### 物料型号
- 型号:BTD2150AD3
### 器件简介
- BTD2150AD3是一款低VCE(sat)的NPN外延平面晶体管,具有优秀的电流增益特性,是BTB1424AD3的互补型号,采用无铅封装。
### 引脚分配
- 引脚1:发射极(Emitter)
- 引脚2:集电极(Collector)
- 引脚3:基极(Base)
- 封装类型:3引脚TO-126ML塑料封装,CYStek封装代码:D3。
### 参数特性
- 绝对最大额定值:
- 集电极-基极电压(VCBO):50V
- 集电极-发射极电压(VCEO):50V
- 发射极-基极电压(VEBO):5V
- 集电极电流(DC):3A
- 集电极电流(脉冲):7A(注:脉冲测试,脉宽≤380µs,占空比≤2%)
- 功率耗散(TA=25°C):1W
- 功率耗散(Tc=25°C):10W
- 结温(Tj):150℃
- 存储温度(Tstg):-55~+150℃
- 电气特性(Ta=25℃):
- 集电极-基极击穿电压(BVCBO):50V
- 集电极-发射极击穿电压(BVCEO):50V
- 发射极-基极击穿电压(BVEBO):5V
- 集电极反向电流(ICBO):≤1A
- 发射极反向电流(IEBO):≤1mA
- 饱和压降(VCE(sat)):0.25V(典型值)
- 基极-发射极饱和压降(VBE(sat)):2V
- 电流增益(hFE):100至820,具体分为三个等级(R、S、T)
### 功能详解
- BTD2150AD3晶体管设计用于低饱和压降和高电流增益应用,适用于需要高效率和低功耗的电路设计。
### 应用信息
- 该晶体管适用于需要低VCE(sat)和优秀电流增益特性的电路,如开关电源、放大器等。
### 封装信息
- 封装类型:3引脚TO-126ML塑料封装。
- 材料:铅框架合金;模塑化合物:环氧树脂家族,UL94V-0可燃性固体燃烧等级。