B40D_09

B40D ... B500D B40D ... B500D Silicon-Bridge-Rectifiers Silizium-Brückengleichrichter Version 2009-01-02 Nominal current Nennstrom Alternating input voltage Eingangswechselspannung Plastic case DIL Kunststoffgehäuse DIL Weight approx. – Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Dimensions - Maße [mm] 1A 40...500 V 8.3 x 6.4 x 3.1 [mm] 0.4 g Standard packaging: plastic tubes Standard Lieferform: Plastik-Schienen Recognized Product – Underwriters Laboratories Inc.® File E175067 Anerkanntes Produkt – Underwriters Laboratories Inc.® Nr. E175067 Maximum ratings Type Typ B40D B80D B125D B250D B380D B500D Max. alternating input voltage Max. Eingangswechselspannung VVRMS [V] 40 80 125 250 380 500 Grenzwerte Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 1) 80 160 250 600 800 1000 Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur f > 15 Hz TA = 25°C TA = 25°C IFRM IFSM i2t Tj TS 10 A 2) 40/44 A 8 A2s -50...+150°C -50...+150°C 1 2 Valid per diode – Gültig pro Diode Max. temperature of the terminals TT = 100°C – Max. Temperatur der Anschlüsse TT = 100°C http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 1 B40D ... B500D Characteristics Max. average forward rectified current Dauergrenzstrom Forward voltage – Durchlass-Spannung Leakage current – Sperrstrom Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft TA = 50°C Tj = 25°C Tj = 25°C R-load C-load IF = 1 A VR = VRRM IFAV IFAV VF IR RthA Kennwerte 1.0 A 1) 0.8 A 1) < 1.1 V 2) < 10 µA < 60 K/W1) Type Typ B40D B80D B125D B250D B380D B500D Max. admissible load capacitor Max. zulässiger Ladekondensator CL [µF] 2500 1250 800 333 250 200 0.005 0.005 0.005 0.005 0.005 0.005 Min. required protective resistor Min. erforderl. Schutzwiderstand Rt [Ω] 2.0 4.0 6.3 15.0 20.0 25.0 80 160 250 600 800 1000 120 [%] 100 10 2 [A] 10 Tj = 125°C 80 Tj = 25°C 60 1 40 10-1 20 IFAV 0 0 TA 50 100 150 [°C] IF 10-2 0.4 40a-(1a-1.1v) VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Rated forward current versus ambient temperature Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 1 2 Mounted on P.C. Board with 25 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss Valid per diode – Gültig pro Diode http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 2