FCX589

厂商：
DIODES
封装：
描述：
FCX589 - SOT89 PNP SILICON PLANAR MEDIUM - Diodes Incorporated

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SOT89 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR ISSUE 3 - OCTOBER 1995 PARTMARKING DETAIL – P89 7 FCX589 C E C ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. PARAMETER Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Peak Pulse Current Continuous Collector Current Base Current Power Dissipation at T amb=25°C Operating and Storage Temperature Range SYMBOL VCBO V CEO V EBO I CM IC IB P tot T j :T stg VALUE -50 -30 -5 -2 -1 -200 1 -65 to +150 B UNIT V V V A A mA W °C ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25°C). PARAMETER Breakdown Voltages SYMBOL MIN. V (BR)CBO V (BR)CEO V (BR)EBO Collector Cut-Off Current Collector -Emitter Cut-Off Current Emitter Cut-Off Current Collector-Emitter Saturation Voltage Base-Emitter Saturation Voltage Base-Emitter Turn-on Voltage Static Forward Current Transfer Ratio I CBO I CES I EBO V CE(sat) V BE(sat) V BE(on) h FE 100 100 80 40 100 15 -50 -30 -5 -100 -100 -100 -0.35 -0.65 -1.2 -1.1 MAX. UNIT V V V nA nA nA V V V CONDITIONS. I C=-100 µ A I C=-10mA* I E=-100 µ A V CB=-30V V CES =-30V V EB=-4V I C=-1A, I B=-100mA* I C=-2A, I B=-200mA* I C=-1A, I B=-100mA* I C =-1A, V CE=-2V* I C=-1mA, V CE=-2V* I C=-500mA, V CE=-2V* I C=-1A, V CE=-2V* I C=-2A, V CE=-2V* MHz pF I C=-100mA, V CE=-5V f=100MHz V CB=-10V, f=1MHz 300 Transition Frequency Output Capacitance fT C obo *Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤ 2% For typical Characteristics graphs see FMMT549 datasheet 3 - 91

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FCX589

### 物料型号 - 型号：SOT89 PNP硅平面中功率晶体管

### 器件简介 - 该器件是一个PNP硅平面中功率晶体管，具有高性能，适用于中等功率应用。

### 引脚分配 - SOT89封装具有三个引脚，分别为集电极（C）、发射极（E）和基极（B）。

### 参数特性 - 绝对最大额定值： - 集-基电压（VCBO）：-50V - 集-射电压（VCEO）：-30V - 发-基电压（VEBO）：-5V - 峰值脉冲电流（ICM）：-2A - 连续集电极电流（IC）：-1A - 基极电流（IB）：-200mA - 在Tamb=25°C时的总功耗（Ptot）：1W - 工作和存储温度范围（Tj:Tstg）：-65至+150°C

### 功能详解 - 电气特性（在Tamb=25°C条件下）： - 击穿电压：V(BR)CBO -50V，V(BR)CEO -30V，V(BR)EBO -5V - 集-基截止电流（ICBO）：-100nA（VCB=-30V） - 集-射截止电流（ICES）：-100nA（VCES=-30V） - 发-基截止电流（IEBO）：-100nA（VEB=-4V） - 集-射饱和电压（VCE(sat)）：-0.35V（IC=-1A, IB=-100mA） - 发-射极饱和电压（VBE(sat)）：-1.2V（IC=-1A, IB=-100mA） - 基-发射极饱和电压（VBE(on)）：-1.1V（IC=-1A, VCE=-2V） - 静态正向电流传输比（hFE）：100 - 过渡频率（fT）：100MHz（IC=-100mA, VCE=-5V） - 输出电容（Co bo）：15pF（VCB=-10V, f=1MHz）

### 应用信息 - 该晶体管适用于需要中功率处理的应用，如音频放大器、开关电源等。

### 封装信息 - 封装类型：SOT89，这是一种小外形封装，适合表面贴装技术。

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