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1N5392

1N5392

  • 厂商:

    DEC

  • 封装:

  • 描述:

    1N5392 - 1.5 AMP GENERAL PURPOSE SILICON DIODES - DIOTEC Electronics Corporation

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  • 价格&库存
1N5392 数据手册
DIOTEC ELECTRONICS CORP. 18020 Hobart Blvd., Unit B Gardena, CA 90248 U.S.A Tel.: (310) 767-1052 Fax: (310) 767-7958 Data Sheet No. GPDP-151-1B 1.5 AMP GENERAL PURPOSE SILICON DIODES FEATURES Low cost Low leakage Low forward voltage drop Ë × Á Ö Â ÁÔ ÓÒÑ Ì Ïô’Ã6ÕX5ÏÃÐ ÎÌ Ë ÉÇ ÆÁÅÄ ÏÍ´Ê È~´H°ÂÃÁ MECHANICAL SPECIFICATION SERIES 1N5391 - 1N5399 DO - 15 LL BD (Dia) High current capacity Easily cleaned with freon, alcohol, chlorothene and similar solvents BL Color Band Denotes Cathode RoHS COMPLIANT MECHANICAL DATA Case: JEDEC DO-15 molded epoxy (U/L Flammability Rating 94V-0) Terminals: Plated axial leads Soldering: Per MIL-STD 202 Method 208 guaranteed LL LD (Dia) Sym Polarity: Color band denotes cathode Mounting Position: Any Weight: 0.01 Ounces (0.4 Grams) Minimum In mm 0.240 0.130 1.00 0.028 6.01 3.3 25.4 0.71 BL BD LL LD Maximum In mm 6.48 0.255 0.140 0.034 3.6 0.86 MAXIMUM RATINGS & ELECTRICAL CHARACTERISTICS 2HG A 6F 3§©! # ©©! £ ¡ #§1 ©§©& 6! ¤9 £ ¤§§¡ ¡ 3©E  £¥ #$) ! 7¨1¡ % ) " )#& 2©§& 6! ¤9 £ ©©¥ ¤3#3§ ¤9 §¨ ¤¨ ! # 7 D©A @ ! 9 8©0 ©§' 7©§¨ §©"6! ©¥ 54 1¡ % )$1 &! £ CB 7 ¡ ( %¡ ! ¡' %¦ ¤ 21 ¤)!" 3§ ¤! 0 §§§©¨! ¨ ¤( ©§' §§¨ ! ©! #$ £ ¡ ©§" §! ©£ !  ©  £ ©§¥ ¤ £ ¢  #! £& ¨ %¥$ #!  £ ¥ ¤ ¡   ¡ ¨¦ ¡ PARAMETER (TEST CONDITIONS) Series Number SYMBOL RATINGS ¥ ¤¢  ýüûúùø ÷öõôóñ îðïîí éêéèç äãâáà ÚÞÝÜÛ ¡¥¡¡£¡þÿXXXXòXX8iòX8Xiëì8XXiåæXXXXß 6XXiÚ UNITS Œ  Œ Š ‹ Š ˆ‰ ‡ …† „ 8¢u ~X{ z |ƒ‚€ } | Operating and Storage Temperature Range © š –X¢­i¢´i™3” š i³¢­“D© ¢“D²3“ ’•D“ ¤ 5±i¢°¯H¬­D”’D“ iª¢3D¨’¢§ Ž ³² ¶µ³ “ – ² « « – ±” ® ¨š • « ©”“   ¦’Ÿ£  ¢¥ Ž35˜ ŸD3¡ ¢Ÿ› 5¢¢“ —3D¢‘’3 Ž 6iº8H· ¦   ¤ £¢  ž œ š™˜ – •”“  ¼ » ¹ ¸ TT hge d i8fDc … Typical Junction Capacitance (Note 2) C Xx y ba 3` Typical Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1) R Xv w 6Q R À ¿ Maximum Average DC Reverse Current At Rated DC Blocking Voltage @ T = 25 C @ T = 100 C I °C/W pF °C y Xt u s YW UT XV 6S Maximum Full Cycle Reverse Current @ T = 75 C (Note 1) ¾ ½ I Xq r  5€ Maximum Forward Voltage at 1.5 Amps DC Ù Ø V Xn o p „ƒ ¢‚ I p I m ik l Average Forward Rectified Current @ T = 75 C, Lead length = 0.375 in. (9.5 mm) Peak Forward Surge Current ( 8.3 mSec single half sine wave superimposed on rated load) vt 6ut Maximum Peak Recurrent Reverse Voltage P I V 22 ¡¡21 hh XXg && !¡% X8i jj X8– ——  ¡ ¡  sr 6q Maximum RMS Voltage V 00 !¡) fe XXd $# !!" XX“ •” 8¢ ’‘  ¡ ¡¨ © uw x Maximum DC Blocking Voltage V (( ¡¡(' ™™ XX˜ !¡ X8ˆ ‰‰ X8† ‡‡  ¡ ¡¦ § VOLTS AMPS VOLTS A H9 DIOTEC ELECTRONICS CORP. 18020 Hobart Blvd., Unit B Gardena, CA 90248 U.S.A Tel.: (310) 767-1052 Fax: (310) 767-7958 Data Sheet No. GPDP-151-2B 1.5 AMP GENERAL PURPOSE SILICON DIODES RATING & CHARACTERISTIC CURVES FOR SERIES 1N5391 - 1N5399 C AB 1.8 Average Forward Current, Io (Amperes) Peak Forward Surge Current (Amperes) 50 100 150 180 1.5 1.2 0.9 0.3 0 0 FIGURE 1. FORWARD CURRENT DERATING CURVE Number of Cycles at 60 Hz FIGURE 2. MAXIMUM NON-REPETITIVE SURGE CURRENT d 7c 10 Instantaneous Reverse Current, I (Microamperes) Instantaneous Forward Current (Amperes) 1.0 1.0 0.1 0.1 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 Instantaneous Forward Voltage (Volts) FIGURE 3. TYPICAL FORWARD CHARACTERISTIC PER DIODE Percent of Rated Peak Reverse Voltage FIGURE 4. TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS TJ = 25 oC Capacitance, pF Reverse Voltage, (Volts) FIGURE 5. TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE PER DIODE a b a Y ` Y X W V UT S H10 ˆ† ‡… „ƒ A@‚  A@€ 0 40 ” A“ ’ A‘ rr A7q  A‰ 0.01 0.6 .01 99 A@8 6 75 eh d ˜ g fA™–—• oq n n l p fA@mjki 4 R Ambient Temperature, C I AH 0.6 E AD G F Q @P @s t g p h i 3 w u v f@e yAy@x
1N5392
1. 物料型号: - 系列型号:1N5391至1N5399。

2. 器件简介: - 这些是1.5安培通用硅二极管,具有低成本、低漏电流、低正向电压降和高电流容量的特点。它们可以很容易地用氟利昂、酒精、氯乙烯等溶剂清洗,并且符合RoHS标准。

3. 引脚分配: - 引脚为镀轴向引线,极性由色带表示阴极。

4. 参数特性: - 最大直流阻断电压(VRM):50至1000伏不等,具体取决于型号。 - 最大RMS电压(VRMS):35至700伏不等。 - 最大峰值反向重复电压(VRRM):与VRM相同。 - 平均正向整流电流(Io):1.5安培。 - 峰值正向浪涌电流(IFSM):60安培。 - 最大正向电压在1.5安培直流下(VFM):1伏。 - 最大全周期反向电流(IRM(AV)):30安培。 - 最大平均直流反向电流(IRM):5至50毫安不等。 - 典型热阻,结到环境(ROJA):50°C/W。 - 典型结电容(CJ):30皮法。

5. 功能详解: - 这些二极管适用于一般的整流应用,具有较高的电流容量和较低的正向电压降,适合需要高效率整流的场合。

6. 应用信息: - 由于其高电流容量和低正向电压降,这些二极管适用于电源整流、电机控制和一般电路保护。

7. 封装信息: - 封装类型为DO-15,具有镀轴向引线,并且符合MIL-STD 202方法208的焊接保证。
1N5392 价格&库存

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