80SQ05_07

80SQ05 80SQ05 Schottky Barrier Rectifier Diodes Schottky-Barrier-Gleichrichterdioden Version 2007-11-06 Nominal Current Nennstrom Ø 5.4±0.2 8A 50 V Ø 5.4 x 7.5 [mm] (~ DO-27) 1g Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx. Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack ±0.5 62.5 Ø 1.2 Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings and Characteristics Type Typ Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 50 Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 50 7.5+1.0 ±0.05 Type Grenz- und Kennwerte Forward Voltage Durchlass-Spannung VF [V] 1) IF = 5 A IF = 8 A < 0.55 < 0.50 80SQ05 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Junction temperature – Sperrschichttemperatur ... in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb Storage temperature – Lagerungstemperatur TA = 75°C f > 15 Hz TA = 25°C TA = 25°C IFAV IFRM IFSM i2t Tj Tj TS 8 A 1) 30 A 2) 155/180 A 132 A2s -50...+150°C ≤ 200°C -50...+175°C 1 1 Tj = 25°C Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 1 80SQ05 Characteristics Leakage current Sperrstrom Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht - umgebende Luft Thermal resistance junction to leads Wärmewiderstand Sperrschicht - Anschlussdraht Tj = 25°C Tj = 100°C VR = VRRM IR RthA RthL Kennwerte < 500 µA < 20 mA < 15 K/W 1) < 6 K/W 120 [%] 100 DC Vr < 80% Vrrm 102 [A] 80SQ05 10 80 60 Vr < 50% Vrrm 1 40 10-1 20 IFAV 0 0 TA 50 100 150 [°C] Rated forward current vs. ambient temperature Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Umgebungstemp. IF 10-2 0 0.4 0.6 1.0 VF [V] Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 2