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BZX55C10

BZX55C10

  • 厂商:

    DIODES

  • 封装:

  • 描述:

    BZX55C10 - 500mW ZENER DIODE - Diodes Incorporated

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BZX55C10 数据手册
BZX55C2V4 - BZX55C75 500mW ZENER DIODE Features · · · · Very Sharp Reverse Characteristic Low Reverse Current Level Very High Stability Low Noise NOT RECOMMENDED FOR NEW DESIGNS USE 1N5221B - 1N5267B A B A C D Mechanical Data · · · · Case: DO-35, Glass Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208 Polarity: Cathode Band Approx. Weight: 0.13 grams Dim A B C D DO-35 Min 25.40 — — — Max — 4.00 0.60 2.00 All Dimensions in mm Maximum Ratings Power Dissipation Zener Current @ TA = 25°C unless otherwise specified Symbol Pd IZ RqJA VF Tj, TSTG Value 500 P d /V Z 300 1.5 -65 to +175 Unit mW mA K/W V °C Lead length = 4.0mm, TL = constant IF = 200mA Test Condition Lead length = 4.0mm, TL = 25°C Characteristic Thermal Resistance, Junction to Ambient Air Forward Voltage Operating and Storage Temperature Range DS18013 Rev. 3 - 3 1 of 3 BZX55C2V4-BZX55C75 Electrical Characteristics Nominal Zener Voltage Type Number VZ @ IZT (V) BZX55C2V4 BZX55C2V7 BZX55C3V0 BZX55C3V3 BZX55C3V6 BZX55C3V9 BZX55C4V3 BZX55C4V7 BZX55C5V1 BZX55C5V6 BZX55C6V2 BZX55C6V8 BZX55C7V5 BZX55C8V2 BZX55C9V1 BZX55C10 BZX55C11 BZX55C12 BZX55C13 BZX55C15 BZX55C16 BZX55C18 BZX55C20 BZX55C22 BZX55C24 BZX55C27 BZX55C30 BZX55C33 BZX55C36 BZX55C39 BZX55C43 BZX55C47 BZX55C51 BZX55C56 BZX55C62 BZX55C68 BZX55C75 2.4 2.7 3.0 3.3 3.6 3.9 4.3 4.7 5.1 5.6 6.2 6.8 7.5 8.2 9.1 10 11 12 13 15 16 18 20 22 24 27 30 33 36 39 43 47 51 56 62 68 75 (mA) 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 @ TA = 25°C unless otherwise specified Zener Zener Voltage Impedanc Range e VZ @ IZT (V) 2.28 to 2.56 2.5 to 2.9 2.8 to 3.2 3.1 to 3.5 3.4 to 3.8 3.7 to 4.1 4.0 to 4.6 4.4 to 5.0 4.8 to 5.4 5.2 to 6.0 5.8 to 6.6 6.4 to 7.2 7.0 to 7.9 7.7 to 8.7 8.5 to 9.6 9.4 to 10.6 10.4 to 11.6 11.4 to 12.7 12.4 to 14.1 13.8 to 15.6 15.3 to 17.1 16.8 to 19.1 18.8 to 21.2 20.8 to 23.3 22.8 to 25.6 25.1 to 28.9 28 to 32 31 to 35 34 to 38 37 to 41 40 to 46 44 to 50 48 to 54 52 to 60 58 to 66 64 to 72 70 to 79 ZZT @ IZT (W) < 85 < 85 < 85 < 85 < 85 < 85 < 75 < 60 < 35 < 25 < 10 < 8.0 < 7.0 < 7.0 < 10 < 15 < 20 < 20 < 26 < 30 < 40 < 50 < 55 < 55 < 80 < 80 < 80 < 80 < 80 < 90 < 90 < 110 < 125 < 135 < 150 < 200 < 250 Zener Impedance ZZT @ IZK (W) < 600 < 600 < 600 < 600 < 600 < 600 < 600 < 600 < 550 < 450 < 200 < 150 < 50 < 50 < 50 < 70 < 70 < 90 < 110 < 110 < 170 < 170 < 220 < 220 < 220 < 220 < 220 < 220 < 220 < 500 < 600 < 700 < 700 < 1000 < 1000 < 1000 < 1500 (mA) 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 Leakage Current @ VR IR @ T=25°C (µA) < 50 < 10 < 4.0 < 2.0 < 2.0 < 2.0 < 1.0 < 0.5 < 0.1 < 0.1 < 0.1 < 0.1 < 0.1 < 0.1 < 0.1 < 0.1 < 0.1 < 0.1 < 0.1 < 0.1 < 0.1 < 0.1 < 0.1 < 0.1 < 0.1 < 0.1 < 0.1 < 0.1 < 0.1 < 0.1 < 0.1 < 0.1 < 0.1 < 0.1 < 0.1 < 0.1 < 0.1 IR @ T=150°C (µA) < 100 < 50 < 40 < 40 < 40 < 40 < 20 < 10 < 2.0 < 2.0 < 2.0 < 2.0 < 2.0 < 2.0 < 2.0 < 2.0 < 2.0 < 2.0 < 2.0 < 2.0 < 2.0 < 2.0 < 2.0 < 2.0 < 2.0 < 2.0 < 2.0 < 2.0 < 2.0 < 5.0 < 5.0
BZX55C10
物料型号: - BZX55C2V4至BZX55C75,表示不同的稳压值。

器件简介: - 这些是500mW Zener Diode,具有非常陡峭的反向特性、低反向电流、高稳定性、低噪声。

引脚分配: - 封装类型为DO-35,带有玻璃终端,阳极带有色带以标识极性。

参数特性: - 最大额定值在25°C环境温度下,除非另有说明。 - 功率耗散(Pd):500mW。 - Zener电流(1z):未给出具体数值。 - 热阻,结到环境空气(ROJA):300K/W。 - 正向电压(VF):1.5V,测试条件为IF=200mA。 - 工作和储存温度范围(T.TSTG):-65至+175°C。

功能详解: - 提供了详细的电气特性表,包括名义Zener电压(Vz@lzT)、Zener电压范围、Zener阻抗(Zzr@lzT)、漏电流@VR和温度系数等参数。

应用信息: - 该文档不推荐用于新设计,建议使用1N5221B和1N5267B型号。

封装信息: - 机械数据提供了DO-35封装的尺寸参数,所有尺寸单位为毫米(mm)。
BZX55C10 价格&库存

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