15SQ045

15SQ045 15SQ045 2nd Generation Bypass Diodes for Solar Modules – Schottky Barrier Rectifiers 2. Generation Bypass-Dioden für Solarmodule – Schottky-Barrier-Gleichrichter Version 2011-05-11 Nominal current Nennstrom Ø 8±0.1 15 A 45 V Ø 8 x 7.5 [mm] 1.3 g Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx. Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack On request taped on 13” reel Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack Auf Anfrage gegurtet auf 13” Rolle 62.5±0.5 Type Ø 1.2 ±0.05 7.5±0.1 Green Molding Halogen-Free1 Dimensions - Maße [mm] Features 45V reverse voltage at low VF Low value RthL for low Tj Best trade-off between VF and IR 2) 1000pcs/13” reel for longer reel change intervals Maximum ratings and characteristics Type Typ Repetitive / Surge peak reverse voltage Periodische- / Spitzen-Sperrspannung VRRM [V] / VRSM [V] 45 Forward Voltage Durchlass-Spannung VF [V] Tj = 125°C IF = 5 A 15SQ045 typ. 0.30 TA = 50°C TA = 25°C TA = 25°C Vorteile 45V Sperrspannung bei niedrigem VF Niedriger RthL Wert für niedriges Tj Optimaler Kompromiss zwischen VF und IR 2) 1000 Stk. / 13” Rolle für längere Bestückungszyklen Grenz- und Kennwerte Forward Voltage Durchlass-Spannung VF [V] Tj = 25°C IF = 5 A < 0.45 IFAV IFSM i2t Tj Tj TS IF = 15 A < 0.53 15 A3) 290/330 A 420 A2s -50...+150°C ≤ 200°C 2) -50...+175°C Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms Junction temperature – Sperrschichttemperatur in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 3 From 06/2011 – Ab 06/2011 For more details, ask for the Diotec Application Note “Reliability of Bypass Diodes” Weitere Infos in der Diotec Applikationsschrift „Reliability of Bypass Diodes” Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 1 15SQ045 Characteristics Leakage current Sperrstrom Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft Thermal resistance junction to leads Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdrähte 120 [%] 100 10 80 1 Tj = 25°C Kennwerte Tj = 25°C Tj = 100°C VR = VRRM RthA RthL IR < 300 µA typ. 15 mA < 13 K/W 1) < 2.5 K/W 2) 102 [A] Tj = 125°C 60 40 10-1 20 IFAV 0 0 TA 50 100 150 [°C] IF 10-2 0 Rated forward current versus ambient temperature1) 1 Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. ) 0.4 0.6 1.0 VF [V] Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 103 [mA] 102 Tj = 125°C Tj = 150°C 10 Tj = 75°C 1 IR 10 -1 Tj = 25°C 0 VRRM 40 60 80 100 [%] Typ. instantaneous leakage current vs. rev. voltage Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) ü. Sperrspannung 1 2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden Measured in 3 mm distance from case – use for bypass diodes test Gemessen in 3 mm Abstand vom Gehäuse – für Bypass-Diodentest http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 2