AL1J

AL1A ... AL1M AL1A ... AL1M IFAV = 1 A VF1 < 1.2 V trr ~ 1500 ns Standard Avalanche SMD Rectifier Diodes Standard Avalanche SMD-Gleichrichterdioden VRRM = 50...1000 V IFSM = 27/30 A ERSM = 20 mJ Version 2017-05-29 Typische Anwendungen 50/60 Hz Netzgleichrichtung, Stromversorgungen, Verpolschutz Standardausführung 1) Features Controlled avalanche characteristic Package compatible to SOD-87 High power dissipation Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Besonderheiten Controlled Avalanche Charakteristik Gehäuse kompatibel zu SOD-87 Hohe Leistungsfähigkeit Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) RoHS EL V Pb EE WE 0.4 1.6 ~ DO-213AA Plastic MiniMELF Typical Applications 50/60 Hz Mains Rectification, Power Supplies, Polarity Protection Commercial grade 1) 3.5 Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) 0.4 Taped and reeled 2500 / 7“ Weight approx. Dimensions - Maße [mm] Gegurtet auf Rolle 0.04 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 Marking: 1. white ring denotes “cathode” and “standard rectifier family” 2. colored ring denotes “repetitive peak reverse voltage” (see below) Kennzeichnung: 1. weißer Ring kennzeichnet “Kathode” und “Standard-Gleichrichter” 2. farbiger Ring kennzeichnet “Periodische Spitzensperrspannung” (siehe unten) Maximum ratings 2) Type Typ Grenzwerte 2) Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Reverse avalanche breakdown voltage Sperrspannung im Durchbruch VRSM [V] @ IRSM = 1 mA 2. Cathode ring 2. Kathodenring AL1A 50 > 75 gray / grau AL1B 100 > 150 red / rot AL1D 200 > 250 orange / orange AL1G 400 > 450 yellow / gelb AL1J 600 > 650 green / grün AL1K 800 > 850 blue / blau AL1M 1000 > 1100 violet / violett Max. average forward current – Dauergrenzstrom TA = 75°C IFAV 1 A 3) 50 Hz (10 ms) 60 Hz (8.3 ms) IFSM 27 A 30 A Rating for fusing – Grenzlastintegral t < 10 ms i2t 3.6 A2s Non-repetitive peak reverse avalanche energy Einmalige Avalanche-Energie in Sperr-Richtung IRSM = 1 mA ERSM 20 mJ Peak forward surge current Stoßstrom in Fluss-Richtung Half sine-wave Sinus-Halbwelle Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 3 Tj TS -50...+175°C -50...+175°C Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads per terminal – Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Lötpad je Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 AL1A ... AL1M Characteristics Kennwerte Forward voltage Durchlass-Spannung IF = 1 A AL1A...G AL1J...M Tj = 25°C Tj = 125°C VR = VRRM VR = VRRM IR < 3 µA < 50 µA VR = 4 V Cj 4 pF IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to IR = 0.25 A trr typ. 1500 ns Thermal resistance junction to ambient Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung RthA < 75 K/W 1) Thermal resistance junction to terminal Wärmewiderstand Sperrschicht − Anschluss RthT < 40 K/W Tj = 25°C Leakage current Sperrstrom Typical junction capacitance – Typische Sperrschichtkapazität Typical reverse recovery time Typische Sperrverzugszeit 120 < 1.2 V < 1.3 V VF 2 10 [%] [A] 100 Tj = 125°C 10 80 Tj = 25°C 1 60 40 10-1 20 IF IFAV 0 0 TA 50 100 150 [°C] 10-2 0.4 Rated forward current versus ambient temperature1) 1 Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. ) 30a-(1a-1.2v) VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG