1. 物料型号:MTN2310N3,这是一个60V N-CHANNEL增强型MOSFET。
2. 器件简介:MTN2310N3是CYStech Electronics Corp.生产的一款60V N-CHANNEL增强型MOSFET,具有较低的导通电阻和简单的驱动需求,封装为SOT-23。
3. 引脚分配:G(栅极),S(源极),D(漏极)。
4. 参数特性:
- 漏源电压(VDS):60V
- 栅源电压(VGS):±20V
- 连续漏极电流@VGs=4.5V, TA=25°C:3.0A
- 脉冲漏极电流:10A
- 最大功耗@ TA=25°C:1.38W
- 工作结温:-55~+150℃
- 存储温度:-55~+150℃C
5. 功能详解:
- 该器件为N-CHANNEL MOSFET,具有60V的漏源电压耐受能力,适用于需要高耐压和低导通电阻的应用场景。
- 静态和动态电气特性,包括阈值电压、导通电阻、电容等参数,适用于开关和功率放大等应用。
6. 应用信息:适用于需要高耐压和低导通电阻的开关应用,如电源管理、电机控制等。
7. 封装信息:SOT-23封装,具体尺寸和引脚定义已在文档中详细说明。