| KL3020S1-TA | Kinglight | 可控硅光耦，触发电流30MA，正向电压1.5V,反向电流10uA，Min断态输出端电压：400V，Max断态峰值电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率330mW，工作温度-55~+100℃，SMD6（尺寸7.1x6.48x3.5mm），S1TA-铜线 | | | 获取价格 |
| KL3012S1-TA | Kinglight | 可控硅光耦，触发电流5MA，正向电压1.5V,反向电流10uA，Min断态输出端电压：250V，Max断态峰值电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率330mW，工作温度-55~+100℃，SMD6（尺寸7.1x6.48x3.5mm），S1TA-铜线 | | | 获取价格 |
| KL2501-N | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比80~600%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间3us，下降时间5us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），直脚-铜线 | | | 获取价格 |
| KL2501S1-N-TU | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比80~600%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间3us，下降时间5us，工作温度-55~+110℃，SMD4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），S1TU-铜线 | | | 获取价格 |
| KL2501M-K | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比300~600%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间3us，下降时间5us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），M脚-铜线 | | | 获取价格 |
| KL2501-W | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比130~260%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间3us，下降时间5us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），直脚-铜线 | | | 获取价格 |
| KL2501M-L | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比200~400%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间3us，下降时间5us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），M脚-铜线 | | | 获取价格 |
| KL2501S1-K-TU | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比300~600%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间3us，下降时间5us，工作温度-55~+110℃，SMD4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），S1TU-铜线 | | | 获取价格 |
| KL817S1-C-TU-F | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比200~400%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，SMD4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），S1TU-铁线 | | | 获取价格 |
| KL817-A-F | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比80~160%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），直脚-铁线 | | | 获取价格 |
| KL817M-B-F | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比130~260%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），M脚-铁线 | | | 获取价格 |
| KL817-C-F | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比200~400%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），M脚-铁线 | | | 获取价格 |
| KL817S1-C-TU | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比200~400%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，SMD4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），S1TU-铜线 | | | 获取价格 |
| KL817S1-B-TU | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比130~260%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，SMD4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），S1TU-铜线 | | | 获取价格 |
| KL816M-C | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比200~400%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），M脚-铜线 | | | 获取价格 |
| KL816-D | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比300~600%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），直脚-铜线 | | | 获取价格 |
| KL816S1-D-TU | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比300~600%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，SMD4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），S1TU-铜线 | | | 获取价格 |
| KL816M-D | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比300~600%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），M脚-铜线 | | | 获取价格 |
| KL354N-A-TA | Kinglight | 晶体管光耦（AC)，电流传输比50~150%，正/反向电压1.2V,正/反向电流20uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压3750V，总消耗功率200mW，工作温度-55~+100℃，SOP4（尺寸4.4x4.0x2.0mm），TA-铜线 | | | 获取价格 |
| KL3083 | Kinglight | 可控硅光耦，触发电流5MA，正向电压1.5V,反向电流10uA，Min断态输出端电压：800V，Max断态峰值电流500nA，抑制电压20V，隔离电压5000V，总消耗功率300mW，工作温度-55~+100℃，DIP6（尺寸7.1x6.48x3.5mm），直脚-铜线 | | | 获取价格 |
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