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1N4148WS | 1N4448WS 1N4148WS | 1N4448WS IFAV = 150 mA VF1 < 0.855 V Tjmax = 150°C SMD Small Signal Switching Diodes SMD Kleinsignal-Schaltdioden VRRM = 100 V IFSM1 = 1 A trr < 4 ns Version 2021-08-11 Typische Anwendungen Signalverarbeitung Schnelles Schalten Standardausführung Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1) Suffix -AQ: AEC-Q101 qualifiziert 1) Features Very high switching speed Low junction capacitance Low leakage current Compliant to RoHS (w/o exemp.) REACH, Conflict Minerals 1) Besonderheiten Extrem schnelles Schalten Niedrige Sperrschichtkapazität Niedriger Sperrstrom Konform zu RoHS (ohne Ausn.) REACH, Konfliktmineralien 1) R oH S EE Pb Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Taped and reeled On request: 13” reel (suffix “R13”) Marking Code 1N4148WS/-Q = W2 or A 1N4148WS-AQ = W2 1N4448WS = W2 Halogen FREE WE SPICE Model & STEP File 1) Typical Applications Signal processing High-speed switching Commercial grade Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1) Suffix -AQ: AEC-Q101 qualified 1) EL V SOD-323F Weight approx. 3000 / 7“ 10000 / 13“ Gegurtet auf Rolle Auf Anfr.: 13” Rolle (Suf. „R13“) 0.005 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 HS Code 85411000 These diodes are available in alternative case outlines Diese Dioden sind auch in alternativen Gehäuseformen lieferbar DO-35 MiniMELF Q-MiniMELF Q-MicroMELF SOD-123F Maximum ratings 2) = = = = = 1N4148 LL4148 LS4148 MCL4148 1N4148W 1N4448 LL4448 LS4448 MCL4448 1N4448W Grenzwerte 2) 1N4148WS/-Q/-AQ 1N4448WS Power dissipation − Verlustleistung Max. average forward current – Dauergrenzstrom DC Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom Ptot 200 mW 3) IFAV 150 mA 3) IFRM 300 mA 3) Non repetitive peak forward surge current Stoßstrom-Grenzwert tp ≤ 1 s tp ≤ 1 µs IFSM 350 mA 1A Reverse voltage Sperrspannung DC VR 75 V VRRM 100 V Tj TS -55...+150°C -55…+150°C Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 3 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal – Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Lötpad je Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 1N4148WS | 1N4448WS Characteristics Kennwerte Forward voltage Durchlass-Spannung Tj = 25°C Leakage current Sperrstrom 1 5 IF = 10 50 150 Tj = 25°C VR = Tj = 125°C Typical. junction capacitance Typischer. Sperrschichtkapazität 1N4148WS/ -Q/-AQ 1N4448WS – 0.62...0.72 V < 0.855 V < 1.0 V < 1.25 V mA mA mA mA mA VF < 0.715 V – < 0.855 V < 1.0 V < 1.25 V 20 V 75 V IR < 25 nA < 1 µA < 25 nA < 100 nA 20 V 75 V IR < 30 µA < 50 µA < 30 µA < 50 µA VR = 0 V, f = 1 MHz Reverse recovery time – Sperrverzug Typical thermal resistance junction to ambient Typicher Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung CT 2 pF trr < 4 ns 1) RthA 620 K/W 2) Dimensions – Maße [mm] 120 1 102 [%] [µA] [A] Tj = 150°C 100 10 10-1 80 Tj = 125°C Tj = 100°C 1 60 10-2 40 20 IR Ptot 0 Tj = 25°C 10-3 10-1 IF Tj = 25°C 0 TA 50 100 150 [°C] Power dissipation versus ambient temperature 2) 2 Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. ) 10-2 0 VR 25 50 75 [V] Reverse characteristics (typical values) Sperrkennlinien (typische Werte) 10-4 0 VF 0.4 0.6 0.8 1.0 [V] 1.4 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 2 IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal – Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Lötpad je Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG