30CTQ200

30CTQ200 30CTQ200 High Temperature Schottky Rectifier Diodes Hochtemperatur-Schottky-Gleichrichterdioden IFAV = 2x 15 A VF1 ~ 0.72 V Tjmax = 175°C VRRM = 200 V IFSM = 225/250 A Version 2017-09-18 Typical Applications High Frequent Output Rectification in DC/DC Converters, Polarity Protection, Free-wheeling diodes Commercial grade 1) Type Typ 0.42 ±0.1 3.9±0.3 1.3 ±0.1 1 2 3 ±0.2 0.8 ±0.1 2.54 Dimensions - Maße [mm] Features High temperature operation High reverse voltage Dual diodes with common cathode Low forward voltage drop Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Besonderheiten Hochtemperatur-Einsatz Hohe Sperrspannung Doppeldioden mit gemeinsamer Kathode Niedrige Fluss-Spannung Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) RoHS Pb EE WE ±0.2 13.9±0.3 1 2 3 2.67 4 8.7±0.3 ±0.7 Ø 3.8±0.2 4 14.9 4.5±0.2 ±0.3 2.8±0.3 10.1 1.2±0.2 EL V TO-220AB Typische Anwendungen Hochfrequenz-Ausgangsgleichrichtung in Gleichstromwandlern, Verpolschutz, Freilaufdioden Standardausführung 1) Mechanical Data 1) Packed in tubes/cardboards Weight approx. Mechanische Daten 1) 50/1000 Verpackt in Stangen/Kartons 2.2 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 Maximum ratings 2) Type Typ Grenzwerte 3) Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 200 200 30CTQ200 Max. average forward rectified current Dauergrenzstrom in Einwegschaltung TC = 110°C IFAV 15 A 3) 30 A 4) Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz TC = 110°C IFRM 53 A 3) Peak forward surge current Stoßstrom in Fluss-Richtung half sine-wave Sinus-Halbwelle 50 Hz (10 ms) 60 Hz (8.3 ms) IFSM 225 A 250 A t < 10 ms i2t 80 A2s Tj Tj -50...+175°C -50...+150°C Rating for fusing Grenzlastintegral Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 3 4 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben Per diode − Pro Diode Per device (parallel operation) − Pro Bauteil (Parallelbetrieb) © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 30CTQ200 Characteristics 1) Kennwerte 1) Type Typ Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] 30CTQ200 typ 0.72 @ IF [A] 15 Forward voltage Durchlass-Spannung @ Tj 125°C Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 125°C Typical junction capacitance – Typische Sperrschichtkapazität VF [V] @ IF [A] @ Tj < 0.86 15 25°C VR = VRRM IR < 50 µA typ. 1 mA VR = 4 V Cj 220 pF Thermal resistance junction to case – Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse 120 RthC < 3 K/W 2) 102 [%] [A] 100 T j = 125°C 10 80 60 1 Tj = 25°C 40 10-1 20 IF IFAV 0 30CTQ200 0 TC 50 100 150 10 0 -2 [°C] Rated forward current versus case temperature Zul. Richtstrom in Abh. von der Gehäusetemp. VF 0.4 0.6 0.8 [V] 1.0 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 102 [µA] 10 Tj = 125°C T j = 100°C Tj = 75°C 1 T j = 50°C 10-1 IR 10-20 T j = 25°C VRRM 40 60 80 100 [%] Typ. instantaneous leakage current vs. rev. voltage Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) ü. Sperrspannung Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 2 Per diode − Pro Diode Measured at heat flange – Gemessen an der Kühlfahne http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG