ABS15Y

ABS15Y ABS15Y IFAV1 = 2 A VF1 < 1.05 V Tjmax = 150°C SMD Single Phase Bridge Rectifier SMD Einphasen-Brückengleichrichter VRRM = 2000 V IFSM = 30/33 A trr ~ 1500 ns Version 2019-07-16 Typical Application 50/60 Hz Mains Rectification, Power Supplies Commercial grade 1) 0.2±0.1 4.0±0.2 5.0±0.2 4.4±0.2 Pb 1 Mechanische Daten 1) Mechanical Data ) Taped and reeled 0.6±0.1 ~ R oH S EE + Type Typ Besonderheit 4mm Raster für hohe Luft- und Kriechstrecken Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) Halogen FREE WE Features 4mm pitch for high creepage and clearance Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) +0.2 6.2 EL V 1.5±0.1 1.4±0.1 ABS Typische Anwendung 50/60 Hz Netzgleichrichtung, Stromversorgungen Standardausführung 1) ~ 5000 / 13“ Weight approx. Dimensions - Maße [mm] Gegurtet auf Rolle 0.1 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 Maximum ratings 2) Type Typ Grenzwerte 2) Maximum alternating input voltage Max. Eingangswechselspannung VVRMS [V] 3) Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 4) 1400 2000 ABS15Y Max. rectified output current Dauergrenzstrom am Brückenausgang Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz Peak forward surge current Stoßstrom in Fluss-Richtung Half sine-wave Sinus-Halbwelle Rating for fusing Grenzlastintegral TA = 50°C IFAV 1.6 A 5) 2.0 A 6) TA = 50°C IFRM 6 A 5) 50 Hz (10 ms) 60 Hz (8.3 ms) IFSM 30 A 33 A t < 10 ms i2t 4.5 A2s Tj TS -50...+150°C -50...+150°C Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 3 4 5 6 1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben Eventual superimposed voltage peaks must not exceed VRRM Evtl. überlagerte Spannungsspitzen dürfen VRRM nicht überschreiten Valid per diode – Gültig pro Diode Mounted on P.C. Board with 25 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss Mounted on P.C. Board with 250 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 250 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG ABS15Y Characteristics Kennwerte Forward voltage Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 0.8 A IF = 2.0 A VF < 1.05 V 1) < 1.3 V 1) Leakage current – Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM IR < 5 µA 1) trr typ. 1500 ns 1) Cj 15 pF 1) Reverse recovery time – Sperrverzug IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to IR = 0.25 A Typical junction capacitance – Typische Sperrschichtkapazität VR = 4 V Typical thermal resistance junction to ambient (per device) Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung (pro Bauteil) RthA 80 K/W 2) 62 K/W 3) Typical thermal resistance junction to case (per device) Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse (pro Bauteil) RthT 25 K/W Type Typ Rt 3) ~ _ Recomm. protective resistance Empf. Schutzwiderstand Rt [Ω] 4) Admiss. load capacitor at Rt Zul. Ladekondensator mit Rt CL [µF] 5) + ~ CL 4) ABS15Y 66 120 75 102 [%] [A] 100 10 80 Tj = 25°C 60 1 40 -1 10 20 IF IFAV 0 10-2 0 TA 50 100 150 [°C] Rated forward current versus ambient temperature Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder oder Internet 1 2 3 4 5 2 Valid per diode – Gültig pro Diode Mounted on P.C. Board with 25 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss Mounted on P.C. Board with 250 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 250 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss Rt = VRRM / IFSM Rt is the equivalent resistance of any protective element which ensures that IFSM is not exceeded Rt ist der Ersatzwiderstand eines jeglichen Schutzelementes, welches ein Überschreiten von IFSM verhindert CL = 5 ms / Rt If the Rt CL time constant is less than a quarter of the 50Hz mains period, CL can be charged mostly in one mains period. Hence, IFSM occurs as a single pulse only per diode! Falls die Rt CL Zeitkonstante kleiner ist als ¼ der 50Hz-Netzperiode, kann CL nahezu in einer einzigen Netzperiode geladen werden. IFSM tritt dann pro Diode nur als Einzelpuls auf! http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG