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BAS70T-7-F

BAS70T-7-F

  • 厂商:

    DIODES

  • 封装:

  • 描述:

    BAS70T-7-F - SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE - Diodes Incorporated

  • 详情介绍
  • 数据手册
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BAS70T-7-F 数据手册
BAS70T /-04T /-05T /-06T SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE Please click here to visit our online spice models database. Features • • • • • • Low Turn-on Voltage Fast Switching PN Junction Guard Ring for Transient and ESD Protection Ultra-Small Surface Mount Package Lead Free/RoHS Compliant (Note 3) "Green" Device (Note 4 and 5) Mechanical Data • • • • • • • • • Case: SOT-523 Case Material: Molded Plastic. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020D Terminals: Finish - Solderable per MIL-STD-202, Method 208 Lead Free Plating (Matte Tin Finish annealed over Alloy 42 leadframe). Polarity: See Diagrams Below Marking Information: See Page 2 Ordering Information, See Page 2 Weight: 0.002 grams (approximate) Top View BAS70T BAS70-04T BAS70-05T BAS70-06T Maximum Ratings @TA = 25°C unless otherwise specified Symbol VRRM Value 70 49 70 100 Unit V V mA mA Characteristic Peak Repetitive Reverse Voltage Working Peak Reverse Voltage DC Blocking Voltage RMS Reverse Voltage Forward Continuous Current Non-Repetitive Peak Forward Surge Current (Note 1) @ tp < 1.0s VRWM VR VR(RMS) IFM IFSM Thermal Characteristics Characteristic Power Dissipation Thermal Resistance Junction to Ambient Air Operating Temperature Range Storage Temperature Range (Note 1) (Note 1) Symbol PD RθJA TJ TSTG Value 150 833 -55 to +125 -65 to +150 Unit mW °C/W °C °C Electrical Characteristics Characteristic Reverse Breakdown Voltage Forward Voltage Leakage Current Total Capacitance Reverse Recovery Time Notes: @TA = 25°C unless otherwise specified (Note 2) Symbol V(BR)R VF (Note 2) IR CT Min 70 — ⎯ ⎯ — Max — 410 1000 100 2.0 5.0 Unit — mV nA pF ns Test Condition IR = 10μA tp
BAS70T-7-F
物料型号: - BAS70T、BAS70-04T、BAS70-05T、BAS70-06T

器件简介: - 表面贴装肖特基势垒二极管,具有低开启电压、快速开关特性,PN结构带有瞬态和ESD保护环,超小型表面贴装封装,无铅/RoHS合规。

引脚分配: - 极性:请参考文档中的图表。

参数特性: - 最大额定值(@Ta=25°C): - 反向重复峰值电压(VRRM):70V - 工作峰值反向电压(VRWM):70V - DC阻断电压(VR):70V - 反向RMS电压(VR(RMS)):49V - 正向连续电流(IFM):70mA - 非重复峰值正向浪涌电流(IFSM):100mA

- 热特性: - 功率耗散:150mW - 热阻(结到环境空气)(RoJA):833°C/W - 工作温度范围(TJ):-55到+125°C - 存储温度范围(TSTG):-65到+150°C

- 电气特性(@Ta=25°C): - 反向击穿电压(V(BR)R):70V - 正向电压(VF):410mV至1000mV - 漏电流(IR):100nA - 总电容(CT):2.0pF - 反向恢复时间(tr):5.0ns

功能详解: - 该二极管具有低开启电压和快速开关特性,适用于需要快速响应的应用场合。PN结构带有瞬态和ESD保护环,可以在电路中提供额外的保护。

应用信息: - 适用于需要快速响应和保护的电路,例如电源管理、电机控制和信号处理等。

封装信息: - 封装类型:SOT-523 - 封装材料:模塑塑料,UL可燃性分类等级94V-0 - 湿度敏感度:根据J-STD-020D为1级 - 端子:根据MIL-STD-202方法208可焊性
BAS70T-7-F 价格&库存

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