1N5398

1N5391 ... 1N5399 1N5391 ... 1N5399 Silicon Rectifier Diodes – Silizium-Gleichrichterdioden Version 2009-04-16 Nominal current Nennstrom Ø 3±0.05 1.5 A 50...1000 V DO-15 DO-204AC 0.4 g Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx. Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack 62.5±0.5 Type Ø 0.8±0.05 Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings Type Typ 1N5391 1N5392 1N5393 1N5394 1N5395 1N5396 1N5397 1N5398 1N5399 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 50 100 200 300 400 500 600 800 1000 TA = 50°C TA = 100°C f > 15 Hz TA = 25°C TA = 25°C IFAV IFRM IFSM i2t Tj TS 6.3±0.1 Grenzwerte Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 100 200 300 400 500 600 800 1000 1200 1.5 A 1) 0.9 A 1) 10 A 1) 50/55 A 12.5 A2s -50...+175°C -50...+175°C 1 )Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 1 1N5391 ... 1N5399 Characteristics Forward voltage – Durchlass-Spannung Leakage current Sperrstrom Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht umgebende Luft Tj = 25°C IF = 1.5 A VF IR IR RthA Tj = 25°C VR = VRRM Tj = 100°C VR = VRRM Kennwerte < 1.3 V < 10 µA < 50 µA < 45 K/W 1) 120 [%] 100 10 [A] 2 10 80 1 Tj = 125°C 60 Tj = 25°C 40 10 20 IFAV 0 0 TA 50 100 150 [°C] 1 -1 IF 10 -2 50a-(2a-1.3v) 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Rated forward current versus ambient temperature ) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1) Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 102 [A] 10 îF 1 1 10 102 [n] 103 Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz 1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 2