BAS21S2

厂商：
CYSTEKEC(全宇昕)
封装：
描述：
BAS21S2 - High voltage switching diode - Cystech Electonics Corp.

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CYStech Electronics Corp. High voltage switching diode Spec. No. : C335S2 Issued Date : 2003.06.10 Revised Date : Page No. : 1/4 BAS21S2 Description High voltage switching diode encapsulated in a SOD-323 small plastic SMD package. Features •Fast switching speed •Low forward voltage drop •Small plastic SMD package Mechanical Data • Case: Molded Plastic, JEDEC SOD-323. • Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750 Method 2026 • Polarity: Indicated by cathode band. • Mounting Position : Any. • Weight: 0.0045 gram, 0.000159 ounce Symbol Outline SOD-323 BAS21S2 CYStek Product Specification CYStech Electronics Corp. Absolute Maximum Ratings(Ta=25℃, unless otherwise specified) Spec. No. : C335S2 Issued Date : 2003.06.10 Revised Date : Page No. : 2/4 • Maximum Temperatures Storage Temperature Tstg ................................................................................................... -55~+150 °C Junction Temperature Tj ............................................................................................................. +150 °C • Maximum Power Dissipation Total Power Dissipation Ptot (Note)........................................................................................... 200 mW Derate above 25℃ ……………………………………………………………………….. 1.57mW/℃ • Maximum Voltages and Currents Continuous Reverse Voltage VR…………………………………………………………………… 250V Continuous Forward Current IF (Note)…………………………………………………………… 200 mA Peak Repetitive Forward Current IFRM (Note)………..………………………………………….625 mA • Thermal Resistance, Junction to Ambient Air RθJA……………………………………….…….635℃/W Note : Parts mounted on FR-5 board with minimum pad. Characteristics (Ta=25°C) Characteristic Reverse Breakdown Voltage Forward Voltage (Note) Symbol VBR VF(1) VF(2) IR(1) IR(2) CD trr Condition IR=100µA IF=100mA IF=200mA VR=200V,Tj=25℃ VR=200V,Tj=150℃ VR=0V, f=1MHz IF=IR=30mA RL=100Ω measured at IR=3mA Min. 250 - Max. 1 1.25 100 100 5 50 Unit V V V nA µA pF ns Reverse Leakage Current (Note) Diode Capacitance Reverse Recovery Time Notes: Pulse test, tp=380µs, duty cycle

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BAS21S2

1. 物料型号： - 型号：BAS21S2 - 制造商：CYStech Electronics Corp.

2. 器件简介： - 描述：BAS21S2是一款高压开关二极管，封装在SOD-323小型塑料SMD封装中。 - 特点：快速开关速度、低正向电压降、小型塑料SMD封装。

3. 引脚分配： - 引脚1：阴极（Cathode） - 引脚2：阳极（Anode） - 封装类型：2引脚SOD-323塑料表面贴装封装。

4. 参数特性： - 最大结温：+150°C - 最大总功率耗散：0.0mW - 功率耗散在高于25°C时的降额：1.57mW/°C - 连续反向电压：250V - 连续正向电流：IF...200mA

5. 功能详解： - 反向击穿电压：VBR在IR=100μA时为250V - 正向电压：VF(1)在IF=100mA时小于1V，VF(2)在IF=200mA时小于1.25V - 反向漏电流：IR(1)在VR=200V, Tj=25°C时小于100nA，IR(2)在VR=200V, Tj=150°C时小于100μA - 二极管电容：CD在VR=0V, f=1MHz时小于5pF - 反向恢复时间：trr在IF=IR=30mA, RL=100时测量值为小于50ns

6. 应用信息： - 该二极管适用于需要高压开关的应用场合，如电源、电机控制等。

7. 封装信息： - 封装类型：SOD-323 - 材料：铅为42合金，镀锡；模塑化合物为环氧树脂家族，UL94V-0可燃性固体燃烧等级。

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