1N4007-13

1N4001 ... 1N4007, 1N4007-13, EM513, EM516, EM518 1N4001 ... 1N4007, 1N4007-13, EM513, EM516, EM518 Silicon Rectifier Diodes – Silizium-Gleichrichterdioden Version 2009-10-16 Nominal current Nennstrom Ø 2.6 -0.1 1A 50...2000 V DO-41 DO-204AL 0.4 g Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx. Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack 62.5 -2.5 +0.5 Type Ø 0.77±0.07 Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings Type Typ 1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N4007 1N4007-13 EM513 EM516 EM518 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 50 100 200 400 600 800 1000 1300 1600 1800 2000 5.1-0.1 Grenzwerte Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 50 100 200 400 600 800 1000 1300 1600 1800 2000 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 TA = 75°C TA = 100°C f > 15 Hz TA = 25°C TA = 25°C IFAV IFRM IFSM i2t Tj TS 1 A 1) 0.8 A 1) 10 A 1) 50/55 A 12.5 A2s -50...+175°C -50...+175°C Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 1 1N4001 ... 1N4007, 1N4007-13, EM513, EM516, EM518 Characteristics Forward voltage – Durchlass-Spannung Leakage current Sperrstrom Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft Thermal resistance junction to leads Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht Tj = 25°C Tj = 25°C Tj = 100°C IF = 1 A VR = VRRM VR = VRRM VF IR IR RthA RthL Kennwerte < 1.1 V < 5 µA < 50 µA < 45 K/W 1) < 15 K/W 120 [%] 100 102 [A] 10 Tj = 125°C 80 Tj = 25°C 60 1 40 10 20 IFAV 0 0 TA 50 100 150 [°C] 1 -1 IF 10-2 0.4 50a-(1a-1.1v) VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Rated forward current versus ambient temperature ) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1) Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 102 [A] 10 îF 1 1 10 102 [n] 103 Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz 1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 2