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2SC2983 2SC2983 IC = 1.5 A hFE = 70 ... 240 Tjmax = 150°C SMD High Current NPN Transistors SMD Hochstrom-NPN-Transistoren VCES = 160 V Ptot = 15 W Version 2021-08-17 Typical Applications Power Amplifiers Driver Circuits Commercial grade Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification 1) 1 2 Features High collector current High power dissipation Compliant to RoHS (exemp. 7a) REACH, Conflict Minerals 1) 3 4 SPICE Model & STEP File ) Besonderheiten Hoher Kollektorstrom Hohe Leistungsfähigkeit Konform zu RoHS (Ausn. 7a) REACH, Konfliktmineralien 1) RoHS Pb EE WE 1 Typische Anwendungen Leistungsverstärker Treiberschaltungen Standardausführung Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation 1) EL V TO-252AA D-PAK Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Taped and reeled 2500 / 13“ Weight approx. Gegurtet auf Rolle 0.32 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 Marking Code 2983 HS Code 85412100 Type Recommended complementary PNP transistors Empfohlene komplementäre PNP-Transistoren 2SC2983 2SA1225 Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) 2SC2983 Collector-Emitter-voltage – Kollektor-Emitter-Spannung B open VCEO 160 V Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung B open VCBO 160 V Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung C open VEBO 5V 3 Power dissipation – Verlustleistung TC = 25°C ) Ptot 15 W Collector current – Kollektorstrom DC IC 1.5 A Base current – Basis-Strom DC IB 300 mA Tj TS +150°C -55…+150°C Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 3 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C, unless otherwise specified – TA = 25°C, wenn nicht anders angegeben Measured at metallic heat flange (collector terminal) – Gemessen an der metallischen Kühlfahne (Kollektor-Anschluss) © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 2SC2983 Characteristics Kennwerte Tj = 25°C Min. Typ. Max. hFE 70 – 240 VCEsat – – 1.5 V VBE – – 1V ICBO – – 1 µA IEBO – – 1 µA fT – 100 MHz – COB – 25 pF – 1 DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis ) VCE = 5 V IC = 100 mA Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Emitter-Sättigungsspg. ) 2 IC = 500 mA IB = 50 mA Base-Emitter-voltage – Basis-Emitter-Spannung 2) VCE = 5 V IC = 500 mA Collector-Base cutoff current – Kollektor-Basis-Reststrom VCB = 160 V E open Emitter-Base cutoff current – Emitter-Basis-Reststrom VEB = 5 V C open Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz VCE = 10 V, IC = 100 mA Collector output capacitance – Kollektor-Ausgangs-Kapazität VCB = 10 V, IE =ie = 0, f = 1 MHz Typical thermal resistance junction to case Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse RthC 8.3 K/W 2) Dimensions – Maße [mm] 120 [%] 100 80 60 40 20 Ptot 0 0 TC 50 100 150 [°C] Power dissipation versus case temperature 2) 2 Verlustleistung in Abh. von d. Gehäusetemp. ) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% Measured at metallic heat flange (collector terminal) – Gemessen an der metallischen Kühlfahne (Kollektor-Anschluss) http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG