BA159

BA157 ... BA159 BA157 ... BA159 Fast Silicon Rectifier Diodes – Schnelle Silizium-Gleichrichterdioden Version 2009-10-16 Nominal current Nennstrom Ø 2.6 -0.1 1A 400...1000 V DO-41 DO-204AL 0.4 g Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx. Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack 62.5 -2.5 +0.5 Type Ø 0.77±0.07 Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings and characteristics Type Typ BA157 BA158 BA159 Repetitive peak reverse volt. Period. Spitzensperrspannung VRRM [V] 400 600 1000 Surge peak reverse volt. Stoßspitzensperrspanng. VRSM [V] 400 600 1000 TA = 75°C f > 15 Hz TA = 25°C TA = 25°C 5.1-0.1 Grenz- und Kennwerte Typ. junction capacitance Typ. Sperrschichtkapazität Cj [pF] 1) 12 12 12 IFAV IFRM IFSM i2t Tj TS Tj = 25°C IF = 1 A VF IR IR trr RthA RthL 1 A 2) 10 A 2) 35/40 A 6 A2s -50...+150°C -50...+175°C < 1.3 V < 5 µA < 100 µA < 300 ns < 45 K/W 2) < 15 K/W Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Forward voltage Durchlass-Spannung Leakage current Sperrstrom Reverse recovery time Sperrverzugszeit Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft Thermal resistance junction to leads Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht 1 2 Tj = 25°C VR = VRRM Tj = 100°C VR = VRRM IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to IR = 0.25 A Measured at f = 1 MHz, VR = 4 V – Gemessen bei f = 1 MHz, VR = 4 V Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 1 BA157 ... BA159 120 [%] 100 102 [A] 10 80 Tj = 125°C 60 1 40 10 20 IFAV 0 0 TA 50 100 150 [°C] 1 Tj = 25°C -1 IF 10-2 35a-(1a-1.3v) 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Rated forward current versus ambient temperature ) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1) Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 100 [µA] 10 [pF] 8 Typical values Typische Werte 10 6 4 1 2 Cj 0.1 0 0 Tj 50 100 [°C] 150 Junction capacitance versus reverse voltage Sperrschichtkapazität in Abh. von der Sperrspg. Leakage current vs. junction temp. (typ. values) Sperrstrom in Abh. v.d. Sperrschichttemp. (typ.) IR 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG