSTC
DMAC
Reserved
EXT-bus I/F
0x6000_0000
Reserved
Reserved
0x4400_0000
0x4200_0000
0x4003_C800
32 Mbytes
Bit band alias
0x4003_C100
0x4003_B000
Peripherals
0x4000_0000
0x4003_A000
0x4003_9000
0x4003_8000
Reserved
0x2400_0000
0x2200_0000
0x4003_6000
32 Mbytes
Bit band alias
0x4003_5000
0x2010_0000
0x200E_0000
0x200C_0000
0x2004_4000
See "Memory Map(2)" for the
memory size details.
0x2004_0000
0x2003_C000
0x2000_0000
0x1FFF_8000
0x0050_0000
0x0040_0000
Reserved
SRAM2
SRAM1
Reserved
SRAM0
Reserved
Security/CR Trim
MainFlash
0x0000_0000
0x4003_0000
0x4002_F000
0x4002_E000
LVD/DS mode
Reserved
Int-Req.Read
EXTI
Reserved
CR Trim
Reserved
0x4002_8000
0x4002_7000
0x4002_6000
0x4002_5000
0x4002_4000
0x4002_3000
0x4002_2000
0x4002_1000
0x4002_0000
0x4001_6000
0x4001_5000
0x4001_3000
0x4001_2000
0x4001_1000
0x4001_0000
0x4000_1000
0x4000_0000
文档编号:002-00219 版本**
Reserved
0x4003_2000
0x4003_1000
Work Flash I/F
Work Flash
RTC/Port Ctrl
Watch Counter
CRC
MFS
0x4003_4000
0x4003_3000
Reserved
Peripheral Clock Gating
0x4003_C000 Low Speed CR Prescaler
A/DC
QPRC
Base Timer
PPG
Reserved
MFT Unit2
MFT Unit1
MFT Unit0
Reserved
Dual Timer
Reserved
SW WDT
HW WDT
Clock/Reset
Reserved
MainFlash I/F
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S6E2HE 系列
存储空间分配(2)
S6E2HE6E0A
S6E2HE6F0A
S6E2HE6G0A
0x2020_0000
S6E2HE4E0A
S6E2HE4F0A
S6E2HE4G0A
0x2020_0000
保留
0x200C_8000
0x200C_0000
保留
0x200C_8000
工作闪存
32 KB
0x200C_0000
工作闪存
32 KB
保留
保留
0x2004_4000
SRAM2
16 KB
0x2004_0000
0x2004_2000
0x2004_0000
SRAM1
16 KB
0x2003_E000
SRAM2
8 KB
SRAM1
8 KB
0x2003_C000
保留
保留
0x2000_0000
0x2000_0000
SRAM0
32 KB
0x1FFF_C000
SRAM0
16 KB
0x1FFF_8000
保留
保留
0x0040_6000
0x0040_6000
0x0040_4000
0x0040_2000
通用
CR 调整
0x0040_0000
安全性
0x0040_0000
0x0040_4000
0x0040_2000
通用
CR 调整
安全性
保留
0x0008_0000
保留
主闪存
512 KB
0x0004_0000
主闪存
256 KB
0x0000_0000
文档编号:002-00219 版本**
0x0000_0000
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初版
S6E2HE 系列
外设地址分配
起始地址
0x4000_0000
0x4000_1000
0x4001_0000
0x4001_1000
0x4001_2000
0x4001_3000
0x4001_5000
0x4001_6000
0x4002_0000
0x4002_1000
0x4002_2000
0x4002_3000
0x4002_4000
0x4002_5000
0x4002_6000
0x4002_7000
0x4002_8000
0x4002_E000
0x4002_F000
0x4003_0000
0x4003_1000
0x4003_2000
0x4003_3000
0x4003_4000
0x4003_5000
0x4003_5800
0x4003_6000
0x4003_8000
0x4003_9000
0x4003_A000
0x4003_B000
0x4003_C000
0x4003_C100
0x4003_C800
0x4003_F000
0x4004_0000
0x4006_0000
0x4006_1000
0x4006_24000
0x4006_E000
0x4006_F000
0x4006_7000
0x200E_0000
文档编号:002-00219 版本**
结束地址
0x4000_0FFF
0x4000_FFFF
0x4001_0FFF
0x4001_1FFF
0x4001_2FFF
0x4001_4FFF
0x4001_5FFF
0x4001_FFFF
0x4002_0FFF
0x4002_1FFF
0x4002_2FFF
0x4003_FFFF
0x4002_4FFF
0x4002_5FFF
0x4002_6FFF
0x4002_7FFF
0x4002_DFFF
0x4002_EFFF
0x4002_FFFF
0x4003_0FFF
0x4003_1FFF
0x4003_4FFF
0x4003_3FFF
0x4003_4FFF
0x4003_57FF
0x4003_5FFF
0x4003_7FFF
0x4003_8FFF
0x4003_9FFF
0x4003_AFFF
0x4003_BFFF
0x4003_C0FF
0x4003_C7FF
0x4003_EFFF
0x4003_FFFF
0x4005_FFFF
0x4006_0FFF
0x4006_1FFF
0x4006_DFFF
0x4006_EFFF
0x4006_FFFF
0x41FF_FFFF
0x200E_FFFF
总线
AHB
APB0
APB1
APB2
AHB
外设
主闪存 I/F 寄存器
保留
时钟/复位控制
硬件看门狗定时器
软件看门狗定时器
保留
双定时器
保留
多功能定时器单元 0
多功能定时器单元 1
多功能定时器单元 2
保留
PPG
基础定时器
正交位置/转数计数器
A/D 转换器
保留
内部 CR 调整
保留
外部中断控制器
中断请求批量读取功能
保留
D/A 转换器
保留
低电压检测
深度待机模式控制器
保留
多功能串行接口
CRC
计时计数器
RTC/端口控制
低速 CR 预分频器
外设时钟门控
保留
外部存储器接口
保留
DMAC 寄存器
DSTC 寄存器
保留
SD 卡 I/F
GPIO
保留
工作闪存 I/F 寄存器
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初版
11.
S6E2HE 系列
各 CPU 模式下的引脚状态
描述引脚状态的术语含义如下:
INITX=0
表示 INITX 引脚为低电平的时间。
INITX=1
表示 INITX 引脚为高电平的时间。
SPL=0
表示待机模式控制寄存器(STB_CTL)中的待机引脚电平设置位(SPL)被设置为 0。
SPL=1
表示待机模式控制寄存器(STB_CTL)中的待机引脚电平设置位(SPL)被设置为 1。
输入有效
表示输入功能有效。
内部输入固定为 0
输入功能被禁止。内部输入固定为低电平。
高阻态
引脚驱动晶体管被禁止,引脚处于高阻态。
设置无效
表示设置无效。
保持之前的状态
保持进入当前模式前的瞬间状态。
如果内置外设功能正在运行,则引脚上的信号变化取决于外设功能。
如果该引脚为端口,则输出前状态。
模拟输入有效
表示模拟输入有效。
追踪输出
表示可以使用追踪功能。
GPIO 功能
在深度待机模式下,引脚切换到通用 I/O 端口。
设置禁止
根据规范被禁止的设置项。
文档编号:002-00219 版本**
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初版
S6E2HE 系列
引脚状态类型
引脚状态列表
上电复位或
低电压检测
状态
INITX
输入
状态
器件内部
复位状态
供电电压
未稳定
‐
‐
供电电压
供电电压
稳定
稳定
INITX = 0 INITX = 1 INITX = 1
‐
‐
‐
设置
无效
设置
无效
设置
无效
主晶体
振荡器
输入引脚/
外部主时钟
输入引脚
输入
有效
输入
有效
输入
有效
GPIO
功能
设置
无效
设置
无效
设置
无效
外部主时钟
输入引脚
设置被
禁用
设置被
禁用
设置被
禁用
主晶体
振荡器
输出引脚
高阻态/
内部输入
固定为 0/
输入使能
高阻态/ 高阻态/
内部输入 内部输入
固定为 0 固定为 0
C
INITX
输入引脚
上拉/
输入使能
上拉/
上拉/
输入使能 输入使能
D
模式
输入引脚
输入
使能
输入
使能
模式
输入引脚
输入
使能
GPIO
功能
设置被
禁用
B
E
定时器模式、
RTC 模式或
停止模式状态
深度待机 RTC 模式或深度 深度待机模式
待机停止模式状态
返回状态
功能组
GPIO
功能
A
运行模式或
睡眠模式
状态
文档编号:002-00219 版本**
供电电压
稳定
INITX = 1
SPL = 0
SPL = 1
高阻态/
保持之前的 保持之前的
内部输入
状态
状态
固定为 0
输入
有效
输入
有效
供电电压
稳定
INITX = 1
SPL = 0
SPL = 1
GPIO 功能
高阻态/
内部输入
内部输入
固定为 0
固定为 0
供电电压
稳定
INITX = 1
‐
GPIO
功能
输入
有效
输入
有效
输入
有效
输入
有效
保持之前的 保持之前的
状态
状态
高阻态/
内部输入
固定为 0
GPIO 功能
内部输入
固定为 0
高阻态/
内部输入
固定为 0
GPIO
功能
保持之前的 保持之前的
状态
状态
高阻态/
内部输入
固定为 0
保持之前的
状态
高阻态/
内部输入
固定为 0
保持之前的
状态
保持之前的状态/
当振荡停止时*1,高阻态/
内部输入固定为 0
上拉/
输入使能
上拉/
输入使能
上拉/
输入使能
上拉/
输入使能
上拉/
输入使能
上拉/
输入使能
输入
使能
输入
使能
输入
使能
输入
使能
输入
使能
输入
使能
输入
使能
输入
使能
输入
使能
输入
使能
输入
使能
输入
使能
输入
使能
输入
使能
输入
使能
设置被
禁用
设置被
禁用
高阻态/
输入使能
GPIO
功能
高阻态/
输入使能
GPIO
功能
保持之前的 保持之前的
状态
状态
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引脚状态类型
初版
上电复位或
低电压检测
状态
器件内部
复位状态
供电电压
未稳定
‐
‐
其它外设
功能
设置被
禁用
高阻态
GPIO
功能
JTAG
功能
高阻态
GPIO
功能
设置被
禁用
JTAG
功能
高阻态
供电电压
供电电压
稳定
稳定
INITX = 0 INITX = 1 INITX = 1
‐
‐
‐
设置被
禁用
其它外设
功能
GPIO
功能
设置被
禁用
外设功能
I
GPIO
功能
模拟输出
功能
J
定时器模式、
RTC 模式或
停止模式状态
高阻态/ 高阻态/
输入使能 输入使能
上拉/
上拉/
输入使能 输入使能
其它外设
功能
高阻态
设置被
禁用
高阻态
GPIO
功能
文档编号:002-00219 版本**
设置被
禁用
供电电压
稳定
INITX = 1
SPL = 0
SPL = 1
设置被
禁用
G
H
运行模式或
睡眠模式
状态
深度待机 RTC 模式或深度 深度待机模式
待机停止模式状态
返回状态
功能组
NMIX 引脚
F
INITX
输入
状态
S6E2HE 系列
设置被
禁用
保持之前的
状态
保持之前的 保持之前的
状态
状态
保持之前的 保持之前的
状态
状态
上拉/
上拉/
输入使能 输入使能
设置被
禁用
设置被
禁用
保持之前的 保持之前的
状态
状态
高阻态/ 高阻态/ 保持之前的 保持之前的
输入使能 输入使能
状态
状态
设置被
禁用
设置被
禁用
高阻态/ 高阻态/
输入使能 输入使能
供电电压
稳定
INITX = 1
SPL = 0
SPL = 1
*2
保持之前的
状态
保持之前的
状态
高阻态/
内部输入
固定为 0
唤醒
输入使能
高阻态/
唤醒
输入使能
供电电压
稳定
INITX = 1
‐
GPIO
功能
保持之前的
状态
保持之前的
状态
保持之前的
状态
保持之前的
状态
保持之前的
状态
高阻态/
内部输入
固定为 0
GPIO 功能
内部输入
固定为 0
高阻态/
内部输入
固定为 0
GPIO
功能
保持之前的
状态
保持之前的
状态
保持之前的
状态
保持之前的
状态
高阻态/
内部输入
固定为 0
GPIO 功能
内部输入
固定为 0
高阻态/
内部输入
固定为 0
GPIO
功能
高阻态/
内部输入
固定为 0
GPIO 功能
内部输入
固定为 0
高阻态/
内部输入
固定为 0
GPIO
功能
GPIO 功能
内部输入
固定为 0
高阻态/
内部输入
固定为 0
GPIO
功能
*3
高阻态/
内部输入
固定为 0
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引脚状态类型
初版
上电复位或
低电压检测
状态
器件内部
复位状态
运行模式或
睡眠模式
状态
定时器模式、
RTC 模式或
停止模式状态
深度待机 RTC 模式或深度 深度待机模式
待机停止模式状态
返回状态
功能组
供电电压
未稳定
‐
‐
外部中断
使能
其它外设
功能
K
INITX
输入
状态
S6E2HE 系列
设置被
禁用
设置被
禁用
供电电压
稳定
INITX = 1
SPL = 0
SPL = 1
设置被
禁用
高阻态
高阻态/ 高阻态/
输入使能 输入使能
高阻态
高阻态/ 高阻态/
内部输入 内部输入
固定为 0/ 固定为 0/
模拟
模拟
输入使能 输入使能
GPIO
功能
模拟输入
功能
供电电压
供电电压
稳定
稳定
INITX = 0 INITX = 1 INITX = 1
‐
‐
‐
供电电压
稳定
INITX = 1
SPL = 0
SPL = 1
供电电压
稳定
INITX = 1
‐
保持之前的
状态
保持之前的 保持之前的
状态
状态
高阻态/
内部输入
固定为 0/
模拟
输入使能
高阻态/
内部输入
固定为 0/
模拟
输入使能
GPIO 功能
内部输入
固定为 0
高阻态/
内部输入
固定为 0
GPIO
功能
高阻态/
内部输入
固定为 0/
模拟
输入使能
高阻态/
内部输入
固定为 0/
模拟
输入使能
高阻态/
内部输入
固定为 0/
模拟
输入使能
高阻态/
内部输入
固定为 0/
模拟
输入使能
高阻态/
内部输入
固定为 0
GPIO 功能
内部输入
固定为 0
高阻态/
内部输入
固定为 0
GPIO
功能
高阻态/
内部输入
固定为 0/
模拟
输入使能
高阻态/
内部输入
固定为 0/
模拟
输入使能
高阻态/
内部输入
固定为 0/
模拟
输入使能
高阻态/
内部输入
固定为 0/
模拟
输入使能
GPIO 功能
内部输入
固定为 0
高阻态/
内部输入
固定为 0
GPIO
功能
高阻态/
内部输入
固定为 0/
模拟
输入使能
高阻态/
内部输入
固定为 0/
模拟
输入使能
高阻态/
内部输入
固定为 0/
模拟
输入使能
高阻态/
内部输入
固定为 0/
模拟
输入使能
Trace 输出
高阻态/
内部输入
固定为 0
GPIO 功能
内部输入
固定为 0
高阻态/
内部输入
固定为 0
GPIO
功能
高阻态/
内部输入
固定为 0
L
其它外设
功能
设置被
禁用
设置被
禁用
设置被
禁用
保持之前的 保持之前的
状态
状态
GPIO
功能
模拟输入
功能
高阻态
高阻态/ 高阻态/
高阻态/
高阻态/
内部输入 内部输入 内部输入固 内部输入
固定为 0/ 固定为 0/
定为 0/
固定为 0/
模拟
模拟
模拟
模拟
输入使能 输入使能 输入使能
输入使能
M
外部中断
使能
其它外设
功能
GPIO
功能
保持之前的
状态
设置被
禁用
模拟输入
功能
高阻态
Trace 功能
其它外设
功能
GPIO 功能
设置被
禁用
N
文档编号:002-00219 版本**
设置被
禁用
设置被
禁用
高阻态/ 高阻态/
内部输入 内部输入
固定为 0/ 固定为 0/
模拟
模拟
输入使能 输入使能
设置被
禁用
设置被
禁用
保持之前的 保持之前的
状态
状态
高阻态/
内部输入
固定为 0/
模拟
输入使能
高阻态/
内部输入
固定为 0/
模拟
输入使能
保持之前的 保持之前的
状态
状态
高阻态/
内部输入
固定为 0
页 66/164
引脚状态类型
初版
上电复位或
低电压检测
状态
INITX
输入
状态
器件内部
复位状态
定时器模式、
RTC 模式或
停止模式状态
深度待机 RTC 模式或深度 深度待机模式
待机停止模式状态
返回状态
功能组
供电电压
未稳定
‐
‐
模拟输入
功能
高阻态
供电电压
供电电压
稳定
稳定
INITX = 0 INITX = 1 INITX = 1
‐
‐
‐
高阻态/ 高阻态/
高阻态/
内部输入 内部输入 内部输入
固定为 0/ 固定为 0/ 固定为 0/
模拟
模拟
模拟
输入使能 输入使能 输入使能
Trace 功能
O
运行模式或
睡眠模式
状态
S6E2HE 系列
外部中断
使能
其它外设
功能
设置被
禁用
GPIO
功能
文档编号:002-00219 版本**
设置被
禁用
设置被
禁用
供电电压
稳定
INITX = 1
SPL = 0
SPL = 1
高阻态/
高阻态/
内部输入
内部输入
固定为 0/
固定为 0/
模拟
模拟
输入使能
输入使能
Trace
输出
保持之前的 保持之前的
状态
状态
保持之前的
状态
高阻态/
内部输入
固定为 0
供电电压
稳定
INITX = 1
SPL = 0
SPL = 1
高阻态/
高阻态/
内部输入
内部输入
固定为 0/
固定为 0/
模拟
模拟
输入使能
输入使能
GPIO
功能
内部输入
固定为 0
高阻态/
内部输入
固定为 0
供电电压
稳定
INITX = 1
‐
高阻态/
内部输入
固定为 0/
模拟
输入使能
GPIO
功能
页 67/164
引脚状态类型
初版
上电复位或
低电压检测
状态
INITX
输入
状态
器件内部
复位状态
运行模式或
睡眠模式
状态
S6E2HE 系列
定时器模式、
RTC 模式或
停止模式状态
功能组
供电电压
未稳定
‐
‐
模拟输入
功能
高阻态
供电电压
供电电压
稳定
稳定
INITX = 0 INITX = 1 INITX = 1
‐
‐
‐
高阻态/ 高阻态/
高阻态/
内部输入 内部输入 内部输入
固定为 0/ 固定为 0/ 固定为 0/
模拟
模拟
模拟
输入使能 输入使能 输入使能
供电电压
稳定
INITX = 1
SPL = 0
SPL = 1
高阻态/
高阻态/
内部输入
内部输入
固定为 0/
固定为 0/
模拟
模拟
输入使能
输入使能
唤醒
功能
P
其它外设
功能
唤醒
功能
外部中断
使能
其它外设
功能
供电电压
稳定
INITX = 1
SPL = 0
SPL = 1
高阻态/
高阻态/
内部输入
内部输入
固定为 0/
固定为 0/
模拟
模拟
输入使能
输入使能
高阻态/
唤醒
WKUP
输入使能
输入使能
保持之前的
状态
设置被
禁用
设置被
禁用
设置被
禁用
保持之前的 保持之前的
状态
状态
GPIO
功能
Q
深度待机 RTC 模式或深度 深度待机模式
待机停止模式状态
返回状态
设置被
禁用
设置被
禁用
设置被
禁用
高阻态/
内部输入
固定为 0
高阻态/ 高阻态/
输入使能 输入使能
高阻态/
内部输入
固定为 0
唤醒输入
允许
高阻态/
唤醒
输入使能
GPIO 功能
内部输入
固定为 0
高阻态/
内部输入
固定为 0
保持之前的
状态
保持之前的 保持之前的
状态
状态
高阻态
GPIO 功能
内部输入
固定为 0
高阻态/
内部输入
固定为 0
供电电压
稳定
INITX = 1
‐
高阻态/
内部输入
固定为 0/
模拟
输入使能
GPIO
功能
GPIO
功能
GPIO
功能
*1:在副定时器模式、副 CR 定时器模式、RTC 模式、停止模式、深度待机 RTC 模式和深度待机停止模式下,振荡停止。
*2:在定时器模式下保持之前的状态。在 RTC 模式和停止模式下,GPIO 内部输入固定为 0。
*3:在定时器模式下保持之前的状态。在 RTC 模式和停止模式下,高阻态/内部输入固定为 0。
文档编号:002-00219 版本**
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初版
S6E2HE 系列
VBAT 引脚状态类型
VBAT 域引脚状态列表
VBAT
INITX 器件内部
上电复位 输入状态 复位状态
运行模式
或睡眠
模式状态
定时器模式、
RTC 模式或
停止模式状态
深度待机 RTC 模式 深度待机
或深度待机停止模式 模式返回
状态
模式状态
功能组
供电电压
供电电压
供电电压
供电电压
不稳定
稳定
稳定
稳定
‐
INITX = 0 INITX = 1 INITX = 1
INITX = 1
‐
‐
‐
‐
SPL = 0 SPL = 1
设置被 保持之前 保持之前 保持之前 保持之前 保持之前
禁用
的状态
的状态
的状态
的状态
的状态
GPIO
功能
副晶体振荡
S
器输入引脚/
输入
输入
输入
输入
输入
输入
外部副时钟
使能
使能
使能
使能
使能
使能
输入引脚
设置被 保持之前 保持之前 保持之前 保持之前 保持之前
GPIO
功能
禁用
的状态
的状态
的状态
的状态
的状态
外部副时钟 设置被 保持之前 保持之前 保持之前 保持之前 保持之前
输入引脚
禁用
的状态
的状态
的状态
的状态
的状态
T
保持之前 保持之前
高阻态/
副晶体
的状态/
的状态/
内部输入 保持之前 保持之前 保持之前
振荡器
振荡
振荡
固定为 0/ 的状态
的状态
的状态
输入引脚
停止,
停止,
输入使能
高阻态*
高阻态*
VBAT
VBAT
RTC
RTC
模式返回
模式状态
状态
供电电压
供电电压 供电电压 供电电压
稳定
稳定
稳定
稳定
INITX = 1
INITX = 1
‐
‐
SPL = 0 SPL = 1
‐
‐
‐
保持之前 保持之前
GPIO
设置
‐
功能
的状态
的状态
禁止
输入
使能
输入
使能
输入
使能
保持之前 保持之前
的状态
的状态
保持之前 保持之前
的状态
的状态
保持之前 保持之前
的状态
的状态
保持之前 保持之前
的状态/
的状态/
振荡
振荡
停止,
停止,
高阻态* 高阻态*
GPIO
功能
保持之前
的状态
设置禁止
保持之前
的状态
保持之前 保持之前
的状态
的状态
保持之前 保持之前
的状态
的状态
保持之前
的状态
保持之前 保持之前
的状态
的状态
‐
保持之前 保持之前
的状态
的状态
外设功能
高阻态
U
GPIO
功能
保持之前 保持之前 保持之前 保持之前 保持之前
的状态
的状态
的状态
的状态
的状态
*:当 WTOSCCNT 寄存器中 SOSCNTL 位的值为‘0’时,副晶体振荡器的输出引脚将保持之前的状态。
当 WTOSCCNT 寄存器中 SOSCNTL 位的值为‘1’时,振荡将停止在停止模式和深度待机停止模式下。
文档编号:002-00219 版本**
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初版
12.
电气特性
12.1
最大绝对额定值
参数
供电电压*1
、*2
、
供电电压(VBAT)*1 *4
、
模拟供电电压*1 *5
、
模拟参考电压*1 *5
符号
S6E2HE 系列
额定值
最大值
VCC
VSS - 0.5
VSS + 6.5
V
VBAT
AVCC
AVRH
VSS - 0.5
VSS - 0.5
VSS - 0.5
VSS + 6.5
VSS + 6.5
VSS + 6.5
VCC + 0.5
(≤ 6.5 V)
V
V
V
VSS + 6.5
V
输入电压*1
VI
VSS - 0.5
VSS - 0.5
模拟引脚输入电压*1
VIA
VSS - 0.5
输出电压*1
VO
VSS - 0.5
低电平最大输出电流*6
IOL
–
低电平平均输出电流*7
IOLAV
–
低电平最大总输出电流
低电平平均总输出电流
∑IOL
∑IOLAV
–
–
高电平最大输出电流*6
IOH
–
IOHAV
–
∑IOH
∑IOHAV
TSTG
–
–
- 55
高电平平均输出电流
*7
高电平最大总输出电流
高电平平均总输出电流
存储温度
*1:这些参数都是基于 VSS = AVSS = 0.0 V。
单位
最小值
备注
V
耐5V
AVCC + 0.5
(≤ 6.5 V)
VCC + 0.5
(≤ 6.5 V)
10
20
20
22.4
4
8
12
20
100
50
- 10
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
4 mA 型
8 mA 型
12 mA 型
I2C Fm+
4 mA 型
8 mA 型
12 mA 型
I2C Fm+
20
- 20
-4
8
- 12
- 100
- 50
+ 150
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
°C
8 mA 型
12 mA 型
4 mA 型
8 mA 型
12 mA 型
V
V
4 mA 型
*2:VCC 不得低于 VSS - 0.5 V。
*3:VBAT 不得低于 VSS - 0.5 V。
*4:请确保电压不超过 VCC + 0.5 V,例如上电时。
*5:最大输出电流被定义为经过任意一个相应引脚的峰值电流。
*6:平均输出电流被定义为 100 ms 内经过任意一个相应引脚的平均电流。
*7:平均总输出电流被定义为 100 ms 内经过所有相应引脚的平均电流。
警告:
−
外界冲击(包括未限制的电压、电流或温度)超过最大绝对额定值会使半导体器件永久性损坏。禁止超过上述任何额定值。
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文档编号:002-00219 版本**
S6E2HE 系列
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初版
12.2
S6E2HE 系列
推荐工作条件
参数
符号
值
条件
最小值
2.7*3
2.7
2.7
*2
- 40
- 40
供电电压
VCC
–
供电电压(VBAT)
VBAT
–
模拟供电电压
AVCC
–
模拟参考电压
AVRH
–
结温
TJ
–
工作温度
环境温度
TA
–
*1:结温(TJ)允许值决定环境温度(TA)的最大动态范围。
环境温度(TA)的计算公式如下:
最大值
5.5
5.5
5.5
AVCC
+ 125
*1
单位
V
V
V
V
°C
°C
备注
AVCC=VCC
TA(最大值)= TJ(最大值)- Pd(最大值)× θja
Pd:
θja:
功耗(W)
封装热阻(°C/W)
Pd(最大值)= VCC × ICC(最大值) + Σ(IOL×VOL)+ Σ(
(VCC-VOH)×(- IOH)
)
IOL:
IOH:
VOL:
VOH:
低电平输出电流
高电平输出电流
低电平输出电压
高电平输出电压
各种封装的热阻和最大允许功耗如下。
当半导体器件功耗小于或等于最大允许值时,可确保正常运行。
*2:模拟参考电压的最小值取决于比较时钟周期值(Tcck)
。更多详细信息,请参考第 12.5 节“12 位 A/D 转换器”。
*3: 如果工作电压等于或大于低压复位/中断检测电压,并且小于供电电压的最小值,这时只能执行由内置高速 CR(包括所使用的
主 PLL)或内置低速 CR 提供时钟的指令和低压检测功能。
各种封装的热阻和最大允许功耗列表
封装
LQH080
(间距为 0.5 mm)
LQI100
(间距为 0.5 mm)
LQM120
(间距为 0.5 mm)
FDI121
(间距为 0.5 mm)
印刷电路板
热阻 θja(°C/W)
单层双面
四层
单层双面
四层
单层双面
四层
单层双面
四层
82
56
59
39
71
50
63
37
最大允许功耗
(mW)
TA = +85°C
TA = +105°C
488
244
714
357
678
339
1026
513
563
282
800
400
635
317
1081
540
警告:
1.
需要遵循所推荐的工作条件,以确保半导体器件正常运行。器件在这些条件下运行时,所有器件的电气特性均
能得到保证。
要根据推荐的工作条件来使用半导体器件。
在其他条件下进行操作可能会影响器件的可靠性,并会导致器件故障。
赛普拉斯公司对本数据手册中没有显示的使用、工作条件或组合不作任何担保。除了这里所列出的条件外,如果您想要在其他条
件下使用这些应用,请提前联系销售部门。
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初版
S6E2HE 系列
功耗(Pd)的计算方法
功耗计算公式如下。
Pd = VCC × ICC + Σ(IOL × VOL)+ Σ(
(VCC-VOH)×(-IOH)
)
IOL:
低电平输出电流
IOH:
高电平输出电流
VOL:
低电平输出电压
VOH:
高电平输出电压
ICC 是器件所消耗的电流。
通过以下公式计算得出该值。
ICC = ICC(INT)+ ΣICC(IO)
ICC(INT)
:
内部逻辑和存储器等电路流过内部稳压器所消耗的电流
ΣICC(IO)
:
输出引脚所消耗的电流总和(I/O 切换电流)
对于 ICC(INT)
,可以参考第 12.3 节“直流特性”中“(1)电流额定值”的内容(该额定值不包括固定引脚上的 ICC(I/O)
)
。
对于 Icc(IO)
,则取决于用户所使用的系统。
计算公式如下。
ICC(IO)= (CINT + CEXT)× VCC × fsw
CINT:
引脚内部负载电容
CEXT:
输出引脚的外部负载电容
fSW:
引脚切换频率
参数
引脚内部负载电容
符号
CINT
条件
电容值
4 mA 型
1.93 pF
8 mA 型
3.45 pF
12 mA 型
3.42 pF
也可按照以下计算 ICC(最大值)的方式,自己评估功耗。
1.
2.
在正常温度(+25°C)下测量电流值 ICC(典型值)
。
再加下表中的最大漏电流值 ICC(leak_max)
。
ICC(最大值)= ICC(典型值) + ICC(leak_max)
参数
工作时的最大漏电流
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符号
ICC(leak_max)
条件
TJ = +125°C
TJ = +105°C
TJ = +85°C
电流值
待定
待定
待定
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初版
S6E2HE 系列
电流示意图
Pd = VCC×ICC + Σ(IOL×VOL)+Σ((VCC-VOH)×(-IOH)
)
ICC = ICC(INT)+ΣICC(IO)
VCC
A
ICC
芯片
ICC(INT)
ΣICC(IO)
A
稳压器
VOL
V
A
・・・
V
IOL
闪存
VOH
IOH
逻辑单元
・・・
RAM
ICC(IO)
CEXT
・・・
文档编号:002-00219 版本**
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初版
直流特性
12.3
12.3.1
S6E2HE 系列
电流额定值
表 12-1 正常工作模式(PLL)下的电流消耗的典型值和最大值,闪存存储器中执行代码(闪存加速器和追踪缓冲区功能使能)
值
引脚
参数
符号
条件
频率*4
单位
备注
1
名称
典型值* 最大值*2
待定
51
160 MHz
待定
47
144 MHz
待定
120 MHz
39
待定
100 MHz
33
*3
待定
80 MHz
27
mA
所有外设时钟工作
待定
60 MHz
20
待定
40 MHz
14
待定
20 MHz
7.6
待定
8 MHz
3.9
待定
2.7
4 MHz
正常工作
*5、*6、
电源电流
ICC
VCC
待定
160
MHz
31
(PLL)
*9
待定
28
144 MHz
待定
120 MHz
23
待定
100 MHz
20
待定
16
*3
80 MHz
mA
所有外设时钟关闭
待定
12
60 MHz
待定
8.7
40 MHz
待定
20 MHz
5.0
待定
8 MHz
2.8
待定
2.1
4 MHz
表 12-2 正常工作模式(PLL)下的电流消耗的典型值和最大值,闪存存储器中执行代码并访问数据(闪存加速器和追踪缓冲区功能
禁止)
值
引脚
参数
符号
条件
频率*7
单位
备注
1
名称
典型值* 最大值*2
电源电流
ICC
VCC
正常工作
(PLL)
*8 、*9
160 MHz
144 MHz
120 MHz
100 MHz
80 MHz
60 MHz
40 MHz
20 MHz
8 MHz
4 MHz
160 MHz
144 MHz
120 MHz
100 MHz
80 MHz
60 MHz
40 MHz
20 MHz
8 MHz
4 MHz
56
51
43
37
30
23
16
8.5
4.3
2.9
30
28
24
20
17
13
9.2
5.3
3.0
2.2
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
mA
*3
所有外设时钟工作
mA
*3
所有外设时钟关闭
待定
待定
待定
*1:TA = +25°C,VCC = 3.3 V
*2:TJ = +125°C,VCC = 5.5 V
*3:所有端口为固定电平
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S6E2HE 系列
*4:频率为 HCLK 值,PCLK0 = PCLK1 = PCLK2 = HCLK/2
*5:允许闪存加速器和追踪缓冲区功能(FRWTR.RWT = 10,FBFCR.BE = 1)
*6:主闪存没有任何数据访问
*7:频率为 HCLK 值,PCLK0 = PCLK2 = HCLK/2,PCLK1 = HCLK
*8:停止闪存加速器和追踪缓冲区功能(FRWTR.RWT = 10,FBFCR.BE = 0)
*9:使用 4 MHz 的晶振(包含振荡电路所消耗的电流)
表 12-3 正常工作模式(PLL)下的电流消耗的典型值和最大值,闪存存储器中执行代码并访问数据(闪存 0 等待周期模式和读访问 0
等待)
参数
符号
引脚
名称
频率*4
(MHz)
72 MHz
60 MHz
条件
48 MHz
36 MHz
电源电流
ICC
VCC
正常工作
(PLL)
*5*6
24 MHz
12 MHz
8 MHz
4 MHz
72 MHz
60 MHz
48 MHz
36 MHz
24 MHz
12 MHz
8 MHz
4 MHz
值
典型值*1 最大值*2
待定
38
待定
33
待定
28
22
待定
16
待定
9.5
6.9
4.2
29
26
22
18
13
7.8
5.8
3.7
待定
单位
备注
mA
*3
所有外设时钟工作
mA
*3
所有外设时钟关闭
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
*1:TA = +25°C,VCC = 3.3 V
*2:TJ = +125°C,VCC = 5.5 V
*3:所有端口为固定电平
*4:频率为 HCLK 值,PCLK0 = PCLK1 = PCLK2 = HCLK
*5:0 等待周期模式(FRWTR.RWT = 00,FSYNDN.SD = 000)
*6:使用 4 MHz 的晶振(包含振荡电路所消耗的电流)
文档编号:002-00219 版本**
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参数
符号
引脚
名称
条件
正常运行
(主振荡)
正常运行
(内置高速 CR)
电源电流
ICC
S6E2HE 系列
频率*4
*5
*5
值
单位
最大值*2
4.0
待定
mA
*3
所有外设时钟工作
3.2
待定
mA
*3
所有外设时钟关闭
3.2
待定
mA
*3
所有外设时钟工作
2.7
待定
mA
*3
所有外设时钟关闭
0.34
待定
mA
*3
所有外设时钟工作
0.30
待定
mA
*3
所有外设时钟关闭
0.36
待定
mA
*3
所有外设时钟工作
0.33
待定
mA
*3
所有外设时钟关闭
4 MHz
4 MHz
VCC
正常运行
(副振荡)
正常运行
(内置低速 CR)
*5、*6
*5
备注
典型值*1
32 kHz
100 kHz
表 12-4 正常工作模式(PLL 模式除外)下的电流消耗的典型值和最大值,闪存存储器中执行代码并访问数据(闪存 0 等待周期模式
和读访问 0 等待)
*1:TA = +25°C,VCC = 3.3 V
*2:TJ = +125°C,VCC = 5.5 V
文档编号:002-00219 版本**
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初版
S6E2HE 系列
*3:所有端口为固定电平
*4:频率为 HCLK 值,PCLK0 = PCLK1 = PCLK2 = HCLK/2
*5:0 等待周期模式(FRWTR.RWT = 00,FSYNDN.SD = 000)
*6:使用 32 kHz 的晶振(包含振荡电路所消耗的电流)
文档编号:002-00219 版本**
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初版
参数
电源电流
符号
ICCS
引脚
名称
VCC
S6E2HE 系列
条件
频率*4
睡眠模式下运行*6
(PLL)
160 MHz
144 MHz
120 MHz
100 MHz
80 MHz
60 MHz
40 MHz
20 MHz
8 MHz
4 MHz
160 MHz
144 MHz
120 MHz
100 MHz
80 MHz
60 MHz
40 MHz
20 MHz
8 MHz
4 MHz
值
典型值*1
最大值*2
35
32
27
23
18
14
9.9
5.5
3.1
2.3
14
13
11
9.5
7.8
6.3
4.6
2.9
2.2
2.0
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
单位
备注
mA
*3
所有外设时钟工作
mA
*3
所有外设时钟关闭
待定
待定
待定
表 12-5 睡眠模式(PLL)电流消耗的典型值和最大值(PCLK0 = PCLK1 = PCLK2 = HCLK/2)
文档编号:002-00219 版本**
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S6E2HE 系列
表 12-6 睡眠模式(PLL)电流消耗的典型值和最大值(PCLK0 = PCLK1 = PCLK2 = HCLK)
参数
符号
引脚
名称
条件
频率*5
最大值*2
23
19
16
待定
待定
36 MHz
12
待定
24 MHz
12 MHz
8 MHz
4 MHz
72 MHz
60 MHz
48 MHz
36 MHz
24 MHz
12 MHz
8 MHz
4 MHz
8.5
待定
5.1
3.9
2.7
8.8
7.6
6.3
5.1
3.9
2.7
2.3
1.9
待定
72 MHz
60 MHz
48 MHz
电源电流
ICCS
VCC
睡眠模式*6
(PLL)
值
典型值*1
单位
备注
待定
mA
*3
所有外设时钟工作
mA
*3
所有外设时钟关闭
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
*1:TA = +25°C,VCC = 3.3 V
*2:TJ= +125°C,VCC= 5.5 V
*3:所有端口为固定电平
*4:频率为 HCLK 值,PCLK0 = PCLK1 = PCLK2 = HCLK/2
*5:频率为 HCLK 值,PCLK0 = PCLK1 = PCLK2 = HCLK
*6:使用 4 MHz 的晶体振荡器(包含振荡电路的电流消耗)
文档编号:002-00219 版本**
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S6E2HE 系列
值
参数
符号
引脚名称
条件
睡眠模式*6
(主振荡)
睡眠模式
(内置高速 CR)
电源电流
ICCS
频率*4
单位
最大值*2
2.1
待定
mA
*3
所有外设时钟工作
1.3
待定
mA
*3
所有外设时钟关闭
1.3
待定
mA
*3
所有外设时钟工作
0.8
待定
mA
*3
所有外设时钟关闭
0.28
待定
mA
*3
所有外设时钟工作
0.27
待定
mA
*3
所有外设时钟关闭
0.29
待定
mA
*3
所有外设时钟工作
0.28
待定
mA
*3
所有外设时钟关闭
4MHz
4 MHz
VCC
睡眠模式*5
(副振荡)
睡眠模式
(内置低速 CR)
备注
典型值*1
32 kHz
100 kHz
表 12-7 睡眠模式(PLL 模式除外)下电流消耗的典型值和最大值(PCLK0 = PCLK1 = PCLK2 = HCLK/2)
*1:TA = +25°C,VCC = 3.3 V
*2:TJ = +125°C,VCC = 5.5 V
*3:所有端口为固定电平
*4:频率为 HCLK 值,PCLK0 = PCLK1 = PCLK2 = HCLK/2
*5:使用 32 kHz 的晶振(包含振荡电路所消耗的电流)
*6:使用 4 MHz 的晶振(包含振荡电路所消耗的电流)
文档编号:002-00219 版本**
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S6E2HE 系列
值
参数
符号
引脚名称
条件
停止模式
ICCH
定时器模式*6
(主振荡)
定时器模式
(内置高速 CR)
电源电流
ICCT
–
4 MHz
4 MHz
单位
典型值*1
最大值*2
0.21
待定
mA
–
待定
mA
–
待定
mA
1.4
待定
mA
–
待定
mA
–
待定
mA
0.49
待定
mA
–
待定
mA
–
待定
mA
0.23
待定
mA
–
待定
mA
–
待定
mA
0.24
待定
mA
–
待定
mA
–
待定
mA
0.21
待定
mA
–
待定
mA
–
待定
mA
VCC
定时器模式*5
(副振荡)
定时器模式
(内置低速 CR)
ICCR
频率
RTC 模式*5
(副振荡)
32 kHz
100 kHz
32 kHz
备注
*3,*4
TA = +25°C
*3,*4
TA = +85°C
*3,*4
TA = +105°C
*3,*4
TA = +25°C
*3,*4
TA = +85°C
*3,*4
TA = +105°C
*3,*4
TA = +25°C
*3,*4
TA = +85°C
*3,*4
TA = +105°C
*3,*4
TA = +25°C
*3,*4
TA = +85°C
*3,*4
TA = +105°C
*3,*4
TA = +25°C
*3,*4
TA = +85°C
*3,*4
TA = +105°C
*3,*4
TA = +25°C
*3,*4
TA = +85°C
*3,*4
TA = +105°C
表 12-8 停止模式、定时器模式和 RTC 模式下电流消耗的典型值和最大值
*1:VCC = 3.3 V
*2:VCC = 5.5 V
*3:所有端口为固定电平
*4:LVD 关闭
*5:使用 32 kHz 的晶振(包含振荡电路所消耗的电流)
*6:使用 4 MHz 的晶振(包含振荡电路所消耗的电流)
文档编号:002-00219 版本**
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S6E2HE 系列
值
参数
符号
引脚名称
条件
频率
深度待机
停止模式
(RAM 关闭)
单位
典型值*1
最大值*2
24
待定
µA
–
待定
µA
–
待定
µA
41
待定
µA
–
待定
µA
–
待定
µA
24
待定
µA
–
待定
µA
–
待定
µA
41
待定
µA
–
待定
µA
–
待定
µA
0.015
待定
µA
–
待定
µA
–
待定
µA
1.3
待定
µA
–
待定
µA
–
待定
µA
–
ICCHD
深度待机
停止模式
(RAM 激活)
VCC
深度待机
RTC 模式*6
(RAM 关闭)
电源电流
ICCRD
32kHz
深度待机
RTC 模式*6
(RAM 激活)
RTC 停止
ICCVBAT
–
VBAT
RTC 工作*6
备注
*3,*4
TA = +25°C
*3,*4
TA = +85°C
*3,*4
TA = +105°C
*3,*4
TA = +25°C
*3,*4
TA = +85°C
*3,*4
TA = +105°C
*3,*4
TA = +25°C
*3,*4
TA = +85°C
*3,*4
TA = +105°C
*3,*4
TA = +25°C
*3,*4
TA = +85°C
*3,*4
TA = +105°C
*3,*4,*5
TA = +25°C
*3,*4,*5
TA = +85°C
*3,*4,*5
TA = +105°C
*3,*4
TA = +25°C
*3,*4
TA = +85°C
*3,*4
TA = +105°C
表 12-9 深度待机停止模式、深度待机 RTC 模式和 VBAT 条件下电流消耗典型值和最大值
*1:VCC = 3.3 V
*2:VCC = 5.5 V
*3:所有端口为固定电平
*4:LVD 关闭
*5:副振荡关闭
*6:使用 32 kHz 的晶振(包含振荡电路所消耗的电流)
文档编号:002-00219 版本**
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初版
S6E2HE 系列
表 12-10 低压检测电路和主闪存写入/擦除所消耗的电流典型值和最大值
参数
符号
引脚名称
低压检测电路(LVD)
ICCLVD
电源电流
主闪存写入/ 擦除电
ICCFLASH
流
VCC
工作闪存存储器写入/
ICCWFLASH
擦除电流
最小值
值
典型值
最大值
运行
–
4
7
μA
写入/擦除
–
13.4
15.9
mA
写入/擦除时
–
11.5
13.6
mA
条件
单位
备注
用于中断发生时
*1
1:在闪存存储器中进行编程或擦除时,闪存存储器擦/写电流(ICCFLASH)将被添加到电源电流上(ICC)
。
外设电流消耗
时钟系统
HCLK
PCLK1
PCLK2
频率(MHz)
80
160
0.32
0.62
外设
单位
GPIO
所有端口
40
0.16
DMAC
–
0.68
1.35
2.63
DSTC
–
0.93
1.88
3.65
外部总线 I/F
–
0.17
0.34
0.71
SD 卡 I/F
–
0.47
0.92
1.85
基础定时器
四通道
0.18
0.37
0.73
多功能定时器/PPG
一单元/四通道
0.61
1.22
2.43
正交位置/转数计数器
一单元
0.04
0.07
0.14
A/D 转换器
一单元
0.22
0.44
0.88
多功能串行接口
一通道
0.30
0.60
–
文档编号:002-00219 版本**
单位
备注
mA
mA
mA
页 84/164
初版
12.3.2
S6E2HE 系列
引脚特性
(VCC = AVCC = 2.7 V ~ 5.5 V,VSS = AVSS = 0 V)
参数
高电平输入电压
(迟滞输入)
低电平输入电压
(迟滞输入)
符号
VIHS
VILS
引脚名称
单位
典型值
最大值
–
VCC×0.8
–
VCC + 0.3
V
–
–
VCC×0.8
VCC×0.7
–
–
VSS + 5.5
VSS + 5.5
V
V
–
VSS - 0.3
–
VCC×0.2
V
耐 5 V 输入引脚
–
VSS - 0.3
–
VCC×0.2
V
I2C Fm+复用引脚
–
VSS
–
VCC×0.3
V
VCC - 0.5
–
VCC
V
VCC - 0.5
–
VCC
V
VCC - 0.5
–
VCC
V
VCC - 0.5
–
VCC
V
CMOS 迟滞输入引脚、
MD0、MD1
耐 5 V 输入引脚
I2C Fm+复用引脚
CMOS 迟滞输入引脚、
MD0、MD1
8 mA 型
VOH
12 mA 型
I2C Fm+复用引脚
文档编号:002-00219 版本**
值
最小值
4 mA 型
高电平输出电压
条件
VCC ≥ 4.5 V,
IOH = - 4 mA
VCC < 4.5 V,
IOH = - 2 mA
VCC ≥ 4.5 V,
IOH = - 8 mA
VCC < 4.5 V,
IOH = - 4 mA
VCC ≥ 4.5 V,
IOH = - 12 mA
VCC < 4.5 V,
IOH = - 8 mA
VCC ≥ 4.5 V,
IOH = - 4 mA
VCC < 4.5 V,
IOH = - 3 mA
备注
GPIO 功能
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初版
参数
符号
引脚名称
4 mA 型
8 mA 型
低电平输出电压
VOL
12 mA 型
S6E2HE 系列
条件
VCC ≥ 4.5 V,
IOL = 4 mA
VCC < 4.5 V,
IOL = 2 mA
VCC ≥ 4.5 V,
IOH = 8 mA
VCC < 4.5 V,
IOH = 4 mA
VCC ≥ 4.5 V,
IOL = 12 mA
VCC < 4.5 V,
IOL = 8 mA
值
单位
最小值
典型值
最大值
VSS
–
0.4
V
VSS
–
0.4
V
VSS
–
0.4
V
VCC ≥ 4.5 V,
IOH = 4 mA
I2C Fm+复用引脚
VCC ≤ 5.5 V,
IOH = 20 mA
–
VCC ≥ 4.5 V
VCC < 4.5 V
-5
25
30
–
50
80
+5
100
200
–
–
5
15
IIL
–
上拉电阻值
RPU
上拉引脚
输入电容
CIN
VCC、VBAT、
VSS、AVCC、
AVSS、AVRH 除外
文档编号:002-00219 版本**
GPIO 功能
VCC < 4.5 V,
IOH = 3 mA
输入漏电流
备注
VSS
–
0.4
V
I2C Fm+功能
μA
kΩ
pF
页 86/164
初版
交流电特性
12.4
12.4.1
S6E2HE 系列
主时钟输入特性
(VCC = 2.7 V ~ 5.5 V,VSS = 0 V)
参数
符号
输入频率
引脚名称
fCH
输入时钟周期
tCYLH
X0、
X1
–
输入时钟占空比
输入时钟上升、下降时间
内部时钟*1 频率
内部时钟*1 周期
条件
VCC ≥ 4.5 V
VCC < 4.5 V
VCC ≥ 4.5 V
VCC < 4.5 V
VCC ≥ 4.5 V
VCC < 4.5 V
PWH/tCYLH,
PWL/tCYLH
值
最小值 最大值
4
48
4
20
4
48
4
20
20.83
250
50
250
单位
备注
MHz
外部晶体振荡器
MHz
使用外部时钟
ns
使用外部时钟
45
55
%
使用外部时钟
–
–
5
ns
使用外部时钟
tCF,
tCR
fCC
fCP0
fCP1
fCP2
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
160
80
160
80
MHz
MHz
MHz
MHz
基础时钟(HCLK/FCLK)
APB0 总线时钟*2
APB1 总线时钟*2
APB2 总线时钟*2
tCYCC
tCYCP0
tCYCP1
tCYCP2
–
–
–
–
–
–
–
–
6.25
12.5
6.25
12.5
–
–
–
–
ns
ns
ns
ns
基础时钟(HCLK/FCLK)
APB0 总线时钟*2
APB1 总线时钟*2
APB2 总线时钟*2
*1:有关内部时钟的详细信息,请参考“FM4 系列外设手册”的“主要”部分(MN709-00001)中第 2-1 节:“时钟”所介绍的内
容。
*2:有关每个外设所挂接的 APB 总线,请参考第 8 章框图的内容。
X0
文档编号:002-00219 版本**
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初版
12.4.2
S6E2HE 系列
副时钟输入特性
(VCC = 2.7 V ~ 5.5 V,VSS = 0 V)
参数
引脚
名称
符号
输入频率
tCYLL
X0A、
X1A
–
输入时钟占空比
备注
–
–
典型值
32.768
–
最大值
–
100
–
10
–
31.25
μs
外部时钟输入
PWH/tCYLL,
PWL/tCYLL
45
–
55
%
使用外部时钟
0.8 × VBAT
kHz
kHz
连接了外部晶振
使用外部时钟
VBAT
VBAT
VBAT
VBAT
X0A
12.4.3
单位
最小值
–
32
1/ tCYLL
输入时钟周期
值
条件
内置 CR 振荡特性
内置高速 CR
(VCC = 2.7 V ~ 5.5 V,VSS = 0 V)
参数
符号
值
条件
最小值
典型值
最大值
3.92
4
4.08
TJ = -20°C ~ + 105°C
时钟频率
单位
备注
校正
fCRH
TJ = - 40°C ~ + 125°C
3.88
4
4.12
时钟频率
fCRH
TJ = - 40°C ~ + 125°C
2.9
4
5
频率稳定时间
tCRWT
–
–
–
30
*1
MHz
未进行校正时
μs
*2
*1:使用闪存中 CR triming 区的值进行了校正后
*2:从设置校正值到高速 CR 时钟稳定的这段时间。
该时间段内高速 CR 时钟也可作为时钟源。
内置低速 CR
(VCC = 2.7 V ~ 5.5 V,VSS = 0 V)
参数
时钟频率
符号
条件
fCRL
–
文档编号:002-00219 版本**
数值
最小值
典型值
最大值
50
100
150
单位
备注
kHz
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初版
12.4.4
S6E2HE 系列
主 PLL 模式(主时钟作为 PLL 输入时钟)
(VCC = 2.7 V ~ 5.5 V,VSS = 0 V)
参数
符号
PLL 振荡稳定时间*1
(锁定时间)
PLL 输入时钟频率
PLL 倍频率
PLL 模块振荡时钟频率
主 PLL 时钟频率*2
*1:从 PLL 启动到振荡稳定的时间
值
单位
最小值
典型值
最大值
tLOCK
200
–
–
μs
fPLLI
–
fPLLO
4
13
200
–
–
–
–
–
16
80
320
160
MHz
倍
MHz
MHz
fCLKPLL
备注
*2:有关主 PLL 时钟(CLKPLL)的详细信息,请参考“FM4 系列外设手册”的“主要”部分(MN709-00001)中第 2-1 节:“时
钟”中讲述的内容。
12.4.5
主 PLL 模式(内置高速 CR 时钟作为主 PLL 输入时钟)
(VCC = 2.7 V ~ 5.5 V,VSS = 0 V)
参数
符号
PLL 振荡稳定时间*1
(锁定时间)
PLL 输入时钟频率
PLL 倍频率
PLL 模块振荡时钟频率
主 PLL 时钟频率*2
*1:从 PLL 启动到振荡稳定的时间
值
单位
最小值
典型值
最大值
tLOCK
200
–
–
μs
fPLLI
–
fPLLO
3.8
50
190
–
4
–
–
–
4.2
75
320
160
MHz
倍
MHz
MHz
fCLKPLL
备注
*2:有关主 PLL 时钟(CLKPLL)的详细信息,请参考“FM4 系列外设手册”中“主要”部分(MN709-00001)中第 2-1 节:“时
钟”中讲述的内容。
注意:
−
请确保在将高速 CR 时钟(CLKHC)输入主 PLL 时,已根据频率和温度对其进行了校正。
12.4.6
复位输入特性
(VCC = 2.7 V ~ 5.5 V,VSS = 0 V)
参数
复位输入时间
文档编号:002-00219 版本**
符号
引脚名称
条件
tINITX
INITX
–
数值
最小值
最大值
500
–
单位
备注
ns
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初版
12.4.7
S6E2HE 系列
上电复位时序
(VCC = 2.7 V ~ 5.5 V,VSS = 0 V)
参数
符号
电源上升时间
tVCCR
电源掉电时间
tOFF
上电复位
释放时间
tPRT
引脚名称
VCC
值
单位
最小值
最大值
0
–
ms
1
–
ms
0.33
0.60
ms
备注
VCC_minimum
VCC
VDH_minimum
0.2V
0.2V
0.2V
tVCCR
tPRT
内部RST
RST有效
tOFF
释放
启动
CPU操作
术语表
VCC_minimum:推荐工作条件的最小
VCC
VDH_minimum:低压检测复位的最小检测电压。请参考第
文档编号:002-00219 版本**
8 章低压检测特性。
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初版
12.4.8
S6E2HE 系列
GPIO 输出特性
(VCC = 2.7 V ~ 5.5 V,VSS = 0 V)
参数
输出频率
符号
引脚名称
条件
tPCYCLE
Pxx*
VCC ≥ 4.5 V
VCC < 4.5 V
值
最小值
–
–
最大值
50
32
单位
MHz
MHz
*:GPIO 名称
Pxx
tPCYCLE
文档编号:002-00219 版本**
页 91/164
初版
12.4.9
S6E2HE 系列
外部总线时序
外部总线时钟输出特性
(VCC = 2.7 V ~ 5.5 V,VSS = 0 V)
参数
输出频率
符号
引脚名称
条件
tCYCLE
MCLKOUT*1
VCC ≥ 4.5 V
VCC < 4.5 V
值
最小值
–
–
最大值
50*2
32*3
单位
MHz
MHz
*1:外部总线时钟(MCLKOUT)是由 HCLK 分频获得。
有关时钟分频器设置的更多详细信息,请参考“FM4 系列外设手册”的“主要”部分(MN709-00001)中第 14 章:“外部总
线接口”中讲述的内容。
*2:AHB 总线时钟频率超过 100 MHz 时,设置 MCLKOUT 分频大于 4 分频。
*3:AHB 总线时钟频率超过 64 MHz 时,设置 MCLKOUT 分频大于 4 分频。
MCLK
外部总线信号输入/输出特性
(VCC = 2.7 V ~ 5.5 V,VSS = 0 V)
参数
信号输入特性
符号
值
单位
0.8 × VCC
V
0.2 × VCC
V
VOH
0.8 × VCC
V
VOL
0.2 × VCC
V
VIH
VIL
信号输出特性
文档编号:002-00219 版本**
条件
–
备注
页 92/164
初版
信号输入
信号输出
文档编号:002-00219 版本**
S6E2HE 系列
VIH
VIL
VIH
VIL
VOH
VOL
VOH
VOL
页 93/164
初版
S6E2HE 系列
独立总线异步 SRAM 访问模式
(VCC = 2.7 V ~ 5.5 V,VSS = 0 V)
参数
MWEX
最小脉宽
符号
引脚名称
tOEW
MWEX
MCSX 下降沿到地址输出延迟时间
tCSL - AV
MOEX 上升沿到地址保持时间
tOEH - AX
MCSX 下降沿到
MOEX 下降沿延迟时间
MOEX 上升沿后
MCSX 上升沿时间
MCSX 下降沿到 MDQM 下降沿
延迟时间
数据建立到 MOEX 上升沿时间
MOEX 上升沿到
数据保持时间
MWEX
最小脉宽
MWEX 上升沿到地址输出延迟
时间
MCSX 下降沿到 MWEX 下降沿
延迟时间
MWEX 上升沿到 MCSX 上升沿
延迟时间
MCSX 下降沿到 MDQM 下降沿
延迟时间
MWEX 下降沿到
数据输出时间
MWEX 上升沿到
数据保持时间
tCSL - OEL
tOEH - CSH
tCSL - RDQML
tDS - OE
tDH - OE
MCSX[7:0],
MAD[24:0]
MOEX,
MAD[24:0]
MOEX,
MCSX[7:0]
MCSX,
MDQM[1:0]
MOEX,
MADATA[15:0]
MOEX,
MADATA[15:0]
tWEW
MWEX
tWEH - AX
MWEX,
MAD[24:0]
tCSL - WEL
tWEH - CSH
tCSL-WDQML
tCSL-DX
tWEH - DX
MWEX,
MCSX[7:0]
MCSX,
MDQM[1:0]
MCSX,
MADATA[15:0]
MWEX,
MADATA[15:0]
条件
VCC ≥ 4.5 V
VCC < 4.5 V
VCC ≥ 4.5 V
VCC < 4.5 V
VCC ≥ 4.5 V
VCC < 4.5 V
VCC ≥ 4.5 V
VCC < 4.5 V
VCC ≥ 4.5 V
VCC < 4.5 V
VCC ≥ 4.5 V
VCC < 4.5 V
VCC ≥ 4.5 V
VCC < 4.5 V
VCC ≥ 4.5 V
VCC < 4.5 V
VCC ≥ 4.5 V
VCC < 4.5 V
VCC ≥ 4.5 V
VCC < 4.5 V
VCC ≥ 4.5 V
VCC < 4.5 V
VCC ≥ 4.5 V
VCC < 4.5 V
VCC ≥ 4.5 V
VCC < 4.5 V
VCC ≥ 4.5 V
VCC < 4.5 V
VCC ≥ 4.5 V
VCC < 4.5 V
值
单位
最小值
最大值
MCLK×n-3
–
-9
-12
MCLK×m-9
MCLK×m-12
20
38
+9
12
MCLK×m+9
MCLK×m+12
MCLK×m+9
MCLK×m+12
MCLK×m+9
MCLK×m+12
MCLK×m+9
MCLK×m+12
–
–
0
–
ns
MCLK×n-3
–
ns
0
MCLK×m-9
MCLK×m-12
0
0
MCLK×n-9
MCLK×n-12
0
MCLK×n-9
MCLK×n-12
MCLK-9
MCLK-12
0
MCLK×m+9
MCLK×m+12
MCLK×n+9
MCLK×n+12
MCLK×m+9
MCLK×m+12
MCLK×n+9
MCLK×n+12
MCLK+9
MCLK+12
MCLK×m+9
MCLK×m+12
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注意:
−
外部负载电容 CL 为 30 pF(m = 0 ~ 15,n = 1 ~ 16)
文档编号:002-00219 版本**
页 94/164
初版
S6E2HE 系列
tCYCLE
MCLK
tOEH-CSH
MCSX[7:0]
MAD[24:0]
MOEX
tCSL-AV
tWEH-CSH
tOEH-AX
Address
tWEH-AX
tCSL-AV
Address
tCSL-OEL
tOEW
tCSL-WDQML
tCSL-RDQML
tCSL-WEL
MDQM[1:0]
tWEW
MWEX
MADATA[15:0]
tDS-OE
tDH-OE
RD
tWEH-DX
WD
Invalid
tCSL-DX
文档编号:002-00219 版本**
页 95/164
初版
S6E2HE 系列
独立总线同步 SRAM 访问模式
(VCC = 2.7 V ~ 5.5 V,VSS = 0 V)
参数
地址延迟时间
符号
引脚名称
条件
tAV
MCLK,
MAD[24:0]
VCC ≥ 4.5 V
VCC < 4.5 V
VCC ≥ 4.5 V
VCC < 4.5 V
VCC ≥ 4.5 V
VCC < 4.5 V
VCC ≥ 4.5 V
VCC < 4.5 V
VCC ≥ 4.5 V
VCC < 4.5 V
VCC ≥ 4.5 V
VCC < 4.5 V
VCC ≥ 4.5 V
VCC < 4.5 V
VCC ≥ 4.5 V
VCC < 4.5 V
VCC ≥ 4.5 V
VCC < 4.5 V
VCC ≥ 4.5 V
VCC < 4.5 V
VCC ≥ 4.5 V
VCC < 4.5 V
VCC ≥ 4.5 V
VCC < 4.5 V
VCC ≥ 4.5 V
VCC < 4.5 V
tCSL
MCSX 延迟时间
tCSH
tREL
MOEX 延迟时间
tREH
数据建立到 MCLK
上升沿时间
MCLK 上升沿到
数据保持时间
MCLK,
MADATA[15:0]
tDH
MCLK,
MADATA[15:0]
MWEX 延迟时间
tWEH
MCLK 上升沿到
数据输出时间
MCLK 上升沿到
数据保持的时间
MCLK,
MWEX
tDS
tWEL
MDQM[1:0]
延迟时间
MCLK,
MCSX[7:0]
tDQML
tDQMH
MCLK,
MWEX
MCLK,
MDQM[1:0]
tODS
MCLK,
MADATA[15:0]
tOD
MCLK,
MADATA[15:0]
值
最小值
1
1
1
1
1
最大值
9
12
9
12
9
12
9
12
9
12
单位
ns
ns
ns
ns
ns
19
37
–
ns
0
–
ns
1
1
1
1
MCLK+1
1
9
12
9
12
9
12
9
12
MCLK+18
MCLK+24
18
24
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注意:
−
外部负载电容 CL 为 30 pF
文档编号:002-00219 版本**
页 96/164
初版
S6E2HE 系列
tCYCLE
MCLK
tCSL
tCSH
MCSX[7:0]
tAV
tAV
Address
MAD[24:0]
Address
tREL
tREH
tDQML
tDQMH
MOEX
tDQML
tDQMH
tWEL
tWEH
MDQM[1:0]
MWEX
tDS
tDH
RD
MADATA[15:0]
文档编号:002-00219 版本**
tOD
WD
Invalid
tODS
页 97/164
初版
S6E2HE 系列
复用总线异步 SRAM 访问模式
(VCC = 2.7 V ~ 5.5 V,VSS = 0 V)
参数
复用地址延迟的时间
复用地址保持时间
符号
引脚名称
tALE-CHMADV
tCHMADH
MALE,
MADATA[15:0]
条件
值
最小值
最大值
10
20
VCC ≥ 4.5 V
VCC < 4.5 V
0
VCC ≥ 4.5 V
MCLK×n+0
MCLK×n+10
VCC < 4.5 V
MCLK×n+0
MCLK×n+20
单位
ns
ns
注意:
−
外部负载电容 CL 为 30 pF(m = 0 ~ 15,n = 1 ~ 16)
MCLK
MCSX[7:0]
MALE
MAD[24:0]
MOEX
MDQM[1:0]
MWEX
MADATA[15:0]
文档编号:002-00219 版本**
页 98/164
初版
S6E2HE 系列
复用总线同步 SRAM 访问模式
(VCC = 2.7 V ~ 5.5 V,VSS = 0 V)
参数
符号
tCHAL
MALE 延迟时间
tCHAH
MCLK 上升沿到
复用地址输出延迟时间
引脚名称
条件
MCLK,
ALE
VCC ≥ 4.5 V
VCC < 4.5 V
VCC ≥ 4.5 V
VCC < 4.5 V
1
1
最大值
9
12
9
12
单位
备注
ns
ns
ns
ns
VCC ≥ 4.5 V
tCHMADV
MCLK,
MADATA[15:0]
MCLK 上升沿到
复用数据输出时间
值
最小值
1
tOD
ns
1
tOD
ns
VCC < 4.5 V
VCC ≥ 4.5 V
tCHMADX
VCC < 4.5 V
注意:
−
外部负载电容 CL 为 30 pF 时
MCLK
MCSX[7:0]
MALE
MAD[24:0]
MOEX
MDQM[1:0]
MWEX
MADATA[15:0]
文档编号:002-00219 版本**
页 99/164
初版
S6E2HE 系列
NAND 闪存模式
(VCC = 2.7 V ~ 5.5 V,VSS = 0 V)
参数
MNREX
最小脉宽
数据建立到 MNREX
上升沿时间
MNREX 上升沿到
数据保持时间
MNALE 上升沿到
MNWEX 延迟时间
MNALE 下降沿到
MNWEX 延迟时间
MNCLE 上升沿到
MNWEX 延迟时间
MNWEX 上升沿到
MNCLE 延迟时间
MNWEX
最小脉宽
MNWEX 下降沿到
数据输出延迟时间
MNWEX 上升沿到
数据保持时间
符号
引脚名称
tNREW
MNREX
tDS – NRE
tDH – NRE
tALEH – NWEL
tALEL – NWEL
tCLEH – NWEL
tNWEH – CLEL
tNWEW
tNWEL – DV
tNWEH – DX
MNREX,
MADATA[15:0]
MNREX,
MADATA[15:0]
MNALE,
MNWEX
MNALE,
MNWEX
MNCLE,
MNWEX
MNCLE,
MNWEX
MNWEX
MNWEX,
MADATA[15:0]
MNWEX,
MADATA[15:0]
条件
VCC ≥ 4.5 V
VCC < 4.5 V
VCC ≥ 4.5 V
VCC < 4.5 V
VCC ≥ 4.5 V
VCC < 4.5 V
VCC ≥ 4.5 V
VCC < 4.5 V
VCC ≥ 4.5 V
VCC < 4.5 V
VCC ≥ 4.5 V
VCC < 4.5 V
VCC ≥ 4.5 V
VCC < 4.5 V
VCC ≥ 4.5 V
VCC < 4.5 V
VCC ≥ 4.5 V
VCC < 4.5 V
VCC ≥ 4.5 V
VCC < 4.5 V
值
单位
最小值
最大值
MCLK×n-3
–
ns
20
38
–
–
ns
0
–
ns
MCLK×m-9
MCLK×m-12
MCLK×m-9
MCLK×m-12
MCLK×m-9
MCLK×m-12
MCLK×m+9
MCLK×m+12
MCLK×m+9
MCLK×m+12
MCLK×m+9
MCLK×m+12
MCLK×m+9
MCLK×m+12
0
MCLK×n-3
–
-9
-12
+9
12
MCLK×m+9
MCLK×m+12
0
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注意:
−
外部负载电容 CL 为 30 pF(m = 0 ~ 15,n = 1 ~ 16)
NAND 闪存读
MCLK
MNREX
MADATA[15:0]
文档编号:002-00219 版本**
读取
页 100/164
初版
S6E2HE 系列
NAND 闪存写地址
MCLK
MNALE
MNCLE
MNWEX
MADATA[15:0]
写入
NAND 闪存写数据
MCLK
MNALE
MNCLE
MNWEX
MADATA[15:0]
文档编号:002-00219 版本**
写入
页 101/164
初版
S6E2HE 系列
外部就绪信号输入时序
(VCC = 2.7 V ~ 5.5 V,VSS = 0 V)
参数
符号
引脚名称
MCLK 上升沿到
MRDY 输入建立时间
tRDYI
MCLK,
MRDY
值
条件
最小值
VCC ≥ 4.5 V
19
VCC < 4.5 V
37
最大值
–
单位
备注
ns
RDY 输入
···
MCLK
Over 2cycle
初始时序
MOEX
MWEX
tRDYI
MRDY
RDY 释放
MCLK
··· ···
2 cycle
扩展时序
MOEX
MWEX
tRDYI
0.5×VCC
MRDY
文档编号:002-00219 版本**
页 102/164
初版
S6E2HE 系列
SDRAM 模式
(VCC = 2.7 V ~ 3.6 V,VSS = 0 V)
参数
符号
引脚名称
输出频率
tCYCSD
地址延迟时间
值
单位
最小值
最大值
MSDCLK
–
32
MHz
tAOSD
MSDCLK,
MAD[15: 0]
2
12
ns
MSDCLK 上升沿到数据输出延迟时间
tDOSD
MSDCLK,
MADATA[31:0]
2
12
ns
MSDCLK 上升沿到数据输出高阻态的时间
tDOZSD
MSDCLK,
MADATA[31:0]
2
20
ns
MDQM[1:0] 延迟时间
tWROSD
MSDCLK,
MDQM[1:0]
1
12
ns
MCSX 延迟时间
tMCSSD
MSDCLK,
MCSX8
2
12
ns
MRASX 延迟时间
tRASSD
MSDCLK,
MRASX
2
12
ns
MCASX 延迟时间
tCASSD
MSDCLK,
MCASX
2
12
ns
MSDWEX 延迟时间
tMWESD
MSDCLK,
MSDWEX
2
12
ns
MSDCKE 延迟时间
tCKESD
MSDCLK,
MSDCKE
2
12
ns
数据建立时间
tDSSD
MSDCLK,
MADATA[31:0]
23
–
ns
数据保持时间
tDHSD
MSDCLK,
MADATA[31:0]
0
–
ns
注意:
−
外部负载电容 CL 为 30 pF
文档编号:002-00219 版本**
页 103/164
初版
S6E2HE 系列
SDRAM 访问时序
tCYCSD
MSDCLK
tAOSD
MAD[24:0]
MDQM[1:0]
MCSX
MRASX
MCASX
MSDWEX
MSDCKE
Address
tWROSD
tMCSSD
tRASSD
tCASSD
tMWESD
tCKESD
tDSSD
MADATA[15:0]
RD
tDOSD
MADATA[15:0]
文档编号:002-00219 版本**
tDHSD
tDOZSD
WD
页 104/164
初版
12.4.10
S6E2HE 系列
基础定时器输入时序
定时器输入时序
(VCC = 2.7 V ~ 5.5 V,VSS = 0 V)
参数
输入脉宽
符号
引脚名称
条件
tTIWH,
tTIWL
TIOAn/TIOBn
(ECK、TIN 功能)
–
tTIWH
值
最小值
最大值
2tCYCP
–
单位
备注
ns
tTIWL
ECK
VIHS
VIHS
TIN
VILS
VILS
触发信号时序
(VCC = 2.7 V ~ 5.5 V,VSS = 0 V)
参数
输入脉宽
符号
引脚名称
条件
tTRGH,
tTRGL
TIOAn/TIOBn
(TGIN 功能)
–
tTRGH
TGIN
VIHS
值
最小值
最大值
2tCYCP
–
单位
备注
ns
tTRGL
VIHS
VILS
VILS
注意:
−
tCYCP 指的是 APB 总线时钟周期时间。
有关基础定时器挂接的 APB 总线编号的详细信息,请参考第 8 章框图的内容。
文档编号:002-00219 版本**
页 105/164
初版
12.4.11
S6E2HE 系列
CSIO 时序
同步串行模式(SPI = 0,SCINV = 0)
(VCC = 2.7 V ~ 5.5 V,VSS = 0 V)
参数
符号
引脚名称
串行时钟周期时间
tSCYC
SCK 下降沿到 SOT 延迟时间
tSLOVI
SIN 到 SCK 上升沿建立时间
tIVSHI
SCK 上升沿到 SIN 保持时间
tSHIXI
串行时钟低电平脉宽
串行时钟高电平脉宽
tSLSH
tSHSL
SCK 下降沿到 SOT 延迟时间
tSLOVE
SIN 到 SCK 上升沿建立时间
tIVSHE
SCK 上升沿到 SIN 保持时间
tSHIXE
SCKx
SCKx,
SOTx
SCKx,
SINx
SCKx,
SINx
SCKx
SCKx
SCKx,
SOTx
SCKx,
SINx
SCKx,
SINx
SCKx
SCKx
SCK 下降时间
SCK 上升时间
tF
tR
条件
内部移位时钟
外部移位时钟
VCC < 4.5 V
最小值
最大值
4tCYCP
–
VCC ≥ 4.5 V
最小值
最大值
4tCYCP
–
单位
ns
- 30
+ 30
- 20
+ 20
ns
50
–
30
–
ns
0
–
0
–
ns
2tCYCP - 10
tCYCP + 10
–
–
2tCYCP - 10
tCYCP + 10
–
–
ns
ns
–
50
–
30
ns
10
–
10
–
ns
20
–
20
–
ns
–
–
5
5
–
–
5
5
ns
ns
注意:
−
上述特性适用于 CLK 同步模式。
−
tCYCP 指的是 APB 总线时钟周期时间。
有关多功能串行接口挂接的 APB 总线编号的详细信息,请参考第 8 章框图的内容。
−
这些特性只对相同重定位端口编号有效。
例如,对 SCLKx_0 和 SOTx_1 的组合为无效。
−
外部负载电容 CL 为 30 pF。
文档编号:002-00219 版本**
页 106/164
初版
S6E2HE 系列
tSCYC
VOH
SCK
VOL
VOL
tSLOVI
VOH
VOL
SOT
tIVSHI
VIH
VIL
SIN
tSHIXI
VIH
VIL
MS 位 = 0
tSLSH
SCK
VIH
tF
SOT
SIN
VIL
tSHSL
VIL
VIH
VIH
tR
tSLOVE
VOH
VOL
tIVSHE
VIH
VIL
tSHIXE
VIH
VIL
MS 位 = 1
文档编号:002-00219 版本**
页 107/164
初版
S6E2HE 系列
同步串行模式(SPI = 0,SCINV = 1)
(VCC = 2.7 V ~ 5.5 V,VSS = 0 V)
参数
符号
串行时钟周期时间
tSCYC
SCK 上升沿到 SOT 延迟时间
tSHOVI
SIN 到 SCK 下降沿建立时间
tIVSLI
SCK 下降沿到 SIN 保持时间
tSLIXI
串行时钟低电平脉宽
串行时钟高电平脉宽
tSLSH
tSHSL
SCK 上升沿到 SOT 延迟时间
tSHOVE
SIN 到 SCK 下降沿建立时间
tIVSLE
SCK 下降沿到 SIN 保持时间
tSLIXE
SCK 下降时间
SCK 上升时间
tF
tR
引脚
名称
SCKx
SCKx,
SOTx
SCKx,
SINx
SCKx,
SINx
SCKx
SCKx
SCKx,
SOTx
SCKx,
SINx
SCKx,
SINx
SCKx
SCKx
条件
内部移位时钟
外部移位时钟
VCC ≥ 4.5 V
VCC < 4.5 V
单位
最小值
最大值
最小值
最大值
4tCYCP
–
4tCYCP
–
ns
- 30
+ 30
- 20
+ 20
ns
50
–
30
–
ns
0
–
0
–
ns
2tCYCP - 10
tCYCP + 10
–
–
2tCYCP - 10
tCYCP + 10
–
–
ns
ns
–
50
–
30
ns
10
–
10
–
ns
20
–
20
–
ns
–
–
5
5
–
–
5
5
ns
ns
注意:
−
上述特性适用于 CLK 同步模式。
−
tCYCP 指的是 APB 总线时钟周期时间。
有关多功能串行接口挂接的 APB 总线编号的详细信息,请参考第 8 章框图的内容。
−
这些特性只对相同重定位端口编号有效。
例如,对 SCLKx_0 和 SOTx_1 的组合为无效。
−
外部负载电容 CL 为 30 pF。
文档编号:002-00219 版本**
页 108/164
初版
S6E2HE 系列
tSCYC
VOH
SCK
VOH
VOL
tSHOVI
VOH
VOL
SOT
tIVSLI
VIH
VIL
SIN
tSLIXI
VIH
VIL
MS 位 = 0
tSHSL
SCK
VIL
tR
SOT
SIN
tSLSH
VIH
VIH
VIL
VIL
tF
tSHOVE
VOH
VOL
tIVSLE
VIH
VIL
tSLIXE
VIH
VIL
MS 位 = 1
文档编号:002-00219 版本**
页 109/164
初版
S6E2HE 系列
同步串行模式(SPI = 1,SCINV = 0)
(VCC = 2.7 V ~ 5.5 V,VSS = 0 V)
参数
符号
引脚名称
串行时钟周期时间
tSCYC
SCK 上升沿到 SOT 延迟时间
tSHOVI
SIN 到 SCK 下降沿建立时间
tIVSLI
SCK 下降沿到 SIN 保持时间
tSLIXI
SOT 到 SCK 下降沿延迟时间
tSOVLI
串行时钟低电平脉宽
串行时钟高电平脉宽
tSLSH
tSHSL
SCKx
SCKx,
SOTx
SCKx,
SINx
SCKx,
SINx
SCKx,
SOTx
SCKx
SCKx
SCKx,
SOTx
SCKx,
SINx
SCKx,
SINx
SCKx
SCKx
SCK 上升沿到 SOT 延迟时间
tSHOVE
SIN 到 SCK 下降沿建立时间
tIVSLE
SCK 下降沿到 SIN 保持时间
tSLIXE
SCK 下降时间
SCK 上升时间
tF
tR
条件
内部移位时钟
外部移位时钟
VCC < 4.5 V
最小值
最大值
4tCYCP
–
VCC ≥ 4.5 V
最小值
最大值
4tCYCP
–
单位
ns
- 30
+ 30
- 20
+ 20
ns
50
–
30
–
ns
0
–
0
–
ns
2tCYCP - 30
–
2tCYCP - 30
–
ns
2tCYCP - 10
tCYCP + 10
–
–
2tCYCP - 10
tCYCP + 10
–
–
ns
ns
–
50
–
30
ns
10
–
10
–
ns
20
–
20
–
ns
–
–
5
5
–
–
5
5
ns
ns
注意:
−
上述特性适用于 CLK 同步模式。
−
tCYCP 指的是 APB 总线时钟周期时间。
有关多功能串行接口挂接的 APB 总线编号的详细信息,请参考第 8 章框图的内容。
−
这些特性只对相同重定位端口编号有效。
例如,对 SCLKx_0 和 SOTx_1 的组合为无效。
−
外部负载电容 CL 为 30 pF。
文档编号:002-00219 版本**
页 110/164
初版
S6E2HE 系列
tSCYC
VOH
VOL
SCK
VOH
VOL
SOT
VOH
VOL
tIVSLI
tSLIXI
VIH
VIL
SIN
VOL
tSHOVI
tSOVLI
VIH
VIL
MS 位 = 0
tSLSH
VIH
SCK
VIL
tSHSL
VIH
VIL
tF
*V
tR
VIH
tSHOVE
VOH
VOL
OH
VOL
SOT
SIN
tIVSLE
tSLIXE
VIH
VIL
VIH
VIL
MS 位 = 1
*:写入 TDR 寄存器产生变化时。
文档编号:002-00219 版本**
页 111/164
初版
S6E2HE 系列
同步串行模式(SPI = 1,SCINV = 1)
(VCC = 2.7 V ~ 5.5 V,VSS = 0 V)
参数
符号
引脚名称
串行时钟周期时间
tSCYC
SCK 下降沿到 SOT 延迟时间
tSLOVI
SIN 到 SCK 上升沿建立时间
tIVSHI
SCK 上升沿到 SIN 保持时间
tSHIXI
SOT 到 SCK 上升沿延迟时间
tSOVHI
串行时钟低电平脉宽
串行时钟高电平脉宽
tSLSH
tSHSL
SCK 下降沿到 SOT 延迟时间
tSLOVE
SIN 到 SCK 上升沿建立时间
tIVSHE
SCK 上升沿到 SIN 保持时间
tSHIXE
SCKx
SCKx,
SOTx
SCKx,
SINx
SCKx,
SINx
SCKx,
SOTx
SCKx
SCKx
SCKx,
SOTx
SCKx,
SINx
SCKx,
SINx
SCKx
SCKx
SCK 下降时间
SCK 上升时间
tF
tR
条件
内部移位时钟
外部移位时钟
VCC ≥ 4.5 V
VCC < 4.5 V
单位
最小值
最大值
最小值
最大值
4tCYCP
–
4tCYCP
–
ns
- 30
+ 30
- 20
+ 20
ns
50
–
30
–
ns
0
–
0
–
ns
2tCYCP - 30
–
2tCYCP - 30
–
ns
2tCYCP - 10
tCYCP + 10
–
–
2tCYCP - 10
tCYCP + 10
–
–
ns
ns
–
50
–
30
ns
10
–
10
–
ns
20
–
20
–
ns
–
–
5
5
–
–
5
5
ns
ns
注意:
−
上述特性适用于 CLK 同步模式。
−
tCYCP 指的是 APB 总线时钟周期时间。
有关多功能串行接口挂接的 APB 总线编号的详细信息,请参考第 8 章框图的内容。
−
这些特性只对相同重定位端口编号有效。
例如,对 SCLKx_0 和 SOTx_1 的组合便为无效。
−
外部负载电容 CL 为 30 pF。
文档编号:002-00219 版本**
页 112/164
初版
S6E2HE 系列
tSCYC
VOH
SCK
tSOVHI
SOT
tSLOVI
VOH
VOL
VOH
VOL
tSHIXI
tIVSHI
VIH
VIL
SIN
VOH
VOL
VIH
VIL
MS 位 = 0
tSHSL
tR
SCK
VIL
VIH
tSLSH
VIH
VIL
tF
VIL
VIH
tSLOVE
SOT
VOH
VOL
VOH
VOL
tIVSHE
SIN
tSHIXE
VIH
VIL
VIH
VIL
MS 位 = 1
文档编号:002-00219 版本**
页 113/164
初版
S6E2HE 系列
同步串行片选模式(SPI = 1,SCINV = 0,MS = 0,CSLVL = 1)
(VCC = 2.7 V ~ 5.5 V,VSS = 0 V)
参数
符号
条件
VCC ≥ 4.5 V
VCC < 4.5 V
单位
最小值
最大值
最小值
最大值
(*1)-50
(*1)+0
(*1)-50
(*1)+0
ns
(*2)+0
(*2)+50
(*2)+0
(*2)+50
ns
tCSDI
(*3)-50
+5tCYCP
(*3)+50
+5tCYCP
(*3)-50
+5tCYCP
(*3)+50
+5tCYCP
ns
tCSSE
3tCYCP+30
–
3tCYCP+30
–
ns
0
–
0
–
ns
tCSDE
3tCYCP+30
–
3tCYCP+30
–
ns
SCS 下降沿到 SUT 延迟时间
tDSE
–
40
–
40
ns
SCS 上升沿到 SUT 延迟时间
tDEE
0
–
0
–
ns
SCS 下降沿到 SCK 下降沿
建立时间
SCK 上升沿到 SCS 上升沿
保持时间
SCS 取消时间
SCS 下降沿到 SCK 下降沿
建立时间
SCK 上升沿到 SCS 上升沿
保持时间
SCS 取消时间
tCSSI
tCSHI
内部移位时钟
tCSHE
外部移位时钟
(*1):CSSU 位值 × 串行片选时序操作时钟周期[ns]
(*2):CSHD 位值 × 串行片选时序操作时钟周期[ns]
(*3):CSDS 位值 × 串行片选时序操作时钟周期[ns]
注意:
−
tCYCP 指的是 APB 总线时钟周期时间。
有关多功能串行接口挂接的 APB 总线编号的详细信息,请参考第 8 章框图的内容。
−
更多有关 CSSU、CSHD、CSDS 以及串行片选时序操作时钟的详细信息,请参考“FM4 系列外设手册”中“主要”部分
(MN709-00001)的内容。
−
外部负载电容 CL 为 30 pF。
文档编号:002-00219 版本**
页 114/164
初版
S6E2HE 系列
SCS 输出
tCSDI
tCSSI
tCSHI
tCSSE
tCSHE
SCK 输出
SOT
(SPI = 0)
SOT
(SPI = 1)
SCS 输入
tCSDE
SCK 输入
tDEE
SOT
(SPI = 0)
tDSE
SOT
(SPI = 1)
文档编号:002-00219 版本**
页 115/164
初版
S6E2HE 系列
同步串行片选模式(SPI = 1,SCINV = 1,MS=0,CSLVL = 1)
(VCC = 2.7 V ~ 5.5 V,VSS = 0 V)
参数
符号
条件
VCC ≥ 4.5 V
VCC < 4.5 V
单位
最小值
最大值
最小值
最大值
(*1)-50
(*1)+0
(*1)-50
(*1)+0
ns
(*2)+0
(*2)+50
(*2)+0
(*2)+50
ns
tCSDI
(*3)-50
+5tCYCP
(*3)+50
+5tCYCP
(*3)-50
+5tCYCP
(*3)+50
+5tCYCP
ns
tCSSE
3tCYCP+30
–
3tCYCP+30
–
ns
0
–
0
–
ns
tCSDE
3tCYCP+30
–
3tCYCP+30
–
ns
SCS 下降沿到 SOT 延迟时间
tDSE
–
40
–
40
ns
SCS 上升沿到 SOT 延迟时间
tDEE
0
–
0
–
ns
SCS 下降沿到 SCK 上升沿
建立时间
SCK 下降沿到 SCS 上升沿
保持时间
SCS 取消时间
SCS 下降沿到 SCK 上升沿
建立时间
SCK 下降沿到 SCS 上升沿
保持时间
SCS 取消时间
tCSSI
tCSHI
内部移位时钟
tCSHE
外部移位时钟
(*1):CSSU 位值 × 串行片选时序操作时钟周期[ns]
(*2):CSHD 位值 × 串行片选时序操作时钟周期[ns]
(*3):CSDS 位值 × 串行片选时序操作时钟周期[ns]
注意:
−
tCYCP 指的是 APB 总线时钟周期时间。
有关多功能串行接口挂接的 APB 总线编号的详细信息,请参考第 8 章框图的内容。
−
更多有关 CSSU、CSHD、CSDS 以及串行片选时序操作时钟的详细信息,请参考“FM4 系列外设手册”中“主要”部分
(MN709-00001)的内容。
−
外部负载电容 CL 为 30 pF。
文档编号:002-00219 版本**
页 116/164
初版
S6E2HE 系列
SCS 输出
tCSDI
tCSSI
tCSHI
SCK 输出
SOT
(SPI = 0)
SOT
(SPI = 1)
SCS 输入
tCSDE
tCSSE
tCSHE
SCK 输入
tDEE
SOT
(SPI = 0)
tDSE
SOT
(SPI = 1)
文档编号:002-00219 版本**
页 117/164
初版
S6E2HE 系列
同步串行片选模式(SPI = 1,SCINV = 0,MS = 0,CSLVL = 0)
(VCC = 2.7 V ~ 5.5 V,VSS = 0 V)
参数
SCS 上升沿到 SCK 下降沿
建立时间
SCK 上升沿到 SCS 下降沿
保持时间
SCS 取消时间
SCS 上升沿到 SCK 下降沿
建立时间
SCK 上升沿到 SCS 下降沿
保持时间
SCS 取消时间
符号
条件
VCC ≥ 4.5 V
VCC < 4.5 V
单位
最小值
最大值
最小值
最大值
(*1)-50
(*1)+0
(*1)-50
(*1)+0
ns
(*2)+0
(*2)+50
(*2)+0
(*2)+50
ns
tCSDI
(*3)-50
+5tCYCP
(*3)+50
+5tCYCP
(*3)-50
+5tCYCP
(*3)+50
+5tCYCP
ns
tCSSE
3tCYCP+30
–
3tCYCP+30
–
ns
0
–
0
–
ns
tCSSI
tCSHI
内部移位时钟
tCSHE
外部移位时钟
tCSDE
3tCYCP+30
–
3tCYCP+30
–
ns
SCS 上升沿到 SOT 延迟时间
tDSE
–
40
–
40
ns
SCS 下降沿到 SOT 延迟时间
tDEE
0
–
0
–
ns
(*1):CSSU 位值 × 串行片选时序操作时钟周期[ns]
(*2):CSHD 位值 × 串行片选时序操作时钟周期[ns]
(*3):CSDS 位值 × 串行片选时序操作时钟周期[ns]
注意:
−
tCYCP 指的是 APB 总线时钟周期时间。
有关多功能串行接口挂接的 APB 总线编号的详细信息,请参考第 8 章框图的内容。
−
更多有关 CSSU、CSHD、CSDS 以及串行片选时序操作时钟的详细信息,请参考“FM4 系列外设手册”中“主要”部分
(MN709-00001)的内容。
−
外部负载电容 CL 为 30 pF。
文档编号:002-00219 版本**
页 118/164
初版
S6E2HE 系列
tCSDI
SCS 输出
tCSSI
tCSHI
SCK 输出
SOT
(SPI = 0)
SOT
(SPI = 1)
tCSDE
SCS 输入
tCSSE
tCSHE
SCK 输入
tDEE
SOT
(SPI = 0)
tDSE
SOT
(SPI = 1)
文档编号:002-00219 版本**
页 119/164
初版
S6E2HE 系列
同步串行片选模式(SPI = 1,SCINV = 1,MS = 0,CSLVL = 0)
(VCC = 2.7 V ~ 5.5 V,VSS = 0 V)
参数
SCS 上升沿到 SCK 上升沿
建立时间
SCK 下降沿到 SCS 下降沿
保持时间
SCS 取消时间
SCS 上升沿到 SCK 上升沿
建立时间
SCK 下降沿到 SCS 下降沿
保持时间
SCS 取消时间
符号
条件
VCC ≥ 4.5 V
VCC < 4.5 V
单位
最小值
最大值
最小值
最大值
(*1)-50
(*1)+0
(*1)-50
(*1)+0
ns
(*2)+0
(*2)+50
(*2)+0
(*2)+50
ns
tCSDI
(*3)-50
+5tCYCP
(*3)+50
+5tCYCP
(*3)-50
+5tCYCP
(*3)+50
+5tCYCP
ns
tCSSE
3tCYCP+30
–
3tCYCP+30
–
ns
0
–
0
–
ns
tCSSI
tCSHI
内部移位时钟
tCSHE
外部移位时钟
tCSDE
3tCYCP+30
–
3tCYCP+30
–
ns
SCS 上升沿到 SOT 延迟时间
tDSE
–
40
–
40
ns
SCS 下降沿到 SOT 延迟时间
tDEE
0
–
0
–
ns
(*1):CSSU 位值 × 串行片选时序操作时钟周期[ns]
(*2):CSHD 位值 × 串行片选时序操作时钟周期[ns]
(*3):CSDS 位值 × 串行片选时序操作时钟周期[ns]
注意:
−
tCYCP 指的是 APB 总线时钟周期时间。
有关多功能串行接口挂接的 APB 总线编号的详细信息,请参考第 8 章框图的内容。
−
更多有关 CSSU、CSHD、CSDS 以及串行片选时序操作时钟的详细信息,请参考“FM4 系列外设手册”中“主要”部分
(MN709-00001)的内容。
−
外部负载电容 CL 为 30 pF。
文档编号:002-00219 版本**
页 120/164
初版
S6E2HE 系列
tCSDI
SCS 输出
tCSSI
tCSHI
SCK 输出
SOT
(SPI = 0)
SOT
(SPI = 1)
tCSDE
SCS 输入
tCSSE
tCSHE
SCK 输入
tDEE
SOT
(SPI = 0)
tDSE
SOT
(SPI = 1)
文档编号:002-00219 版本**
页 121/164
初版
S6E2HE 系列
高速同步串行模式(SPI = 0,SCINV = 0)
(VCC = 2.7 V ~ 5.5 V,VSS = 0 V)
参数
符号
引脚名称
串行时钟周期时间
tSCYC
SCK 下降沿到 SOT 延迟时间
条件
VCC ≥ 4.5 V
VCC < 4.5 V
单位
最小值
最大值
最小值
最大值
SCKx
4tCYCP
–
4tCYCP
–
ns
tSLOVI
SCKx,
SOTx
-10
+10
-10
+10
ns
SIN 到 SCK 上升沿建立时间
tIVSHI
SCKx,
SINx
–
12.5
–
ns
SCK 上升沿到 SIN 保持时间
tSHIXI
SCKx,
SINx
5
–
5
–
ns
串行时钟低电平脉宽
tSLSH
SCKx
2tCYCP – 5
–
2tCYCP – 5
–
ns
串行时钟高电平脉宽
tSHSL
SCKx
tCYCP + 10
–
tCYCP + 10
–
ns
SCK 下降沿到 SOT 延迟时间
tSLOVE
SCKx,
SOTx
–
15
–
15
ns
SIN 到 SCK 上升沿建立时间
tIVSHE
SCKx,
SINx
5
–
5
–
ns
SCK 上升沿到 SIN 保持时间
tSHIXE
5
–
5
–
ns
内部移位时钟
14
12.5*
外部移位时钟
SCKx,
SINx
SCK 下降时间
tF
SCKx
–
5
–
5
ns
SCK 上升时间
tR
SCKx
–
5
–
5
ns
注意:
−
上述特性适用于 CLK 同步模式。
−
tCYCP 指的是 APB 总线时钟周期时间。
有关多功能串行接口挂接的 APB 总线编号的详细信息,请参考第 8 章框图的内容。
−
这些特性仅适用于以下各引脚。
−
无片选:
SIN4_1、SOT4_1、SCK4_1
−
片选:
SIN6_1、SOT6_1、SCK6_1、SCS6_1
−
外部负载电容 CL 为 30 pF。(对于带*项,条件为 CL = 10 pF)
文档编号:002-00219 版本**
页 122/164
初版
S6E2HE 系列
tSCYC
VOH
SCK
VOL
VOL
tSLOVI
VOH
VOL
SOT
tIVSHI
VIH
VIL
SIN
tSHIXI
VIH
VIL
MS 位 = 0
tSLSH
SCK
VIH
tF
SOT
SIN
VIL
tSHSL
VIL
VIH
VIH
tR
tSLOVE
VOH
VOL
tIVSHE
VIH
VIL
tSHIXE
VIH
VIL
MS 位 = 1
文档编号:002-00219 版本**
页 123/164
初版
S6E2HE 系列
高速同步串行模式(SPI = 0,SCINV = 1)
(VCC = 2.7 V ~ 5.5 V,VSS = 0 V)
参数
符号
引脚名称
串行时钟周期时间
tSCYC
SCKx
SCK 上升沿到 SOT 延迟时间
tSHOVI
SCKx,
SOTx
条件
内部移位时钟
VCC ≥ 4.5 V
VCC < 4.5 V
单位
最小值
最大值
最小值
最大值
4tCYCP
–
4tCYCP
–
ns
-10
+10
-10
+10
ns
–
12.5
–
ns
14
SIN 到 SCK 下降沿建立时间
tIVSLI
SCKx,
SINx
SCK 下降沿到 SIN 保持时间
tSLIXI
SCKx,
SINx
5
–
5
–
ns
串行时钟低电平脉宽
tSLSH
SCKx
2tCYCP – 5
–
2tCYCP – 5
–
ns
串行时钟高电平脉宽
tSHSL
SCKx
tCYCP + 10
–
tCYCP + 10
–
ns
tSHOVE
SCKx,
SOTx
–
15
–
15
ns
SCK 上升沿到 SOT 延迟时间
12.5*
外部移位时钟
SIN 到 SCK 下降沿建立时间
tIVSLE
SCKx,
SINx
5
–
5
–
ns
SCK 下降沿到 SIN 保持时间
tSLIXE
SCKx,
SINx
5
–
5
–
ns
SCK 下降时间
tF
SCKx
–
5
–
5
ns
SCK 上升时间
tR
SCKx
–
5
–
5
ns
注意:
−
上述特性适用于 CLK 同步模式。
−
tCYCP 指的是 APB 总线时钟周期时间。
有关多功能串行接口挂接的 APB 总线编号的详细信息,请参考第 8 章框图的内容。
−
这些特性仅适用于以下各引脚。
−
无片选:
SIN4_1、SOT4_1、SCK4_1
−
片选:
SIN6_1、SOT6_1、SCK6_1、SCS6_1
−
外部负载电容 CL 为 30 pF。(对于带*项,条件为 CL = 10 pF)
文档编号:002-00219 版本**
页 124/164
初版
S6E2HE 系列
tSCYC
VOH
SCK
VOH
VOL
tSHOVI
VOH
VOL
SOT
tIVSLI
VIH
VIL
SIN
tSLIXI
VIH
VIL
MS 位 = 0
tSHSL
SCK
VIL
tR
SOT
SIN
tSLSH
VIH
VIH
VIL
VIL
tF
tSHOVE
VOH
VOL
tIVSLE
VIH
VIL
tSLIXE
VIH
VIL
MS 位 = 1
文档编号:002-00219 版本**
页 125/164
初版
S6E2HE 系列
高速同步串行模式(SPI = 1,SCINV = 0)
(VCC = 2.7 V ~ 5.5 V,VSS = 0 V)
参数
符号
引脚名称
串行时钟周期时间
tSCYC
SCK 上升沿到 SOT 延迟时间
条件
VCC ≥ 4.5 V
VCC < 4.5 V
单位
最小值
最大值
最小值
最大值
SCKx
4tCYCP
–
4tCYCP
–
ns
tSHOVI
SCKx,
SOTx
-10
+10
-10
+10
ns
SIN 到 SCK 下降沿建立时间
tIVSLI
SCKx,
SINx
–
12.5
–
ns
SCK 下降沿到 SIN 保持时间
tSLIXI
SCKx,
SINx
5
–
5
–
ns
SOT 到 SCK 下降沿延迟时间
tSOVLI
SCKx,
SOTx
2tCYCP – 10
–
2tCYCP – 10
–
ns
串行时钟低电平脉宽
tSLSH
SCKx
2tCYCP – 5
–
2tCYCP – 5
–
ns
串行时钟高电平脉宽
tSHSL
SCKx
tCYCP + 10
–
tCYCP + 10
–
ns
SCK 上升沿到 SOT 延迟时间 tSHOVE
SCKx,
SOTx
–
15
–
15
ns
SIN 到 SCK 下降沿建立时间
tIVSLE
SCKx,
SINx
5
–
5
–
ns
SCK 下降沿到 SIN 保持时间
tSLIXE
SCKx,
SINx
5
–
5
–
ns
SCK 下降时间
tF
SCKx
–
5
–
5
ns
SCK 上升时间
tR
SCKx
–
5
–
5
ns
内部移位时钟
14
12.5*
外部移位时钟
注意:
−
上述特性适用于 CLK 同步模式。
−
tCYCP 指的是 APB 总线时钟周期时间。
有关多功能串行接口挂接的 APB 总线编号的详细信息,请参考第 8 章框图的内容。
−
这些特性仅适用于以下各引脚。
−
无片选:
SIN4_1、SOT4_1、SCK4_1
−
片选:
SIN6_1、SOT6_1、SCK6_1、SCS6_1
−
外部负载电容 CL 为 30 pF。(对于带*项,条件为 CL = 10 pF)
文档编号:002-00219 版本**
页 126/164
初版
S6E2HE 系列
tSCYC
VOH
VOL
SCK
VOH
VOL
SOT
VOH
VOL
tIVSLI
tSLIXI
VIH
VIL
SIN
VOL
tSHOVI
tSOVLI
VIH
VIL
MS 位 = 0
tSLSH
VIH
SCK
VIL
tSHSL
V
VIL IH
tF
*V
tR
VIH
tSHOVE
VOH
VOL
OH
SOT
VOL
tIVSLE
SIN
tSLIXE
VIH
VIL
VIH
VIL
MS 位 = 1
*:写入 TDR 寄存器产生变化时。
文档编号:002-00219 版本**
页 127/164
初版
S6E2HE 系列
高速同步串行模式(SPI = 1,SCINV = 1)
(VCC = 2.7 V ~ 5.5 V,VSS = 0 V)
参数
符号
引脚名称
内部移位时钟
tSCYC
SCK 下降沿到 SOT 延迟时间
条件
VCC ≥ 4.5 V
VCC < 4.5 V
单位
最小值
最大值
最小值
最大值
SCKx
4tCYCP
–
4tCYCP
–
ns
tSLOVI
SCKx,
SOTx
-10
+10
-10
+10
ns
SIN 到 SCK 上升沿建立时间
tIVSHI
SCKx,
SINx
–
12.5
–
ns
SCK 上升沿到 SIN 保持时间
tSHIXI
SCKx,
SINx
5
–
5
–
ns
SOT 到 SCK 上升沿延迟时间
tSOVHI
SCKx,
SOTx
2tCYCP – 10
–
2tCYCP – 10
–
ns
串行时钟低电平脉宽
tSLSH
SCKx
2tCYCP – 5
–
2tCYCP – 5
–
ns
串行时钟高电平脉宽
tSHSL
SCKx
tCYCP + 10
–
tCYCP + 10
–
ns
SCK 下降沿到 SOT 延迟时间
tSLOVE
SCKx,
SOTx
–
15
–
15
ns
内部移位时钟
14
12.5*
外部移位时钟
SIN 到 SCK 上升沿建立时间
tIVSHE
SCKx,
SINx
5
–
5
–
ns
SCK 上升沿到 SIN 保持时间
tSHIXE
SCKx,
SINx
5
–
5
–
ns
SCK 下降时间
tF
SCKx
–
5
–
5
ns
SCK 上升时间
tR
SCKx
–
5
–
5
ns
注意:
−
上述特性适用于 CLK 同步模式。
−
tCYCP 指的是 APB 总线时钟周期时间。
有关多功能串行接口挂接的 APB 总线编号的详细信息,请参考第 8 章框图的内容。
−
这些特性仅适用于以下各引脚。
−
无片选:
SIN4_1、SOT4_1、SCK4_1
−
片选:
SIN6_1、SOT6_1、SCK6_1、SCS6_1
−
外部负载电容 CL 为 30 pF。(对于带*项,条件为 CL = 10 pF)
文档编号:002-00219 版本**
页 128/164
初版
S6E2HE 系列
tSCYC
VOH
SCK
tSOVHI
SOT
tSLOVI
VOH
VOL
VOH
VOL
tSHIXI
tIVSHI
VIH
VIL
SIN
VOH
VOL
VIH
VIL
MS 位 = 0
tSHSL
tR
SCK
VIL
VIH
tSLSH
VIH
VIL
tF
VIL
VIH
tSLOVE
SOT
VOH
VOL
VOH
VOL
tIVSHE
SIN
tSHIXE
VIH
VIL
VIH
VIL
MS 位 = 1
文档编号:002-00219 版本**
页 129/164
初版
S6E2HE 系列
高速同步串行片选模式(SPI = 1,SCINV = 0,MS = 0,CSLVL = 1)
(VCC = 2.7 V ~ 5.5 V,VSS = 0 V)
参数
符号
条件
VCC ≥ 4.5 V
VCC < 4.5 V
单位
最小值
最大值
最小值
最大值
(*1)-20
(*1)+0
(*1)-20
(*1)+0
ns
(*2)+0
(*2)+20
(*2)+0
(*2)+0
ns
tCSDI
(*3)-20
+5tCYCP
(*3)+20
+5tCYCP
(*3)-20
+5tCYCP
(*3)+20
+5tCYCP
ns
tCSSE
3tCYCP+15
–
3tCYCP+15
–
ns
0
–
0
–
ns
tCSDE
3tCYCP+15
–
3tCYCP+15
–
ns
SCS 下降沿到 SOT 延迟时间
tDSE
–
25
–
25
ns
SCS 上升沿到 SOT 延迟时间
tDEE
0
–
0
–
ns
SCS 下降沿到 SCK 下降沿
建立时间
SCK 上升沿到 SCS 上升沿
保持时间
SCS 取消时间
SCS 下降沿到 SCK 下降沿
建立时间
SCK 上升沿到 SCS 上升沿
保持时间
SCS 取消时间
tCSSI
tCSHI
内部移位时钟
tCSHE
外部移位时钟
(*1):CSSU 位值 × 串行片选时序操作时钟周期[ns]
(*2):CSHD 位值 × 串行片选时序操作时钟周期[ns]
(*3):CSDS 位值 × 串行片选时序操作时钟周期[ns]
注意:
−
tCYCP 指的是 APB 总线时钟周期时间。
有关多功能串行接口挂接的 APB 总线编号的详细信息,请参考第 8 章框图的内容。
−
更多有关 CSSU、CSHD、CSDS 以及串行片选时序操作时钟的详细信息,请参考 FM4 系列外设手册。
−
外部负载电容 CL 为 30 pF。
文档编号:002-00219 版本**
页 130/164
初版
S6E2HE 系列
SCS 输出
tCSDI
tCSSI
tCSHI
tCSSE
tCSHE
SCK 输出
SOT
(SPI = 0)
SOT
(SPI = 1)
SCS 输入
tCSDE
SCK 输入
tDEE
SOT
(SPI = 0)
tDSE
SOT
(SPI = 1)
文档编号:002-00219 版本**
页 131/164
初版
S6E2HE 系列
高速同步串行片选模式(SPI = 1,SCINV = 1,MS = 0,CSLVL = 1)
(VCC = 2.7 V ~ 5.5 V,VSS = 0 V)
参数
SCS 下降沿到 SCK 上升沿
建立时间
SCK 下降沿到 SCS 上升沿
保持时间
SCS 取消时间
SCS 下降沿到 SCK 上升沿
建立时间
SCK 下降沿到 SCS 上升沿
保持时间
符号
条件
VCC ≥ 4.5 V
VCC < 4.5 V
单位
最小值
最大值
最小值
最大值
(*1)-20
(*1)+0
(*1)-20
(*1)+0
ns
(*2)+0
(*2)+20
(*2)+0
(*2)+0
ns
tCSDI
(*3)-20
+5tCYCP
(*3)+20
+5tCYCP
(*3)-20
+5tCYCP
(*3)+20
+5tCYCP
ns
tCSSE
3tCYCP+15
–
3tCYCP+15
–
ns
0
–
0
–
ns
tCSSI
tCSHI
内部移位时钟
tCSHE
外部移位时钟
SCS 取消时间
tCSDE
3tCYCP+15
–
3tCYCP+15
–
ns
SCS 下降沿到 SOT 延迟时间
tDSE
–
25
–
25
ns
SCS 上升沿到 SOT 延迟时间
tDEE
0
–
0
–
ns
(*1):CSSU 位值 × 串行片选时序操作时钟周期[ns]
(*2):CSHD 位值 × 串行片选时序操作时钟周期[ns]
(*3):CSDS 位值 × 串行片选时序操作时钟周期[ns]
注意:
−
tCYCP 指的是 APB 总线时钟周期时间。
有关多功能串行接口挂接的 APB 总线编号的详细信息,请参考第 8 章框图的内容。
−
更多有关 CSSU、CSHD、CSDS 以及串行片选时序操作时钟的详细信息,请参考“FM4 系列外设手册”中“主要”部分
(MN709-00001)的内容。
−
外部负载电容 CL 为 30 pF。
文档编号:002-00219 版本**
页 132/164
初版
S6E2HE 系列
SCS 输出
tCSDI
tCSSI
tCSHI
SCK 输出
SOT
(SPI = 0)
SOT
(SPI = 1)
SCS 输入
tCSDE
tCSSE
tCSHE
SCK 输入
tDEE
SOT
(SPI = 0)
tDSE
SOT
(SPI = 1)
文档编号:002-00219 版本**
页 133/164
初版
S6E2HE 系列
高速同步串行片选模式(SPI = 1,SCINV = 0,MS = 0,CSLVL = 0)
(VCC = 2.7 V ~ 5.5 V,VSS = 0 V)
参数
SCS 上升沿到 SCK 下降沿
建立时间
SCK 上升沿到 SCS 下降沿
保持时间
SCS 取消时间
SCS 上升沿到 SCK 下降沿
建立时间
SCK 上升沿到 SCS 下降沿
保持时间
SCS 取消时间
符号
条件
VCC ≥ 4.5 V
VCC < 4.5 V
单位
最小值
最大值
最小值
最大值
(*1)-20
(*1)+0
(*1)-20
(*1)+0
ns
(*2)+0
(*2)+20
(*2)+0
(*2)+0
ns
tCSDI
(*3)-20
+5tCYCP
(*3)+20
+5tCYCP
(*3)-20
+5tCYCP
(*3)+20
+5tCYCP
ns
tCSSE
3tCYCP+15
–
3tCYCP+15
–
ns
0
–
0
–
ns
tCSSI
tCSHI
内部移位时钟
tCSHE
外部移位时钟
tCSDE
3tCYCP+15
–
3tCYCP+15
–
ns
SCS 上升沿到 SOT 延迟时间
tDSE
–
25
–
25
ns
SCS 下降沿到 SOT 延迟时间
tDEE
0
–
0
–
ns
(*1):CSSU 位值 × 串行片选时序操作时钟周期[ns]
(*2):CSHD 位值 × 串行片选时序操作时钟周期[ns]
(*3):CSDS 位值 × 串行片选时序操作时钟周期[ns]
注意:
−
tCYCP 指的是 APB 总线时钟周期时间。
有关多功能串行接口挂接的 APB 总线编号的详细信息,请参考第 8 章框图的内容。
−
更多有关 CSSU、CSHD、CSDS 以及串行片选时序操作时钟的详细信息,请参考“FM4 系列外设手册”中“主要”部分
(MN709-00001)的内容。
−
外部负载电容 CL 为 30 pF。
文档编号:002-00219 版本**
页 134/164
初版
S6E2HE 系列
tCSDI
SCS 输出
tCSSI
tCSHI
SCK 输出
SOT
(SPI = 0)
SOT
(SPI = 1)
tCSDE
SCS 输入
tCSSE
tCSHE
SCK 输入
tDEE
SOT
(SPI = 0)
tDSE
SOT
(SPI = 1)
文档编号:002-00219 版本**
页 135/164
初版
S6E2HE 系列
高速同步串行片选模式(SPI = 1,SCINV = 1,MS = 0,CSLVL = 0)
(VCC = 2.7 V ~ 5.5 V,VSS = 0 V)
参数
SCS 上升沿到 SCK 上升沿
建立时间
SCK 下降沿到 SCS 下降沿
保持时间
SCS 取消时间
SCS 上升沿到 SCK 上升沿
建立时间
SCK 下降沿到 SCS 下降沿
保持时间
符号
条件
VCC ≥ 4.5 V
VCC < 4.5 V
单位
最小值
最大值
最小值
最大值
(*1)-20
(*1)+0
(*1)-20
(*1)+0
ns
(*2)+0
(*2)+20
(*2)+0
(*2)+20
ns
tCSDI
(*3)-20
+5tCYCP
(*3)+20
+5tCYCP
(*3)-20
+5tCYCP
(*3)+20
+5tCYCP
ns
tCSSE
3tCYCP+15
–
3tCYCP+15
–
ns
0
–
0
–
ns
tCSSI
tCSHI
内部移位时钟
tCSHE
外部移位时钟
SCS 取消时间
tCSDE
3tCYCP+15
–
3tCYCP+15
–
ns
SCS 上升沿到 SOT 延迟时间
tDSE
–
25
–
25
ns
SCS 下降沿到 SOT 延迟时间
tDEE
0
–
0
–
ns
(*1):CSSU 位值 × 串行片选时序操作时钟周期[ns]
(*2):CSHD 位值 × 串行片选时序操作时钟周期[ns]
(*3):CSDS 位值 × 串行片选时序操作时钟周期[ns]
注意:
−
tCYCP 指的是 APB 总线时钟周期时间。
有关多功能串行接口挂接的 APB 总线编号的详细信息,请参考第 8 章框图的内容。
−
更多有关 CSSU、CSHD、CSDS 以及串行片选时序操作时钟的详细信息,请参考“FM4 系列外设手册”中“主要”部分
(MN709-00001)的内容。
−
外部负载电容 CL 为 30 pF。
文档编号:002-00219 版本**
页 136/164
初版
S6E2HE 系列
tCSDI
SCS 输出
tCSSI
tCSHI
SCK 输出
SOT
(SPI = 0)
SOT
(SPI = 1)
tCSDE
SCS 输入
tCSSE
tCSHE
SCK 输入
tDEE
SOT
(SPI = 0)
tDSE
SOT
(SPI = 1)
文档编号:002-00219 版本**
页 137/164
初版
S6E2HE 系列
外部时钟(EXT = 1):仅适用于异步模式
(VCC = 2.7 V ~ 5.5 V,VSS = 0 V)
参数
符号
串行时钟低电平脉宽
串行时钟高电平脉宽
SCK 下降时间
SCK 上升时间
tSLSH
tSHSL
tF
tR
条件
CL = 30 pF
tR
SCK
文档编号:002-00219 版本**
数值
最小值
最大值
tCYCP + 10
tCYCP + 10
–
–
–
–
5
5
tSHSL
VI L
VIH
单位
ns
ns
ns
ns
tF
tSLSH
VIH
V IL
备注
VIL
VIH
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初版
12.4.12
S6E2HE 系列
外部输入时序
(VCC = 2.7 V ~ 5.5 V,VSS = 0 V)
参数
符号
引脚名称
条件
值
最小值
最大值
单位
A/D 转换器触发输入
ADTG
输入脉宽
tINH、tINL
FRCKx
ICxx
DTTIxX
备注
–
2tCYCP*1
–
ns
–
2tCYCP*1
–
ns
波形发生器
2tCYCP + 100*1
–
ns
500*2
–
ns
外部中断
NMI
500*3
–
ns
深度待机模式唤醒
INT00 至 INT15,
NMIX
–
WKUPx
–
自由运行定时器输入时钟
输入捕获
*1:tCYCP 指的是 APB 总线时钟周期,处于停止模式、定时器模式的停止信号除外。
有关 A/D 转换器、多功能定时器和外部中断挂接的 APB 总线编号的详细信息,请参考第 8 章框图的内容。
*2:器件处于 停止模式或定时器模式。
*3:器件处于深度待机 RTC 模式或深度待机停止模式。
文档编号:002-00219 版本**
页 139/164
初版
12.4.13
S6E2HE 系列
正交位置/转数计数器时序
(VCC = 2.7 V ~ 5.5 V,VSS = 0 V)
参数
符号
值
条件
最小值
AIN 高电平时间
tAHL
–
AIN 低电平时间
tALL
–
BIN 高电平时间
tBHL
–
BIN 低电平时间
tBLL
–
BIN 上升沿之前
tAUBU
PC_Mode2 或 PC_Mode3
AIN 高电平维持时间
AIN 下降沿之前
PC_Mode2 或 PC_Mode3
tBUAD
BIN 高电平维持时间
BIN 下降沿之前
PC_Mode2 或 PC_Mode3
tADBD
AIN 低电平维持时间
AIN 上升沿之前
tBDAU
PC_Mode2 或 PC_Mode3
BIN 低电平维持时间
AIN 上升沿之前
tBUAU
PC_Mode2 或 PC_Mode3
2tCYCP*
BIN 高电平维持时间
BIN 下降沿之前
PC_Mode2 或 PC_Mode3
tAUBD
AIN 高电平维持时间
AIN 下降沿之前
tBDAD
PC_Mode2 或 PC_Mode3
BIN 低电平维持时间
BIN 上升沿之前
tADBU
PC_Mode2 或 PC_Mode3
AIN 低电平维持时间
ZIN 高电平时间
tZHL
QCR:CGSC = 0
ZIN 低电平时间
tZLL
QCR:CGSC = 0
AIN/BIN 上升/下降沿之前的 ZIN 电平维持
tZABE
QCR:CGSC = 1
时间
AIN/BIN 上升/下降沿之后的 ZIN 电平维持
tABEZ
QCR:CGSC = 1
时间
*:tCYCP 指的是 APB 总线时钟周期,处于停止模式、定时器模式的停止信号除外。
有关正交位置/转数计数器挂接的 APB 总线编号的详细信息,请参考第 8 章框图的内容。
最大值
–
单位
ns
tALL
tAHL
AIN
tAUBU
tADBD
tBUAD
tBDAU
BIN
tBHL
文档编号:002-00219 版本**
tBLL
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初版
S6E2HE 系列
tBLL
tBHL
BIN
tBUAU
tBDAD
tAUBD
tADBU
AIN
tAHL
tALL
ZIN
ZIN
AIN/BIN
文档编号:002-00219 版本**
页 141/164
初版
12.4.14
S6E2HE 系列
I2C 时序
标准模式,快速模式
(VCC = 2.7 V ~ 5.5 V,VSS = 0 V)
参数
符号
SCL 时钟频率
(重复)起始信号保持时间
(从 SDA 下降沿到 SCL 下降沿)
SCL 时钟低电平时间
SCL 时钟高电平时间
(重复)起始信号的建立时间
(从 SCL 上升沿到 SDA 下降沿)
数据保持时间
(从 SCL 下降沿到 SDA 下降沿/
上升沿)
数据建立时间
(从 SDA 下降沿/上升沿到 SCL
上升沿)
停止信号的建立时间
(从 SCL 上升沿到 SDA 上升沿)
停止信号和起始信号之间
的总线空闲时间
噪声过滤时间
条件
标准模式
高速模式
单位
最小值
最大值
最小值
最大值
fSCL
0
100
0
400
kHz
tHDSTA
4.0
–
0.6
–
μs
tLOW
tHIGH
4.7
4.0
–
–
1.3
0.6
–
–
μs
μs
tSUSTA
4.7
–
0.6
–
μs
0
3.45*2
0
0.9*3
μs
tSUDAT
250
–
100
–
ns
tSUSTO
4.0
–
0.6
–
μs
tBUF
4.7
–
1.3
–
μs
2tCYCP*4
–
2tCYCP*4
–
ns
4tCYCP*4
–
4tCYCP*4
–
ns
6tCYCP*4
–
6tCYCP*4
–
ns
8tCYCP*4
–
8tCYCP*4
–
ns
10tCYCP*4
–
10tCYCP*4
–
ns
12tCYCP*4
–
12tCYCP*4
–
ns
14tCYCP*4
–
14tCYCP*4
–
ns
16tCYCP*4
–
16tCYCP*4
–
ns
tHDDAT
tSP
CL = 30 pF,
R = (Vp/IOL)*1
2 MHz ≤
tCYCP < 40 MHz
40 MHz ≤
tCYCP < 60 MHz
60 MHz ≤
tCYCP < 80 MHz
80 MHz ≤
tCYCP < 100 MHz
100 MHz ≤
tCYCP < 120 MHz
120 MHz ≤
tCYCP < 140 MHz
140 MHz ≤
tCYCP < 160 MHz
160 MHz ≤
tCYCP < 180 MHz
备注
*5
1:R 和 CL 分别表示 SCL 和 SDA 线的上拉电阻和负载电容。Vp 是指上拉电阻的电源电压,而 IOL 是指置总线于 VOL 的保证
电流。
2:tHDDAT 的最大值不能超过器件的 SCL 信号的低电平(tLOW)时间。
3:只要器件满足 tSUDAT ≥ 250 ns 的条件,快速模式 I2C 总线器件便能够用于标准模式 I2C 总线系统中。
4:tCYCP 是指 APB 总线时钟周期时间。有关 I2C 挂接的 APB 总线编号的详细信息,请参考第 8 章框图的内容。
使用标准模式时,外设总线时钟频率必须大于 2 MHz。
使用快速模式时,外设总线时钟频率必须大于 8 MHz。
5:设置寄存器可以修改噪声过滤时间。根据 APB 总线时钟频率改变噪声过滤范围。
文档编号:002-00219 版本**
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初版
S6E2HE 系列
高速模式(Fm+)
(VCC = 2.7 V ~ 5.5 V,VSS = 0 V)
参数
符号
SCL 时钟频率
(重复)起始信号保持时间
(从 SDA 下降沿到 SCL 下降沿)
SCL 时钟低电平时间
SCL 时钟高电平时间
SCL 时钟频率
(重复)起始信号保持时间
(从 SDA 下降沿到 SCL 下降沿)
数据建立时间
(从 SDA 下降沿/上升沿到 SCL 上升沿)
停止信号的建立时间
(从 SCL 上升沿到 SDA 上升沿)
停止信号和起始信号之间的总线空闲时间
fSCL
噪声过滤时间
条件
高速模式(Fm+)*6
最小值
最大值
0
1000
单位
kHz
tHDSTA
0.26
–
μs
tLOW
tHIGH
tSUSTA
0.5
0.26
0.26
–
–
–
μs
μs
μs
0
0.45*2 *3
μs
tSUDAT
50
–
ns
tSUSTO
0.26
–
μs
0.5
–
μs
6 tCYCP*4
–
ns
8 tCYCP*4
–
ns
10 tCYCP*4
–
ns
12 tCYCP*4
–
ns
14 tCYCP*4
–
ns
16 tCYCP*4
–
ns
tHDDAT
CL = 30 pF,
R = (Vp/IOL)*1
tBUF
tSP
60 MHz ≤
tCYCP < 80 MHz
80 MHz ≤
tCYCP < 100 MHz
100 MHz ≤
tCYCP < 120 MHz
120 MHz ≤
tCYCP < 140 MHz
140 MHz ≤
tCYCP < 160 MHz
160 MHz ≤
tCYCP < 180 MHz
、
备注
*5
1:R 和 CL 分别表示 SCL 和 SDA 线的上拉电阻和负载电容。Vp 是指上拉电阻的电源电压,而 IOL 是指置总线于 VOL 的保证电
流。
2:tHDDAT 的最大值不能超过器件的 SCL 信号的低电平(tLOW)时间。
3:只要器件满足 tSUDAT ≥ 250 ns 的条件,高速模式 I2C 总线器件便能够用于标准模式 I2C 总线系统中。
4:tCYCP 是指 APB 总线时钟周期时间。有关 I2C 挂接的 APB 总线编号的详细信息,请参考第 8 章框图的内容。
如需使用高速模式(Fm+)
,请将外设总线时钟的频率设置为 64 MHz 或更高。
5:设置寄存器可以修改噪声过滤时间。根据 APB 总线时钟频率改变噪声过滤范围。
6:使用高速模式(Fm+)时,将 I/O 引脚设置为与 EPFR 寄存器中 I2C Fm+相应的模式。
更多有关信息,请参考“FM4 系列外设手册”的“主要”部分(MN709-00001)中第 12 章:I/O 端口的内容。
SDA
SCL
文档编号:002-00219 版本**
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12.4.15
S6E2HE 系列
SD 卡接口时序
默认速度模式
时钟 CLK(所有值参考 VIH 和 VIL 电平跳变点)
(VCC = 2.7 V ~ 3.6 V,VSS = 0 V)
参数
符号
引脚名称
数据传输模式时钟频率
fPP
S_CLK
识别模式时钟频率
fOD
S_CLK
值
条件
CCARD ≤ 10 pF
(单张卡)
备注
最小值
最大值
0
16
MHz
0*/100
400
kHz
10
10
–
–
–
–
10
10
ns
ns
ns
ns
时钟低电平时间
tWL
S_CLK
时钟高电平时间
tWH
S_CLK
时钟上升时间
tTLH
S_CLK
时钟下降时间
tTHL
S_CLK
*:0 Hz 表示停止时钟。给定的最小频率范围适用于需要连续时钟的场合。
卡输入 CMD、DAT(参考时钟 CLK)
参数
符号
输入建立时间
tISU
输入保持时间
tIH
值
引脚名称
条件
S_CMD、
S_DATA3:0
S_CMD、
S_DATA3:0
CCARD ≤ 10 pF
(单张卡)
引脚名称
条件
S_CMD、
S_DATA3:0
S_CMD、
S_DATA3:0
CCARD ≤ 40 pF
(单张卡)
备注
最小值
最大值
5
–
ns
5
–
ns
卡输出 CMD、DAT(参考时钟 CLK)
参数
符号
数据传输模式输出延迟时间
tODLY
识别模式输出延迟时间
tODLY
值
最大值
0
22
ns
0
50
ns
tWH
tWL
S_CLK
(SD 时钟)
VIH
VIH
tTHL
VIH
VIL
VIL
tTLH
tIH
tISU
S_CMD、
S_DATA3:0
(卡输入)
S_CMD、
S_DATA3:0
(卡输出)
备注
最小值
VIH
VIH
VIL
VIL
tODLY(Min)
tODLY(Max)
VOH
VOH
VOL
VOL
默认速度模式
注意:
−
因为此外设是主机模式,所以卡输入对应的是主机输出,而卡输出对应的是主机输入。
文档编号:002-00219 版本**
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S6E2HE 系列
高速模式
时钟 CLK(所有值参考 VIH 和 VIL 电平跳变点)
(VCC = 2.7 V ~ 3.6 V,VSS = 0 V)
参数
值
符号
引脚名称
条件
数据传输模式时钟频率
fPP
S_CLK
时钟低电平时间
时钟高电平时间
时钟上升时间
时钟下降时间
tWL
tWH
tTLH
tTHL
S_CLK
S_CLK
S_CLK
S_CLK
CCARD ≤ 10 pF
(单张卡)
符号
引脚名称
条件
S_CMD、
S_DATA3:0
S_CMD、
S_DATA3:0
CCARD ≤ 10 pF
(单张卡)
引脚名称
条件
S_CMD、
S_DATA3:0
S_CMD、
S_DATA3:0
–
CL ≤ 40 pF
(单张卡)
CL ≥ 15 pF
(单张卡)
单张卡
备注
最小值
最大值
0
32
MHz
7
7
–
–
–
–
3
3
ns
ns
ns
ns
卡输入 CMD、DAT(参考时钟 CLK)
参数
输入建立时间
tISU
输入保持时间
tIH
值
备注
最小值
最大值
8
–
ns
2
–
ns
卡输出 CMD、DAT(参考时钟 CLK)
参数
符号
数据传输模式输出延迟时间
tODLY
输出保持时间
tOH
单条信号线上总系统电容*
CL
*:为严格满足时序,主机只应驱动一张卡。
50% VCC
VIH
VIH
VIL
VIL
S_CMD、
S_DATA3:0
(卡输出)
最大值
–
22
ns
2.5
–
ns
–
40
pF
50% VCC
tTLH
tTHL
VIH
VIH
VIL
VIL
tOH(Min)
tODLY(Max)
VIH
tIH
tISU
S_CMD、
S_DATA3:0
(卡输入)
备注
最小值
tWH
tWL
S_CLK
(SD 时钟)
值
VOH
VOH
VOL
VOL
高速模式
注意:
−
因为此外设是主机模式,所以卡输入对应的是主机输出,而卡输出对应的是主机输入。
−
在高速模式下,需要将时钟频率(fPP)和 AHB 总线时钟频率设置为相同值。
文档编号:002-00219 版本**
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12.4.16
S6E2HE 系列
ETM 时序
(VCC = 2.7 V ~ 5.5 V,VSS = 0 V)
参数
数据保持时间
TRACECLK 频率
符号
引脚名称
tETMH
TRACECLK、
TRACED[3:0]
值
单位
最小值
最大值
VCC ≥ 4.5 V
2
9
VCC < 4.5 V
2
15
VCC ≥ 4.5 V
–
50
MHz
VCC < 4.5 V
–
32
MHz
VCC ≥ 4.5 V
20
–
ns
VCC < 4.5 V
31.25
–
ns
1/ tTRACE
TRACECLK
TRACECLK
时钟周期
条件
tTRACE
备注
ns
注意:
−
外部负载电容 CL 为 30 pF。
HCLK
TRACECLK
TRACED[3:0]
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12.4.17
S6E2HE 系列
JTAG 时序
(VCC = 2.7 V ~ 5.5 V,VSS = 0 V)
参数
符号
引脚名称
条件
TMS、TDI 建立时间
tJTAGS
TCK、
TMS、TDI
VCC ≥ 4.5 V
VCC < 4.5 V
TMS、TDI 保持时间
tJTAGH
TDO 延迟时间
tJTAGD
TCK、
TMS、TDI
TCK、
TDO
VCC ≥ 4.5 V
VCC < 4.5 V
VCC ≥ 4.5 V
VCC < 4.5 V
值
单位
最小值
最大值
15
–
ns
15
–
ns
–
–
25
45
ns
备注
注意:
−
外部负载电容 CL 为 30 pF。
TCK
TMS/TDI
TDO
文档编号:002-00219 版本**
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12.5
S6E2HE 系列
12 位 A/D 转换器
A/D 转换器的电气特性
(VCC = AVCC = 2.7 V ~ 5.5 V,VSS = AVSS = AVRL = 0 V)
–
–
–
ANxx
ANxx
最小值
–
- 4.5
-2.5
- 15
AVRH - 15
值
典型值
–
–
–
–
–
最大值
12
+ 4.5
+ 2.5
+ 15
AVRH + 15
–
–
0.5*1
–
–
μs
tS
–
0.15
–
0.3
–
10
μs
比较时钟周期*3
tCCK
–
25
–
1000
50
–
1000
操作等待时间
tSTT
–
–
–
1.0
μs
–
AVCC
–
0.69
0.92
mA
–
1.0
18
μA
1.1
1.97
mA
0.3
6.3
μA
参数
符号
引脚名称
–
–
–
VZT
VFST
转换时间
采样时间*2
分辨率
积分非线性误差
微分非线性误差
零值转换电压
全域转换电压
电源电流(模拟+数字)
基准电源电流(AVRH)
–
AVRH
–
单位
位
LSB
LSB
AVRH = 2.7 V ~ 5.5 V
mV
mV
ns
模拟输入电容
CAIN
–
–
–
12.05
pF
模拟输入电阻
RAIN
–
–
–
kΩ
–
–
–
–
ANxx
ANxx
–
AVRH
–
–
AVSS
4.5
2.7
AVSS
–
–
–
–
–
–
1.2
1.8
4
5
AVRH
AVCC
AVCC
AVSS
通道间差异
模拟端口输入漏电流
模拟输入电压
基准电压
备注
AVCC ≥ 4.5 V
AVCC ≥ 4.5 V
AVCC < 4.5 V
AVCC ≥ 4.5 V
AVCC < 4.5 V
单个 A/D 转换器单元
运行
A/D 转换器停止
单个 A/D 转换器单元
运行
AVRH = 5.5 V
A/D 转换器停止
AVCC ≥ 4.5 V
AVCC < 4.5 V
LSB
μA
V
V
Tcck < 50 ns
Tcck ≥ 50 ns
–
AVRL
V
*1:转换时间是采样时间(tS)与比较时间(tC)之和。
当采样时间为 150 ns 和比较时间为 350 ns(AVCC ≥ 4.5 V)时为最短转换时间。请确保该值满足采样时间(tS)和比较时钟
周期(tCCK)限制。有关设置采样时间和比较时钟周期的信息,请参考“FM4 系列外设手册”的“模拟”部分(MN709-00001)
中第 1-1 节“A/D 转换器”所介绍的内容。A/D 转换器的寄存器设置应参考外设时钟时序。将采样时钟和比较时钟的值设置
为基础时钟(HCLK)的值。
*2:所需的采样时间依据外部阻抗而定。采样时间的值需满足(公式 1)的要求。
*3:比较时间(tC)是由公式 2 计算得出。
文档编号:002-00219 版本**
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Rext
模拟信号源
S6E2HE 系列
ANxx
模拟输入引脚
比较器
RAIN
CAIN
(公式 1) tS ≥ (RAIN + Rext ) × CAIN × 9
tS:
采样时间
RAIN:
A/D 转换器的输入阻抗 = 1.2 kΩ,4.5 V< AVCC < 5.5 V
A/D 转换器的输入阻抗 = 1.8 kΩ,2.7 V< AVCC < 4.5 V
CAIN:
A/D 转换器的输出电容 = 12.05pF,2.7 V < AVCC < 5.5 V
Rext: 外部电路的输出阻抗
(公式 2) tC = tCCK × 14
tC:
比较时间
tCCK:
比较时钟周期
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S6E2HE 系列
12 位 A/D 转换器定义术语
分辨率:
A/D 转换器能识别出的数值变动最小刻度。
积分非线性:
零转换点(0b000000000000 ←→ 0b000000000001)到全量程转换点
(0b111111111110 ←→0b111111111111)之间连线与实际转换特性的偏差。
差分非线性:
与输入电压理想值的偏差,用于对输出值进行 1 LSB 调整。
积分非线性
0xFFF
微分非线性
实际转换特性
0xFFE
实际转换特性
0x(N+1)
{1 LSB(N-1) + VZT}
0xFFD
VFST
理想特性
VNT
0x004
(实际测量值)
0x003
0xN
数字输出
数字输出
(实际测量值)
实际转换特性
V(N+1)T
0x(N-1)
(实际测量值)
0x002
VNT
(实际测量值)
理想特性
0x(N-2)
0x001
实际转换特性
VZT (实际测量值)
AVss
AVRH
AVss
AVRH
模拟输入
数字输出 N 的积分非线性 =
数字输出 N 的微分非线性 =
VNT - {1LSB × (N - 1) + VZT}
1LSB
V(N + 1) T - VNT
1LSB
[LSB]
- 1 [LSB]
VFST - VZT
4094
1LSB =
N:
模拟输入
A/D 转换器的数字输出值。
VZT: 数字输出值从 0x000 变为 0x001 的电压。
VFST: 数字输出值由 0xFFE 变为 0xFFF 的电压。
VNT: 数字输出值由 0x(N − 1)更改为 0xN 的电压。
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12.6
S6E2HE 系列
12 位 D/A 转换器
A/D 转换器的电气特性
(VCC = AVCC = 2.7 V ~ 5.5 V, VSS = AVSS = 0 V)
参数
符号
积分非线性*
微分非线性*
–
tc20
tc100
INL
DNL
输出电压偏移
VOFF
模拟输出阻抗
RO
分辨率
转换时间
电源电流
IDDA
IDSA
引脚名称
DAx
AVCC
最小值
–
0.56
2.79
- 16
- 0.98
–
- 20.0
3.10
2.0
260
400
–
值
典型值
–
0.69
3.42
–
–
–
–
3.80
–
330
510
–
最大值
12
0.81
4.06
+ 16
+ 1.5
10.0
+ 1.4
4.50
–
410
620
14
单位
位
μs
μs
LSB
LSB
mV
mV
kΩ
MΩ
μA
μA
μA
备注
负载为 20 pF
负载为 100 pF
设置 0x000
设置 0xFFF
数摸转换器运行
D/A 转换器停止
单个 D/A 转换器单位运行 AVCC = 3.3 V
单个 D/A 转换器单位运行 AVCC = 5.0 V
D/A 转换器停止
*:无负载期间
文档编号:002-00219 版本**
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低电压检测特性
12.7
12.7.1
低电压检测复位
参数
检测电压
释放电压
12.7.2
S6E2HE 系列
符号
条件
VDL
VDH
–
–
符号
条件
值
单位
备注
最小值
典型值
最大值
2.25
2.30
2.45
2.50
2.65
2.70
最小值
典型值
最大值
2.58
2.67
2.76
2.85
2.94
3.04
3.31
3.40
3.40
3.50
3.68
3.77
3.77
3.86
3.86
3.96
2.8
2.9
3.0
3.1
3.2
3.3
3.6
3.7
3.7
3.8
4.0
4.1
4.1
4.2
4.2
4.3
3.02
3.13
3.24
3.34
3.45
3.56
3.88
3.99
3.99
4.10
4.32
4.42
4.42
4.53
4.53
4.64
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
–
–
4480×tCYCP*
μs
电压下降
电压上升
V
V
低电压检测中断
参数
检测电压
释放电压
检测电压
释放电压
检测电压
释放电压
检测电压
释放电压
检测电压
释放电压
检测电压
释放电压
检测电压
释放电压
检测电压
释放电压
VDL
VDH
VDL
VDH
VDL
VDH
VDL
VDH
VDL
VDH
VDL
VDH
VDL
VDH
VDL
VDH
LVD 稳定等待时间
tLVDW
SVHI = 00111
SVHI = 00100
SVHI = 01100
SVHI = 01111
SVHI = 01110
SVHI = 01001
SVHI = 01000
SVHI = 11000
–
值
单位
备注
电压下降
电压上升
电压下降
电压上升
电压下降
电压上升
电压下降
电压上升
电压下降
电压上升
电压下降
电压上升
电压下降
电压上升
电压下降
电压上升
*tCYCP 指的是 APB2 总线时钟周期。
文档编号:002-00219 版本**
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12.8
S6E2HE 系列
主闪存写入/擦除特性
(VCC = 2.7 V ~ 5.5 V)
参数
扇区擦除时间
半字(16 位)
写入时间
最小值
大扇区
小扇区
写周期
< 100 次
–
–
数值
典型值
0.7
0.3
100
12
写入次数 > 100 次
单位
备注
s
包括内部擦除前的写入时间
μs
不包括系统级占用时间
s
包括内部擦除前的写入时间
200
–
芯片擦除时间
最大值
3.7
1.1
13.6
68
写入次数和数据保存时间
擦除/写入次数
数据保持时间(年)
1,000
20 *
10,000
10 *
100,000
5*
*:该值通过技术参考获取(使用 Arrhenius 方程,将高温加速测试的结果转换为+ 85°C 下的平均温度值)
。
12.9
工作闪存写入/擦除特性
(VCC = 2.7 V ~ 5.5 V)
参数
扇区擦除时间
半字(16 位)
写入时间
最小值
–
数值
典型值
0.3
最大值
1.5
–
20
–
1.2
芯片擦除时间
单位
备注
s
包括内部擦除前的写入时间
200
μs
不包括系统级占用时间
6
s
包括内部擦除前的写入时间
写入次数和数据保存时间
擦除/写入次数
数据保持时间(年)
1,000
20 *
10,000
10 *
100,000
5*
*:该值通过技术参考获取(使用 Arrhenius 方程,将高温加速测试的结果转换为+ 85°C 下的平均温度值)
。
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S6E2HE 系列
低功耗模式唤醒时间
12.10
12.10.1 唤醒因素:中断/WKUP
低功耗模式唤醒时间如下,该时间为检测到内部电路唤醒源到程序开始执行的时间。
唤醒时间
(VCC = 2.7 V ~ 5.5 V,VSS = 0 V)
参数
符号
值
典型值
睡眠模式唤醒时间
最大值*
单位
备注
μs
HCLK×1
高速 CR 定时器模式的唤醒时间
主定时器模式的唤醒时间
PLL 定时器模式的唤醒时间
40
80
μs
低速 CR 定时器模式
450
900
μs
副定时器模式
881
1136
μs
270
581
μs
240
480
308
667
μs
不保持 RAM 数据
308
667
μs
保持 RAM 数据
RTC 模式
停止模式
(返回到高速 CR /主/PLL 运行模式)
RTC 模式的唤醒时间
停止模式
(返回到低速 CR/副定时器运行模式)
tICNT
深度待机 RTC 模式(保持 RAM 数据)
深度待机停止模式(保持 RAM 数据)
*:最大值取决于内置 CR 精度。
低功耗模式唤醒操作示例(外部中断唤醒*)
外部中断
中断源
有效
tICNT
CPU
操作
CPU清除
中断因子
开始
*:外部中断输入设置为下降沿有效。
文档编号:002-00219 版本**
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S6E2HE 系列
低功耗模式唤醒操作示例(内部资源中断唤醒*)
内部资源中断
中断源
有效
tICNT
CPU
操作
CPU清除
中断因子
开始
*:取决于待机模式,唤醒因素不包含内部中断在内。
注意:
−
每种低功耗模式的唤醒原因都有所不同。
有关详细信息,请参考“FM4 系列外设手册”中“主要”部分(MN709-00001)的第 6 章:“低功耗模式和待机模式操作”内
容。
−
中断唤醒时,CPU(唤醒)的操作模式取决于发生低功耗模式转换前的状态。有关详细信息,请参考“FM4 系列外设手册”中
“主要”部分(MN709-00001)的第 6 章:“低功耗模式”内容。
文档编号:002-00219 版本**
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S6E2HE 系列
12.10.2 唤醒因素:复位
复位唤醒的时间如下,该时间为从复位信号释放到程序执行的时间。
唤醒时间
(VCC = 2.7 V ~ 5.5 V,VSS = 0 V)
参数
符号
值
单位
典型值
最大值*
睡眠模式唤醒时间
116
266
μs
高速 CR 定时器模式唤醒时间
主定时器模式
PLL 定时器模式
116
266
μs
258
567
μs
258
567
μs
RTC 模式唤醒时间
停止模式唤醒时间
258
567
μs
深度待机 RTC 模式(保持 RAM 数据)
深度待机停止模式(保持 RAM 数据)
308
667
低速 CR 定时器模式
副定时器模式
tRCNT
备注
μs
不保持 RAM 数据
μs
保持 RAM 数据
*:最大值取决于内置 CR 精度。
低功耗模式唤醒操作示例(INITX 唤醒)
INITX
内部RST
释放
RST有效
tRCNT
CPU
操作
文档编号:002-00219 版本**
开始
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初版
S6E2HE 系列
低功耗模式唤醒操作示例(内部资源复位唤醒*)
内部资源RST
内部RST
释放
RST有效
tRCNT
CPU
操作
开始
*:取决于待机模式,唤醒因素不包含内部资源复位在内。
注意:
−
每种低功耗模式的唤醒原因都有所不同。
有关详细信息,请参考“FM4 系列外设手册”中“主要”部分(MN709-00001)的第 6 章:“低功耗模式和待机模式操作”内
容。
−
上电复位/低电压检测复位时间不算作唤醒时间。有关上电复位/低压检测复位的时间,请参考第 12 章电气特性中第 12.4 节交流
电特性的第六项:“上电复位时序”部分内容。
−
从复位唤醒时,CPU 将切换到高速 CR 运行模式。使用主时钟或 PLL 时钟时,需计入主时钟振荡稳定等待时间或主 PLL 时钟稳
定等待时间。
−
内部资源复位是指看门狗复位和 CSV 复位。
文档编号:002-00219 版本**
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初版
13.
S6E2HE 系列
订购信息
器件型号
S6E2HE6G0A GV20000
S6E2HE4G0A GV20000
S6E2HE6F0A GV20000
S6E2HE4F0A GV20000
S6E2HE6E0A GV20000
S6E2HE4E0A GV20000
S6E2H16G0A GB30000
S6E2H16G0A GB30000
文档编号:002-00219 版本**
封装
塑封 LQFP(间距 0.5 mm)
,120 引脚
(LQM120)
塑封 LQFP(间距 0.5 mm)
,100 引脚
(LQI100)
塑封 LQFP(间距 0.5 mm)
,80 引脚
(LQH080)
塑封 LQFP(间距 0.5 mm)
,121 引脚
(FDI121)
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初版
14.
S6E2HE 系列
封装尺寸
封装类型
封装代码
LQFP120
LQM120
文档编号:002-00219 版本**
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初版
封装类型
封装代码
LQFP100
LQI100
文档编号:002-00219 版本**
S6E2HE 系列
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初版
封装类型
封装代码
LQFP80
LQH080
文档编号:002-00219 版本**
S6E2HE 系列
页 161/164
初版
封装类型
封装代码
PFBGA121
FDI121
文档编号:002-00219 版本**
S6E2HE 系列
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初版
S6E2HE 系列
文档修订记录
文档标题:S6E2HE4E0A、S6E2HE6E0A、S6E2HE4F0A、S6E2HE6F0A、S6E2HE4G0A、S6E2HE6G0A 32 位 ARM® Cortex®-M4F、
FM4 微控制器
文档编号:002-00219
版本
ECN
变更者
提交日期
**
4997553
KELI
11/02/2015
文档编号:002-00219 版本**
变更说明
本文档版本号为 Rev**,译自英文版 001-98942 Rev**。
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S6E2HE 系列
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文档编号:002-00219 版本**
修订日期:2015 年 12 月 8 日
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