BAS16

BAS16 BAS16 Fast Switching Surface Mount Si-Planar Diodes Schnelle Si-Planar-Dioden für die Oberflächenmontage Version 2009-01-29 Power dissipation – Verlustleistung 2.9 ±0.1 0 .4 3 1.3±0.1 1 .1 310 mW 85 V SOT-23 (TO-236) 0.01 g Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx. – Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle Type Code 1 1. 9 2 Dimensions - Maße [mm] 1=A 2 = n.c. /frei 3 = C Maximum ratings (TA = 25°C) Power dissipation − Verlustleistung Max. average forward current – Dauergrenzstrom (dc) Non repetitive peak forward surge current Stoßstrom-Grenzwert Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur tp ≤ 1 s tp ≤ 1 µs Ptot IFAV IFSM IFSM VRRM Tj TS 2.5 max Grenzwerte (TA = 25°C) BAS16 310 mW 1) 200 mA 1) 1A 2A 85 V -55...+150°C -55…+150°C Repetitive peak reverse voltage – Periodische Spitzensperrspannung Characteristics (Tj = 25°C) Forward voltage 2) Durchlass-Spannung 2) IF IF IF IF Tj = 25°C Tj = 150°C Tj = 150°C = = = = 1 mA 10 mA 50 mA 150 mA VF VF VF VF IR IR IR CT Trr RthA Kennwerte (Tj = 25°C) < 715 mV < 855 mV < 1.0 V < 1.25 V < 1 µA < 30 µA < 50 µA 2 pF < 6 ns < 400 K/W 1) Leakage current Sperrstrom VR = 75 V VR = 25 V VR = 75 V Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität VR = 0 V, f = 1 MHz Reverse recovery time – Sperrverzug IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft 1 2 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 1 BAS16 Pinning – Anschlussbelegung 3 Marking – Stempelung Fast Switching Single Diode Schnelle Einzeldiode 2 BAS16 = A6 or/oder 5D 1 1=A 2 = n.c./frei 3=C 120 [%] 100 1 [A] 10-1 80 Tj = 125°C 60 10 -2 40 10-3 Tj = 25°C 20 Ptot 0 0 TA 50 100 150 [°C] 1 IF 10-4 0 VF 0.4 0.6 0.8 1.0 [V] 1.4 Power dissipation versus ambient temperature ) Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1) Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG