1N4448

1N 4148, 1N 4150, 1N 4151, 1N 4448 Silicon Planar Diodes Silizium-Planar-Dioden Nominal current Nennstrom Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Glass case Glasgehäuse Weight approx. Gewicht ca. Dimensions / Maße in mm 150...300 mA 50…100 V DO-35 SOD-27 0.13 g see page 16 siehe Seite 16 Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack Maximum ratings Type Typ 1N 4148 1N 4150 1N 4151 1N 4448 Reverse voltage Sperrspannung VRM [V] 75 50 50 75 Grenzwerte Reverse Breakdown Voltage Abbruchspannung VRRM [V] 1) 100 50 75 100 1N 4148 1N 4448 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Non-repetitive peak fwd. current Stoßstrom Grenzwert Max. power dissipation Max. Verlustleistung tp = 1 :s Tj = 25/C TA = 25/C IFAV IFRM IFSM Ptot Tj TS 150 mA2) 500 mA2) 2000 mA 1N 4150 300 mA2) 600 mA2) 4000 mA 500 mW 2) - 50…+ 200/C - 50…+ 200/C 1N 4151 200 mA2) 500 mA2) 2000 mA Operating junction temp. – Sperrschichttemp. Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 34 ) Tested with 100 :A pulses – Gemessen mit 100 :A-Impulsen ) Valid, if leads are kept at TA = 25/C at a distance of 5 mm from case Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 5 mm Abstand von Gehäuse auf TA = 25/C gehalten werden 01.10.2002 1N 4148, 1N 4150, 1N 4151, 1N 4448 Characteristics, Tj = 25/C Type Typ 1N 4148 Forward voltage Durchlaßspannung VF [V]