1N4148, 1N4150, 1N4151, 1N4448
1N4148, 1N4150, 1N4151, 1N4448
Ultrafast Switching Si-Planar Diodes Ultraschnelle Si-Planar-Dioden Version 2011-09-23 Max. power dissipation Max. Verlustleistung
Ø 1.9
500 mW 50...100 V DO-35 (SOD-27) 0.13 g LL4148, LL4150 LL4151, LL4148
Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Glass case Glasgehäuse Weight approx. Gewicht ca.
62.5
3.9
Ø 0.52
Equivalent SMD-version Äquvalente SMD-Ausführung Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings (TA = 25°C) Type Typ 1N4148 1N4150 1N4151 1N4448 Type Typ Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Non-repetitive peak forward current Stoßstrom-Grenzwert Max. power dissipation Max. Verlustleistung Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur tp = 1 µs Tj = 25°C IFAV IFRM IFSM Ptot Tj TS Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 75 50 50 75 1N4148 1N4448
Grenzwerte (TA = 25°C) Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 1) 100 50 75 100
1N4150 300 mA 2) 600 mA 2) 4000 mA 500 mW 2) -50...+200°C -50...+200°C
1N4151 200 mA 2) 500 mA 2) 2000 mA
150 mA 2) 500 mA 2) 2000 mA
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Tested with pulses IR = 100 µA, tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% Gemessen mit Impulsen IR = 100 µA, tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
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1N4148, 1N4150, 1N4151, 1N4448 Characteristics (Tj = 25°C) Type Typ 1N4148 Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] at/bei IF [mA]
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- 1+2.65561
- 10+2.41419
- 30+2.25324
- 100+2.01182
- 500+1.89916
- 1000+1.81869