1. 物料型号:
- 型号为HBN2444S6R,是一个双晶体管的SOT-363封装。
2. 器件简介:
- HBN2444S6R包含两个BTD2444芯片,封装在SOT-363中。可以利用SOT-323自动贴片机进行安装,晶体管元件独立,消除干扰,可以减少安装成本和面积。
3. 引脚分配:
- Pin 1: Emitter1 (E1)
- Pin 2: Base1 (B1)
- Pin 3: Collector2 (C2)
- Pin 4: Emitter2 (E2)
- Pin 5: Base2 (B2)
- Pin 6: Collector1 (C1)
4. 参数特性:
- 绝对最大额定值包括40V的集电极-基极电压(VCBO),25V的集电极-发射极电压(VCEO),6V的发射极-基极电压(VEBO),800mA的集电极电流(Ic)等。
- 功耗散耗(Pd)为200mW(总计),结温(Tj)为150℃,存储温度(Tstg)范围为-55℃至+150℃。
5. 功能详解:
- 该器件为低Vcesat NPN外延平面晶体管,具有低饱和电压和高增益特性,适用于需要高效率和低功耗的应用场合。
6. 应用信息:
- 由于其低功耗和高增益特性,HBN2444S6R适用于一般放大应用。
7. 封装信息:
- 封装类型为SOT-363 (Pb-free),每卷3000颗,采用胶带和卷轴包装。