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1N5819

1N5819

  • 厂商:

    DIOTEC(德欧泰克)

  • 封装:

  • 描述:

    1N5819 - Schottky Barrier Rectifiers - Diotec Semiconductor

  • 数据手册
  • 价格&库存
1N5819 数据手册
1N5817 ... 1N5819 1N5817 ... 1N5819 Schottky Barrier Rectifiers Schottky-Barrier-Gleichrichter Version 2006-04-19 Nominal current Nennstrom Ø3 ±0.05 1A 20...40 V DO-15 DO-204AC 0.4 g Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx. Gewicht ca. 62.5±0.5 Type 6.3±0.1 Ø 0.8 ±0.05 Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings and Characteristics Type Typ 1N5817 1N5818 1N5819 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 20 30 40 Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 20 30 40 TA = 75°C f > 15 Hz TA = 25°C TA = 25°C Grenz- und Kennwerte Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] 1) < 0.75 < 0.875 < 0.90 IFAV IFRM IFSM i2t 1 A2) 10 A 2) 40 A 8 A2s -50...+150°C -50...+175°C Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur TS Tj 1 2 IF = 3 A,Tj = 25°C Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 1 1N5817 ... 1N5819 Characteristics Leakage current Sperrstrom Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft Thermal resistance junction to leads Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht Tj = 25°C VR = VRRM Tj = 100°C VR = VRRM IR IR RthA RthL Kennwerte < 1 mA < 10 mA < 45 K/W 1) < 15 K/W 120 [%] 100 102 [A] 10 80 1 1N5817 1N5818 60 40 10 20 IFAV 0 0 TA 50 100 150 [°C] 1 1N5819 -1 IF 10-2 Tj = 25°C 0 VF 0.4 0.6 [V] 1.0 Rated forward current versus ambient temperature ) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1) Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 2
1N5819 价格&库存

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