1N5406K

1N5406K

  • 厂商:

    DIOTEC(德欧泰克)

  • 封装:

    DO-15(DO-204AC)

  • 描述:

    DIODE STD DO-15 600V 3A

  • 数据手册
  • 价格&库存
1N5406K 数据手册
1N5400K ... 1N5408K 1N5400K ... 1N5408K Si-Rectifiers – Si-Gleichrichter Version 2005-09-20 Nominal current Nennstrom Ø3 ±0.05 3A 50...1000 V ~ DO-15 DO-204AC 0.4 g Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx. Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack ±0.5 Type 62.5 Ø 0.8±0.05 Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings Type Typ 1N5400K 1N5401K 1N5402K 1N5404K 1N5406K 1N5407K 1N5408K Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, Grenzlastintegral, t < 10 ms Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 50 100 200 400 600 800 1000 TA = 50°C f > 15 Hz TA = 25°C TA = 25°C IFAV IFRM IFSM i2t Tj TS 6.3±0.1 Grenzwerte Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 50 100 200 400 600 800 1000 3 A 1) 20 A 1) 100/110 A 50 A2s -50...+175°C -50...+175°C 1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 1 1N5400K ... 1N5408K Characteristics Forward voltage – Durchlass-Spannung Leakage current – Sperrstrom Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft Thermal resistance junction to leads Wärmewiderstand Sperrschicht − Anschlussdraht Tj = 25°C Tj = 25°C IF = 3 A VR = VRRM VF IR RthA RthL Kennwerte < 1.1 V < 10 µA < 38 K/W 1) < 13 K/W 120 [%] 100 102 [A] 10 Tj = 125°C 80 Tj = 25°C 60 1 40 10-1 20 IFAV 0 0 TA 50 100 150 [°C] Rated forward current versus ambient temperature1) 1 Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. ) IF 10-2 100a-(3a-1.1v) 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 10 2 [A] 10 îF 1 1 10 10 2 [n] 10 3 Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz 1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 2
1N5406K 价格&库存

很抱歉,暂时无法提供与“1N5406K”相匹配的价格&库存,您可以联系我们找货

免费人工找货
1N5406K
  •  国内价格 香港价格
  • 1+2.189171+0.28081
  • 10+1.4315510+0.18363
  • 100+0.98755100+0.12668
  • 500+0.78493500+0.10069
  • 1000+0.703891000+0.09029
  • 4000+0.571744000+0.07334
  • 8000+0.518898000+0.06656
  • 12000+0.4898112000+0.06283
  • 24000+0.4475324000+0.05741
  • 40000+0.4184640000+0.05368

库存:1880

1N5406K
  •  国内价格 香港价格
  • 1+3.000421+0.38487
  • 10+1.8013210+0.23106
  • 100+1.12671100+0.14453
  • 500+0.83427500+0.10702
  • 1000+0.717621000+0.09205
  • 2000+0.659482000+0.08459

库存:3500

1N5406K
  •  国内价格 香港价格
  • 4000+0.570784000+0.07322
  • 8000+0.467998000+0.06003
  • 12000+0.4557412000+0.05846
  • 20000+0.4533020000+0.05815
  • 28000+0.4152928000+0.05327
  • 40000+0.4139440000+0.05310

库存:3500