AP40N100K | Shenzhen.Quan Li Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):40A;功率(Pd):40W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@10V,15A; | | | 获取价格 |
AP7N10K | Shenzhen.Quan Li Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):7A;功率(Pd):29.4W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):105mΩ@10V,5A; | | | 获取价格 |
AP4435 | Shenzhen.Quan Li Semiconductor Co., Ltd. | AP4435 | | | 获取价格 |
CGQ0228 | Shenzhen.Quan Li Semiconductor Co., Ltd. | 热电堆温度传感器 | | | 获取价格 |
AP90P03Q | Shenzhen.Quan Li Semiconductor Co., Ltd. | P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):60A 功率(Pd):48W | | | 获取价格 |
AP60P20Q | Shenzhen.Quan Li Semiconductor Co., Ltd. | P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):60A 功率(Pd):80W | | | 获取价格 |
AP3908QD | Shenzhen.Quan Li Semiconductor Co., Ltd. | 1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):20A 功率(Pd):21W | | | 获取价格 |
AP20P30Q | Shenzhen.Quan Li Semiconductor Co., Ltd. | P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):20A 功率(Pd):40W | | | 获取价格 |
AP6007S | Shenzhen.Quan Li Semiconductor Co., Ltd. | N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):12A 功率(Pd):3.2W | | | 获取价格 |
AP2012 | Shenzhen.Quan Li Semiconductor Co., Ltd. | 双N沟道(共漏) 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):12A 功率(Pd):2W | | | 获取价格 |
AP4616 | Shenzhen.Quan Li Semiconductor Co., Ltd. | 1个N沟道和1个P沟道漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):9.8/-7.6A 功率(Pd):2W | | | 获取价格 |
AP30H50Q | Shenzhen.Quan Li Semiconductor Co., Ltd. | N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):40A 功率(Pd):30W | | | 获取价格 |
AP1606 | Shenzhen.Quan Li Semiconductor Co., Ltd. | MOSFETs DFN-1006 Single N-Channel | | | 获取价格 |
AP4435C | Shenzhen.Quan Li Semiconductor Co., Ltd. | P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):10A 功率(Pd):3.7W | | | 获取价格 |
AP55N03K | Shenzhen.Quan Li Semiconductor Co., Ltd. | MOSFETs TO-252 Single N-Channel 30V 30A | | | 获取价格 |
AP30H80G | Shenzhen.Quan Li Semiconductor Co., Ltd. | N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):70A 功率(Pd):65W | | | 获取价格 |
AP30H80Q | Shenzhen.Quan Li Semiconductor Co., Ltd. | N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):70A 功率(Pd):46W | | | 获取价格 |
AP4008QD | Shenzhen.Quan Li Semiconductor Co., Ltd. | 2个N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):20A 功率(Pd):21W | | | 获取价格 |
AP2305 | Shenzhen.Quan Li Semiconductor Co., Ltd. | P沟道功率MOSFET SOT23 VDS=-20V VGS=±12V ID=-3.5A | | | 获取价格 |
AP4580 | Shenzhen.Quan Li Semiconductor Co., Ltd. | 2个N沟道和2个P沟道(全桥)漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):N:2/1.5 P:1.8/1.3A 功率(Pd):1.4W | | | 获取价格 |