1N4150

1N4148, 1N4150, 1N4151, 1N4448 1N4148, 1N4150, 1N4151, 1N4448 Ultrafast Switching Si-Planar Diodes Ultraschnelle Si-Planar-Dioden Version 2011-09-23 Max. power dissipation Max. Verlustleistung Ø 1.9 500 mW 50...100 V DO-35 (SOD-27) 0.13 g LL4148, LL4150 LL4151, LL4148 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Glass case Glasgehäuse Weight approx. Gewicht ca. 62.5 3.9 Ø 0.52 Equivalent SMD-version Äquvalente SMD-Ausführung Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings (TA = 25°C) Type Typ 1N4148 1N4150 1N4151 1N4448 Type Typ Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Non-repetitive peak forward current Stoßstrom-Grenzwert Max. power dissipation Max. Verlustleistung Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur tp = 1 µs Tj = 25°C IFAV IFRM IFSM Ptot Tj TS Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 75 50 50 75 1N4148 1N4448 Grenzwerte (TA = 25°C) Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 1) 100 50 75 100 1N4150 300 mA 2) 600 mA 2) 4000 mA 500 mW 2) -50...+200°C -50...+200°C 1N4151 200 mA 2) 500 mA 2) 2000 mA 150 mA 2) 500 mA 2) 2000 mA 1 2 Tested with pulses IR = 100 µA, tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% Gemessen mit Impulsen IR = 100 µA, tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 1 1N4148, 1N4150, 1N4151, 1N4448 Characteristics (Tj = 25°C) Type Typ 1N4148 Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] at/bei IF [mA]