1N4148W_09

1N4148W, 1N4448W 1N4148W, 1N4448W Surface Mount Small Signal Diodes Kleinsignal-Dioden für die Oberflächenmontage Version 2009-01-28 Power dissipation – Verlustleistung 2.7 1 .1 400 mW 75 V SOD-123 0.01 g Repetitive peak reverse voltage eriodische Spitzensperrspannung 0.1 0.6 Type Code Plastic case – Kunststoffgehäuse Weight approx. – Gewicht ca. 1.6 3.8 Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings (TA = 25°C) Power dissipation − Verlustleistung Max. average forward current – Dauergrenzstrom (dc) Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom Non repetitive peak forward surge current toßstrom-Grenzwert tp ≤ 1 s p ≤ 1 µs Ptot IFAV IFRM IFSM IFSM VRRM VRSM Tj TS 0 .6 Grenzwerte (TA = 25°C) 1N4148W, 1N4448W 400 mW 1) 150 mA 1) 300 mA 1) 500 mA 1) A 75 V 100 V -55...+150°C -55…+150°C Repetitive peak reverse voltage – Periodische Spitzensperrspannung Non repetitive peak reverse voltage – Stoßspitzensperrspannung Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Characteristics (Tj = 25°C) Forward voltage urchlass-Spannung Leakage current – Sperrstrom ) Leakage current – Sperrstrom, Tj = 125°C 2) Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität VR = 0 V, f = 1 MHz Reverse recovery time – Sperrverzug IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA Thermal resistance junction to ambient air ärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft 1 2 2 Kennwerte (Tj = 25°C) 1N4148W 1N4448W IF = 10 mA IF = 5 mA F = 100 mA VR = 20 V R = 75 V VR = 20 V R = 75 V VF VF F < 1.0 V 0.62...0.72 V 1V < 25 nA 5 µA < 30 µA 50 µA 4 pF < 4 ns < 400 K/W 1) IR IR IR IR CT Trr RthA Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 1 1N4148W, 1N4448W Marking – Stempelung These diodes are also available in other case styles Diese Dioden sind auch in anderen Gehäuseformen lieferbar 1N4148W = W1 / T4 / T6 1) 1N4448W = T5 / W1 1) DO-35 MiniMELF Q-MiniMELF Q-MicroMelf SOD-323 = = = = = 1N4148 LL4148 LS4148 MCL4148 1N4148WS 120 [%] 100 1 [A] 10-1 80 Tj = 125°C 60 10 -2 40 10-3 Tj = 25°C 20 Ptot 0 0 TA 50 100 150 [°C] 1 IF 10-4 0 VF 0.4 0.6 0.8 1.0 [V] 1.4 Power dissipation versus ambient temperature ) Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1) Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 1 Alternatively used. The complete part number is given on the package label. Alternativ verwendet. Die vollständige Artikel-Nr. ist auf dem Verpackungsetikett angegeben. http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 2