物料型号:
- BZX55C2V4至BZX55C75,表示不同的稳压值。
器件简介:
- 这些是500mW Zener Diode,具有非常陡峭的反向特性、低反向电流、高稳定性、低噪声。
引脚分配:
- 封装类型为DO-35,带有玻璃终端,阳极带有色带以标识极性。
参数特性:
- 最大额定值在25°C环境温度下,除非另有说明。
- 功率耗散(Pd):500mW。
- Zener电流(1z):未给出具体数值。
- 热阻,结到环境空气(ROJA):300K/W。
- 正向电压(VF):1.5V,测试条件为IF=200mA。
- 工作和储存温度范围(T.TSTG):-65至+175°C。
功能详解:
- 提供了详细的电气特性表,包括名义Zener电压(Vz@lzT)、Zener电压范围、Zener阻抗(Zzr@lzT)、漏电流@VR和温度系数等参数。
应用信息:
- 该文档不推荐用于新设计,建议使用1N5221B和1N5267B型号。
封装信息:
- 机械数据提供了DO-35封装的尺寸参数,所有尺寸单位为毫米(mm)。