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型号厂商描述数据手册替代料参考价格
AP40N100KShenzhen.Quan Li Semiconductor Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):40A;功率(Pd):40W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@10V,15A;获取价格
AP7N10KShenzhen.Quan Li Semiconductor Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):7A;功率(Pd):29.4W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):105mΩ@10V,5A;获取价格
AP4435Shenzhen.Quan Li Semiconductor Co., Ltd.AP4435获取价格
CGQ0228Shenzhen.Quan Li Semiconductor Co., Ltd.热电堆温度传感器获取价格
AP90P03QShenzhen.Quan Li Semiconductor Co., Ltd.P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):60A 功率(Pd):48W获取价格
AP60P20QShenzhen.Quan Li Semiconductor Co., Ltd.P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):60A 功率(Pd):80W获取价格
AP3908QDShenzhen.Quan Li Semiconductor Co., Ltd.1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):20A 功率(Pd):21W获取价格
AP20P30QShenzhen.Quan Li Semiconductor Co., Ltd.P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):20A 功率(Pd):40W获取价格
AP6007SShenzhen.Quan Li Semiconductor Co., Ltd.N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):12A 功率(Pd):3.2W获取价格
AP2012Shenzhen.Quan Li Semiconductor Co., Ltd.双N沟道(共漏) 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):12A 功率(Pd):2W获取价格
AP4616Shenzhen.Quan Li Semiconductor Co., Ltd.1个N沟道和1个P沟道漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):9.8/-7.6A 功率(Pd):2W获取价格
AP30H50QShenzhen.Quan Li Semiconductor Co., Ltd.N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):40A 功率(Pd):30W获取价格
AP1606Shenzhen.Quan Li Semiconductor Co., Ltd.MOSFETs DFN-1006 Single N-Channel获取价格
AP4435CShenzhen.Quan Li Semiconductor Co., Ltd.P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):10A 功率(Pd):3.7W获取价格
AP55N03KShenzhen.Quan Li Semiconductor Co., Ltd.MOSFETs TO-252 Single N-Channel 30V 30A获取价格
AP30H80GShenzhen.Quan Li Semiconductor Co., Ltd.N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):70A 功率(Pd):65W获取价格
AP30H80QShenzhen.Quan Li Semiconductor Co., Ltd.N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):70A 功率(Pd):46W获取价格
AP4008QDShenzhen.Quan Li Semiconductor Co., Ltd.2个N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):20A 功率(Pd):21W获取价格
AP2305Shenzhen.Quan Li Semiconductor Co., Ltd.P沟道功率MOSFET SOT23 VDS=-20V VGS=±12V ID=-3.5A获取价格
AP4580Shenzhen.Quan Li Semiconductor Co., Ltd.2个N沟道和2个P沟道(全桥)漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):N:2/1.5 P:1.8/1.3A 功率(Pd):1.4W获取价格