| BZT52-C62J | Rubycon Corporation | 二极管配置:独立式;稳压值(标称值):-;稳压值(范围):58V~66V;精度:-;功率:590mW;反向电流(Ir):50nA@43.4V;阻抗(Zzt):140Ω; | | | 获取价格 |
| BZB84-C3V6,215 | Rubycon Corporation | 二极管配置:1对共阳极;稳压值(标称值):3.6V;精度:±5%;功率:300mW; | | | 获取价格 |
| BZB84-B13,215 | Rubycon Corporation | 二极管配置:1对共阳极;稳压值(标称值):13V;精度:±2%;功率:300mW; | | | 获取价格 |
| BZA456A,125 | Rubycon Corporation | 反向截止电压(Vrwm):5.6V;击穿电压(VBR):-;钳位电压(Vc)@Ipp:8V;峰值脉冲功率(Ppp)@8/20us:24W;结电容(Cj)@1MHz:240pF@1MHz;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| BUK9K12-60EX | Rubycon Corporation | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | | | 获取价格 |
| BUK9222-55A,118 | Rubycon Corporation | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | | | 获取价格 |
| BUK7Y6R0-60EX | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):195W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6mΩ@10V,25A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@1mA; | | | 获取价格 |
| BUK7K25-40E,115 | Rubycon Corporation | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | | | 获取价格 |
| BUK7E8R3-40E,127 | Rubycon Corporation | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | | | 获取价格 |
| BUK7E1R9-40E,127 | Rubycon Corporation | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | | | 获取价格 |
| BSR31,135 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):1.35W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@100mA,5V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| BCX54Z | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):500mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):63@150mA,2V; | | | 获取价格 |
| BCM857BV,315 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:2个PNP;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):300mW;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):290@2mA,5V;特征频率(fT):175MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| BC850CW,135 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):200mW;集电极截止电流(Icbo):15nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):420@2mA,5V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| BC816-16WF | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):200mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@100mA,1V; | | | 获取价格 |
| BC806-16VL | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):250mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V; | | | 获取价格 |
| BAV70M,315 | Rubycon Corporation | | | | 获取价格 |
| BAS416F | Rubycon Corporation | 二极管配置:独立式;功率:250mW;直流反向耐压(Vr):85V;平均整流电流(Io):200mA;正向压降(Vf):1.25V@150mA;反向电流(Ir):3pA@75V;反向恢复时间(trr):800ns;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| BAS21THR | Rubycon Corporation | | | | 获取价格 |
| 74VHCT595D,118 | Rubycon Corporation | 逻辑电路的归属系列:-;逻辑类型:-;输出类型:-;元件数:-;每元件位数:-; | | | 获取价格 |
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