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ABS2 ... ABS10 ABS2 ... ABS10 SMD Single Phase Diode Bridge Rectifier SMD Einphasen-Dioden Brückengleichrichter IFAV1 = 1 A VF < 1.1 V Tjmax = 150°C VRRM = 200 ... 1000 V IFSM = 27/30 A trr ~ 1500 ns Version 2020-10-08 Typical Application 50/60 Hz Mains Rectification, Power Supplies Commercial grade 1) Features Besonderheit Four diodes in bridge configuration, Vier Dioden in Brückenschaltung, 4mm pitch for high creepage 4mm Raster für hohe Halogen FREE and clearance Luft- und Kriechstrecken Compliant to RoHS, REACH, Konform zu RoHS, REACH, Pb Conflict Minerals 1) Konfliktmineralien 1) 1.5±0.1 1.4±0.1 ABS 0.2±0.1 4.0±0.2 Typische Anwendung 50/60 Hz Netzgleichrichtung, Stromversorgungen Standardausführung 1) +0.2 6.2 5.0±0.2 WE + EE 4.4±0.2 Type Typ Mechanical Data 1) Taped and reeled 0.6±0.1 ~ EL V R oH S ~ 5000 / 13“ Weight approx. Dimensions - Maße [mm] Mechanische Daten 1) Gegurtet auf Rolle 0.1 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) Type Typ Maximum alternating input voltage Max. Eingangswechselspannung VVRMS [V] 3) Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 4) ABS2 140 200 ABS4 280 400 ABS6 420 600 ABS8 560 800 ABS10 700 1000 Max. rectified output current Dauergrenzstrom am Brückenausgang Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz Peak forward surge current Stoßstrom in Fluss-Richtung Half sine-wave Sinus-Halbwelle Rating for fusing Grenzlastintegral TA = 40°C IFAV 0.8 A 5) 1 A 6) TA = 40°C IFRM 5.4 A 5) 50 Hz (10 ms) 60 Hz (8.3 ms) IFSM 25 A 27 A t < 10 ms i2t 3.6 A2s Tj TS -50...+150°C -50...+150°C Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 3 4 5 6 1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben Eventual superimposed voltage peaks must not exceed VRRM Evtl. überlagerte Spannungsspitzen dürfen VRRM nicht überschreiten Valid per diode – Gültig pro Diode Mounted on P.C. Board with 25 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss Mounted on Alumina Substrate 2500mm² with 1 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Aluminium-Substrat 2500mm² mit 1 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG ABS2 ... ABS10 Characteristics Kennwerte Forward voltage Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 0.4 A IF = 0.8 A VF < 0.95 V 1) < 1.1 V 1) Leakage current – Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM IR < 5 µA trr typ. 1500 ns 1) Cj 10 pF 1) Reverse recovery time – Sperrverzug IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to IR = 0.25 A Typical junction capacitance – Typische Sperrschichtkapazität VR = 4 V Thermal resistance junction to ambient (per device) Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung (pro Bauteil) RthA < 80 K/W 2) < 62 K/W 3) Thermal resistance junction to case (per device) Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse (pro Bauteil) RthT < 25 K/W Rt ~ D1 4) D2 + CL 6) 5) ~ D3 D4 − Type Typ Recomm. protective resistance Empf. Schutzwiderstand Rt [Ω] 4) Admiss. load capacitor at Rt Zul. Ladekondensator mit Rt CL [µF] 5) ABS2 7.4 675 ABS4 14.8 338 ABS6 22.2 225 ABS8 29.6 169 ABS10 37.0 125 120 102 [%] [A] 100 10 80 Tj = 25°C 60 1 40 -1 10 20 IF IFAV 0 10-2 0 TA 50 100 150 [°C] Rated forward current versus ambient temperature Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 6 Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder oder Internet 1 2 3 4 5 6 2 Valid per diode – Gültig pro Diode Mounted on P.C. Board with 25 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss Mounted on Alumina Substrate 2500mm² with 1 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Aluminium-Substrat 2500mm² mit 1 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss Rt = VRRM / IFSM Rt is the equivalent resistance of any protective element which ensures that IFSM is not exceeded Rt ist der Ersatzwiderstand eines jeglichen Schutzelementes, welches ein Überschreiten von IFSM verhindert CL = 5 ms / Rt If the Rt CL time constant is less than a quarter of the 50Hz mains period, CL can be charged completely in a single half wave of the mains. Hence, IFSM occurs as a single pulse only! Falls die Rt CL Zeitkonstante kleiner ist als ¼ der 50Hz-Netzperiode, kann CL innerhalb einer einzigen Netzhalbwelle komplett geladen werden. IFSM tritt dann nur als Einzelpuls auf! Bridge rectifier configuration, with four single diodes connected together Brückengleichrichterkonfiguration mit vier Dioden aufgebaut http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG