AG3B

AG3A ... AG3M AG3A ... AG3M Silicon Rectifier Cells with Polysiloxane Cover Silizium-Gleichrichterzellen mit Polysiloxan-Abdeckung Version 2007-07-26 Nominal current Nennstrom Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Weight approx. – Gewicht ca. Ø 4.6 2. 3 max Ø 5. 4 3A 50...1000 V 0.3 g Standard packaging bulk Standard Lieferform lose Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings Type Typ AG3A AG3B AG3D AG3G AG3J AG3K AG3M Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 50 100 200 400 600 800 1000 TT = 100°C f > 15 Hz TA = 25°C TA = 25°C IFAV IFRM IFSM i2t Grenzwerte Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 80 130 250 450 700 1000 1300 3A 30 A 1) 150/165 A 110 A2s -50...+150°C -50...+150°C Kennwerte Tj = 25°C Tj = 25°C IF = 3 A VR = VRRM VF IR < 1.2 V < 10 µA Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Characteristics Forward voltage – Durchlass-Spannung Leakage current – Sperrstrom TS Tj 1 Max. temperature of the cell T = 150°C – Max. Temperatur der Zelle T = 150°C http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 1