BAS19_11

BAS19 ... BAS21 BAS19 ... BAS21 Fast Switching Surface Mount Si-Planar Diodes Schnelle Si-Planar-Dioden für die Oberflächenmontage Version 2011-07-13 Power dissipation – Verlustleistung 2.9 ±0.1 0.4 3 m ax 250 mW 120...250 V SOT-23 (TO-236) 0.01 g 1.1 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx. – Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle ±0.1 1 2 1.9 Dimensions - Maße [mm] 1=A 2 = n.c./frei 3=C Maximum ratings (TA = 25°C) Type Typ BAS19 BAS20 BAS21 Power dissipation − Verlustleistung Max. average forward current (dc) Dauergrenzstrom Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Non repetitive peak forward surge current Stoßstrom-Grenzwert Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur tp ≤ 1 s t p ≤ 1 µs Continuous reverse voltage Dauersperrspannung VR [V] 100 150 200 Ptot IFAV IFRM IFSM IFSM Tj TS 2.5 1.3 Type Code Grenzwerte (TA = 25°C) Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 1) 120 200 250 250 mW 2) 200 mA 1) 625 mA 1) 0.5 A 2.5 A - 55...+150°C - 55…+150°C Characteristics (Tj = 25°C) Forward voltage Durchlass-Spannung Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 150°C IF = 100 mA IF = 200 mA V = VR V = VR VF VF IR IR Kennwerte (Tj = 25°C) < 1.00 V < 1.25 V < 100 nA < 100 µA 1 2 Tested with 100 µA pulses – Gemessen mit 100 µA-Impulsen Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 1 BAS19 ... BAS21 Characteristics (Tj = 25°C) Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität VR = 0 V, f = 1 MHz Reverse recovery time – Sperrverzug IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft CT trr RthA Kennwerte (Tj = 25°C) < 5 pF < 50 ns < 420 K/W 1) Pinning – Anschlussbelegung 3 Marking – Stempelung HB or HC Single Diode Einzeldiode 2 1 1=A 2 = n.c./frei 3=C 120 [%] 100 10 [A] 1 80 Tj = 125°C 60 10 -1 40 10-2 20 Ptot 0 0 TA 50 100 150 [°C] 1 Tj = 25°C IF 10-3 0 VF 0.4 0.6 0.8 1.0 [V] 1.4 Power dissipation versus ambient temperature ) Verlustleistung in Abh. von der Umgebungstemp.1) Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 1 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 2