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FZT705

FZT705

  • 厂商:

    DIODES

  • 封装:

  • 描述:

    FZT705 - SOT223 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTOR - Diodes Incorporated

  • 详情介绍
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FZT705 数据手册
SOT223 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTOR ISSUE 2 - OCTOBER 1995 FEATURES * 2A CONTINUOUS CURRENT * FAST SWITCHING * GUARANTEED HFE SPECIFIED UP TO 2A COMPLEMENTARY TYPE – FZT 605 PART MARKING DETAIL – FZT705 C FZT705 E B SYMBOL VCBO VCEO VEBO ICM IC PTOT tj:tstg TYP. MAX. VALUE -140 -120 -10 -4 -2 2 -55 to +150 UNIT V V V -0.1 -10 -10 -0.1 -1.3 -2.5 -1.8 -1.7 µA µA µA µA C ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. PARAMETER Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Peak Pulse Current Continuous Collector Current Power Dissipation Operating and Storage Temperature Range PARAMETER Breakdown Voltages SYMBOL V(BR)CBO V(BR)CEO V(BR)EBO Collector Cut-Off Current Emitter Cut-Off Current SaturationVoltages ICBO ICES IEBO VCE(sat) VBE(sat) Base-Emitter Turn-On Voltage Static Forward Current Transfer Transitional Frequency Output Capacitance Switching Times VBE(on) hFE 3000 3000 3000 2000 160 15 0.6 0.8 MIN. -140 -120 -10 UNIT V V V A A W °C ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25°C unless otherwise stated). CONDITIONS. IC=-100mA IC=-10mA* IE=-100µA VCB=-120V VCB=-120V, Tamb=100°C VCES=-80V VEB=-8V IC=-1A, IB=-1mA IC=-2A, IB=-2mA IC=-1A, IB=-10mA IC=-1A, VCE=-5V IC=-10mA, VCE=-5V IC=-100mA, VCE=-5V IC=-1A, VCE=-5V IC=-2A, VCE=-5V MHz pF µs µs V V V V 30000 fT Cobo Ton Toff IC=-100mA, VCE=-10V f=20MHz VEB=-10V, f=1MHz IC=-0.5A, VCE=-10V IB1=IB2=0.5mA *Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2% Spice parameter data is available upon request for this device 3 - 230 FZT705 FZT704 TYPICAL CHARACTERISTICS 1.8 1.6 -55°C +25°C +100°C +175°C IC/IB=1000 16k 14k 12k 10k 8k 6k 4k 2k 0 +100°C +25°C -55°C VCE=-5V - (Volts) 1.4 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0.001 0.01 0.1 1 I+ - Collector Current (Amps) 10 20 V h - Gain 1.2 0.001 0.01 0.1 1 10 20 I+ - Collector Current (Amps) VCE(sat) v IC hFE v IC 1.8 1.6 -55°C +25°C +100°C +175°C IC/IB=1000 2.4 2.2 2.0 -55°C +25°C +100°C VCE=-5V - (Volts) 1.2 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0.001 0.01 0.1 1 10 20 - (Volts) V 1.4 1.8 1.6 1.4 1.2 1.0 0.8 0.6 0.001 0.01 0.1 1 I+ - Collector Current (Amps) 10 20 V I+ - Collector Current (Amps) VBE(sat) v IC 10 VBE(on) v IC 10 Single Pulse Test at Tamb=25 °C Single Pulse Test at Tamb=25 °C 1 D.C. 1s 100ms 10ms 1.0ms 1 D.C. 0.1 100 s µ 0.1 1s 100ms 10ms 1.0ms 100 s µ 1 VCE - Collector Voltage (Volts) 10 100 1000 1 10 100 1000 VCE - Collector Voltage (Volts) Safe Operating Area FZT704 3 - 231 Safe Operating Area FZT705
FZT705
物料型号:FZT705

器件简介:SOT223封装PNP硅平面中型功率达林顿晶体管,具有2A的连续电流和快速开关特性,保证的HFE值。

引脚分配:SOT223封装共有三个引脚,分别是基极(B)、发射极(E)和集电极(C)。

参数特性: - 集-基电压(VCBO):-140V - 集-射电压(VCEO):-120V - 射-基电压(VEBO):-10V - 峰值脉冲电流(ICM):-4A - 连续集电极电流(Ic):-2A - 总功耗(PTOT):2W - 工作和储存温度范围:-55至+150℃

功能详解: - 击穿电压:包括集-基(V(BRCBO))、集-射(V(BRICEQ))和射-基(V(BR)EBO)击穿电压。 - 集电极截止电流(CBO):-0.1到-10μA - 发射极截止电流(EBO):-0.1μA - 饱和电压:包括集-射(VCE(sat))和基-射(VBE(sat))饱和电压。 - 静态正向电流传输比(hFE):3000至30000 - 过渡频率(fT):160MHz - 输出电容(Cabo):15pF - 开关时间:包括开通时间(Ton)和关断时间(Tof)。

应用信息:适用于需要中等功率和快速开关的应用,如电源管理、电机控制和音频放大器。

封装信息:SOT223,一种表面贴装封装,适用于自动贴装和手焊。
FZT705 价格&库存

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FZT705TA
  •  国内价格
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  • 100+1.6625

库存:773