### 物料型号
- 型号:BTB1198N3
- 制造商:Cytek CYStech Electronics Corp.
### 器件简介
- 该PNP外延平面晶体管具有低饱和压降(VCE(SAT)),高击穿电压,并且是BTD1782N3的互补型号,采用无铅封装。
### 引脚分配
- SOT-23封装:引脚1为基极(Base),引脚2为发射极(Emitter),引脚3为集电极(Collector)。
### 参数特性
- 最大额定值:
- 集-基电压(VCBO):-80V
- 集-射电压(VCEO):-80V
- 发-基电压(VEBO):-5V
- 集电极电流(Ic):-0.5A
- 功率耗散(TA=25°C):225mW(注:自由空气条件下)
- 功率耗散(Tc=25°C):560mW
- 热阻,结到环境(ROJA):556°C/W(注:自由空气条件下)
- 热阻,结到封装(ROJC):223°C/W
- 结温(Tj):150°C
- 存储温度:-55°C至+150°C
### 功能详解
- 特性:
- 低VCE(SAT):-0.16V(典型值)@ IC/IB=-500mA/-50mA
- 高击穿电压:BVCEO=-80V
- hFE(电流放大系数)范围:120至390
- 截止频率(fr):180MHz(典型值)@ VCE=-10V, Ic=-50mA, f=100MHz
- 电容(Cob):11pF(典型值)@ VcB=-10V, f=1MHz
### 应用信息
- 该型号适用于需要低饱和压降和高击穿电压的PNP晶体管应用场合,如音频放大器、开关应用等。
### 封装信息
- SOT-23(无铅):3000 pcs / Tape & Reel
- 封装尺寸:详细的尺寸图和参数在PDF文档的第5页和第6页中提供。